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절연기판; 상기 절연 기판상에 형성되는 제 1 영역; 및 상기 절연 기판상에 형성되며, 상기 제 1 영역과 소정 거리만큼 이격 배치된 제 2 영역을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 영역은 칼코게나이드 물질로 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 영역에 레이저를 조사하여, 상기 레이저 빔의 세기에 따라 수축 및 팽창하는 것을 특징으로 스위칭 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 칼코게나이드 물질은 Ge-Sb-Te 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 영역은 팽창시 서로 접촉될 수 있을 정도의 거리만큼 이격되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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제 4 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 영역은 740nm 파장의 레이저를 12mW의 세기로 조사하였을 때 비정질화되어 서로 팽창,접촉되고, 상기 레이저를 6mW의 세기로 조사하였을 때 결정질화되어 서로 수축, 이격되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 절연 기판과 상기 제 1 영역 사이 및 상기 절연 기판과 상기 제 2 영역 사이에, 도전 패턴이 각각 개재되어 있으며, 상기 도전 패턴은 상기 제 1 및 제 2 영역간의 거리보다 더욱 가까운 거리로 이격되어 있으며, 상기 제 1 및 제 2 영역에 레이저 조사에 의하여 팽창되는 경우, 상기 도전패턴간이 접촉되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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제 6 항에 있어서, 상기 도전층은 알루미늄 또는 금인 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 영역의 팽창 및 수축이 용이하도록 제 1 및 제 2 영역의 소정 부분 하부의 절연 기판에 홈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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소정 거리 이격된 칼코게나이드 물질의 소오스 및 드레인을 포함하는 스위칭 트랜지스터가 다수개 배열된 절연 기판; 및 상기 절연 기판상에 배치되며, 상기 각각의 스위칭 트랜지스터에 선택적으로 레이저를 조사하는 레이저 조사 수단을 구비하는 전자 회로 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 레이저 조사 수단은 프로그래머블 마스크이고, 상기 프로그래머블 마스크는, 수개의 단위셀을 포함하고, 상기 단위셀마다 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 있는 하부 기판; 상기 하부 기판과 대향되며, 상기 화소 전극과 함께 전계를 형성하는 공통 전극이 형성되어 있는 상부 기판; 상기 상하부 기판 사이에 개재되어 있는 액정층; 상기 상부 및 하부 기판 뒷면에 각각 부착되어 있는 편광판; 및 상기 상부 기판 상부에 배치되는 레이저 광원을 포함하며, 상기 화소 전극과 공통 전극의 전계 형성시 액정층의 동작으로 상기 레이저광원의 빛이 선택적으로 투과 또는 차단되는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치
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제 10 항에 있어서, 상기 프로그래머블 마스크는 그것의 단위셀과 상기 스위칭 트랜지스터가 대응되도록 배치하는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 레이저 조사 수단은 레이저 다이오드이고, 상기 레이저 다이오드는 상기 절연 기판과 일정 거리 이격되도록 배치되면서, 하나의 스위칭 트랜지스터당 하나의 레이저 다이오드가 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 레이저 조사 수단은 레이저 다이오드이고, 상기 레이저 다이오드는 상기 절연 기판과 일정 거리 이격되도록 배치되면서, 하나의 스위칭 트랜지스터당 하나의 레이저 다이오드가 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치
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