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응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법

기술번호 : KST2015079455
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 감압 화학 기상 증착(RPCVD)법을 이용하여 실리콘 기판 상에 응력이 완화된 실리콘-게르마늄 완충층(Relaxed SiGe buffer layer)을 형성하는 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상에 소정의 게르마늄 조성 기울기를 갖는 조성 변화층을 형성하는 단계와, 상기 조성 변화층 상에 소정의 게르마늄 조성을 갖는 제 1 조성 일정층을 형성한 후 열처리하는 단계와, 상기 제 1 조성 일정층을 소정 두께 제거하여 표면을 평탄화하는 단계와, 상기 제 1 조성 일정층 상에 제 2 조성 일정층을 형성하여 상기 조성 변화층과 상기 조성 일정층으로 이루어진다. 비교적 얇은 두께를 가지며, 표면 전위 밀도가 낮고, 벌크 실리콘과 유사한 표면 거칠기를 갖는 충분히 응력이 완화된 실리콘-게르마늄 완충층을 형성하므로써 실리콘 기반 MOSFET 소자나 MODFET 소자에서 긴장된 실리콘 혹은 실리콘-게르마늄 채널을 형성할 수 있어 현재의 소자보다 채널 전도 및 고주파 특성이 우수한 소자의 제작이 가능해진다. 실리콘-게르마늄, 응력 완화, 완충층, 불일치 전위, 열처리, RPCVD
Int. CL	H01L 21/205 (2006.01)
CPC	H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01)
출원번호/일자	1020040016498 (2004.03.11)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2005-0063642 (2005.06.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020030095046 \| 2003.12.22
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2004.03.11)
심사청구항수	9

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김상훈	대한민국	대전광역시중구
2	심규환	대한민국	대전광역시유성구
3	강진영	대한민국	대전광역시유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신영무	대한민국	서울특별시 강남구 영동대로 **(대치동) KT&G타워 층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2004.03.11	수리 (Accepted)	1-1-2004-0101486-97
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2005.07.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2005.08.19	수리 (Accepted)	9-1-2005-0052380-16
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.10.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0519206-48
5	지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period	2005.12.19	수리 (Accepted)	1-1-2005-0740823-81
6	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2006.03.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0128375-19
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 실리콘 기판 상에 소정의 게르마늄 조성 기울기를 갖는 조성 변화층을 형성하는 단계와, 상기 조성 변화층 상에 소정의 게르마늄 조성을 갖는 제 1 조성 일정층을 형성한 후 열처리하는 단계와, 상기 제 1 조성 일정층을 소정 두께 제거하여 표면을 평탄화하는 단계와, 상기 제 1 조성 일정층 상에 제 2 조성 일정층을 형성하여 상기 조성 변화층과 상기 조성 일정층으로 이루어지는 실리콘-게르마늄 완충층을 형성하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 조성 변화층은 실리콘-게르마늄 증착 단계 및 불일치 전위 증가를 위한 열처리 단계를 통해 형성하며, 상기 증착 및 열처리 단계를 소정 횟수만큼 반복 진행하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 열처리는 RPCVD 장비의 특징인 복사열을 이용하여 900 내지 1000℃ 에서 실시하며, 소스 가스가 공급되지 않는 상태에서 실시하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 조성 변화층은 600 내지 650℃에서 RPCVD법으로 증착하며, 상기 게르마늄 조성 기울기는 하부로부터 상부로 점차 증가하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 게르마늄 조성 기울기는 50 ~ 200%Ge/um 인 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 조성 일정층의 게르마늄 조성은 상기 조성 변화층의 최종 게르마늄 조성과 동일하며, 상기 2 조성 일정층의 게르마늄 조성은 상기 제 1 조성 일정층의 게르마늄 조성과 동일하거나 낮은 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 평탄화는 CMP 공정으로 이루는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 조성 일정층의 표면을 평탄화한 후 표면을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 세정은 SC-1 세정 및 표준 세정법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법
10	9 제 8 항에 있어서, 상기 세정은 SC-1 세정 및 표준 세정법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20050196925	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2005196925	US	미국	DOCDBFAMILY

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2004.03.11	수리 (Accepted)	1-1-2004-0101486-97
2	선행기술조사의뢰서	2005.07.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2005.08.19	수리 (Accepted)	9-1-2005-0052380-16
4	의견제출통지서	2005.10.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0519206-48
5	지정기간연장신청서	2005.12.19	수리 (Accepted)	1-1-2005-0740823-81
6	거절결정서	2006.03.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0128375-19
7	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

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