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반도체 소자의 박막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015079099
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 박막 형성 및 그 제어 방법에 관한 것으로, 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)과 플라즈마 인가 원자층 증착법(Plasme Enhanced Atomic Layer Deposition; PEALD)을 교대로 실시하면서 박막을 형성하되 실시 비율을 조절하여 박막의 증착 속도, 조밀도 및 이와 관련된 굴절율, 유전상수, 전기저항 등의 물리적 특성을 예측 및 제어할 수 있는 반도체 소자의 박막 형성 및 그 제어 방법이 개시된다. ALD, PEALD, 증착속도, 물성
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020075213 (2002.11.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0496265-0000 (2005.06.10)
공개번호/일자 10-2004-0047119 (2004.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20050617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임정욱 대한민국 대전광역시유성구
2 윤선진 대한민국 대전광역시유성구
3 이진호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0396367-22
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0517532-36
3 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0052956-40
4 의견서
Written Opinion		 2005.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0052959-87
5 등록결정서
Decision to grant		 2005.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0262102-48
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상부에 제1 전구체 및 제1 반응 가스를 이용한 원자층 증착법을 적어도 한번의 사이클을 실시하여 기본 단위 두께의 박막을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 기판 상부에 제2 전구체 및 제2 반응 가스를 이용한 플라즈마 인가 원자층 증착법을 적어도 한번의 사이클을 실시하여 기본 단위 두께의 박막을 형성하는 단계를 교대로 반복 실시하여 목표 두께의 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 박막 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 원자층 증착법 및 상기 플라즈마 인가 원자층 증착법의 반복 실시 비율을 N:M(N,M은 정수)으로 조절하여 상기 박막의 증착 속도 및 물성을 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 박막 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제1 반응 가스 및 상기 제2 반응 가스는 서로 다른 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 박막 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체는 서로 다른 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 박막 형성방법
5 4
제 1 항에 있어서, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체는 서로 다른 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 박막 형성방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US06730614 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US6730614 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.