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하이브리드형 광소자

  • 기술번호 : KST2015080194
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 평판형 도파로 플랫폼에 플립칩 본딩 방식을 이용하여 반도체 레이저가 실장된 구조를 갖는 하이브리드형 광소자에 관한 것이다. 본 발명은, 광생성영역(active region)을 포함하고 적어도 하나의 측면을 광출사면으로 하는 제1 구조물 및 상기 제1 구조물 하부에 형성되며 상기 제1 구조물의 광출사면 및/또는 그 반대면 측으로 노출된 상면을 갖는 제2 구조물을 포함하는 반도체 레이저; 및 기판과, 상기 기판 상의 일부영역을 노출시키도록 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 하부클래드층, 코어층 및 상부클래드층과, 상기 기판 상의 노출된 영역에 형성된 금속 패턴을 포함하는 평판형 도파로 플랫폼을 포함하여, 상기 제2 구조물의 노출된 상면이 상기 평판형 도파로 플랫폼의 상부클래드층 상면에 접하도록 상기 반도체 레이저가 상기 금속패턴에 플립칩 본딩된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자를 제공한다. 하이브리드형 광소자, 반도체 레이저, 평면 매립형 이종접합, 광모드 크기 변환기, 평판형 도파로 플랫폼, 플립칩 본딩
Int. CL G02B 6/12 (2006.01)
CPC G02B 6/4232(2013.01) G02B 6/4232(2013.01) G02B 6/4232(2013.01) G02B 6/4232(2013.01) G02B 6/4232(2013.01) G02B 6/4232(2013.01) G02B 6/4232(2013.01) G02B 6/4232(2013.01) G02B 6/4232(2013.01) G02B 6/4232(2013.01)
출원번호/일자 1020040089059 (2004.11.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0637929-0000 (2006.10.17)
공개번호/일자 10-2006-0039826 (2006.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20061024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.03)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박만용 대한민국 대전 유성구
2 김병휘 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2004-0509576-55
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0036600-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0359114-72
5 의견서
Written Opinion		 2006.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0607295-76
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.08.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0607296-11
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0542907-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광생성영역(active region)을 포함하고 적어도 하나의 측면을 광출사면으로 하는 제1 구조물 및 상기 제1 구조물 하부에 형성되며 상기 제1 구조물의 광출사면 및/또는 그 반대면 측으로 노출된 상면을 갖는 제2 구조물을 포함하는 반도체 레이저; 및 기판과, 상기 기판 상의 일부영역을 노출시키도록 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 하부클래드층, 코어층 및 상부클래드층과, 상기 기판 상의 노출된 영역에 형성된 금속 패턴을 포함하는 평판형 도파로 플랫폼을 포함하여, 상기 제2 구조물의 노출된 상면이 상기 평판형 도파로 플랫폼의 상부클래드층 상면에 접하도록 상기 반도체 레이저가 상기 금속패턴에 플립칩 본딩된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체 레이저는 평면 매립형 이종접합 구조를 갖는 반도체 레이저인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 반도체 레이저는 상기 광생성영역 및 상기 광출사면 사이에 광모드 크기 변환기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 구조물은 적어도 6㎛의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 반도체 레이저는 광출사면에 형성된 반사방지막 및 그 반대측면에 형성된 고반사막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 평판형 도파로 플랫폼의 상부클래드층은 소정 깊이로 제거된 접합영역을 가지며, 상기 제2 구조물의 노출된 상면이 상기 접합영역의 상면에 접합되도록 상기 반도체 레이저가 플립칩 본딩되어, 상기 접합영역의 깊이를 조절하여 상기 반도체 레이저와 평판형 도파로 플랫폼의 수직방향 광축 정열이 이루어지는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 제2 구조물의 노출된 상면과 상기 평판형 도파로 플랫폼의 상부클래드층 상면 사이에 충전 물질이 충전되어 상기 반도체 레이저가 상기 평판형 도파로 플랫폼에 플립칩 본딩된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 제2 구조물의 노출된 상면과 상기 평판형 도파로 플랫폼의 상부클래드층 사이 및 상기 제1 구조물의 측면과 그에 대면하는 상기 평판형 도파로 플랫폼의 측면 사이에 충전 물질이 충전되어 상기 반도체 레이저가 상기 평판형 도파로 플랫폼에 플립칩 본딩된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
9 9
제6항에 있어서, 상기 제2 구조물의 노출된 상면과 상기 상부클래드층의 접합영역의 상면 사이에 충전 물질이 충전되어 상기 반도체 레이저가 상기 평판형 도파로 플랫폼에 플립칩 본딩된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
10 10
제6항에 있어서, 상기 제2 구조물의 노출된 상면과 상기 상부클래드층의 접합영역의 상면 사이 및 상기 제1 구조물의 측면과 그에 대면하는 상기 평판형 도파로 플랫폼의 측면 사이에 충전 물질이 충전되어 상기 반도체 레이저가 상기 평판형 도파로 플랫폼에 플립칩 본딩된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
11 11
제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 충전 물질은 열경화 에폭시 물질 또는 UV 경화 에폭시 물질 또는 상기 열경화 및 UV 경화 에폭시 물질의 조합으로 이루어진 에폭시 물질인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
12 12
제8항 또는 제10항에 있어서, 상기 충전 물질의 유효굴절률은 상기 평판형 광도파로 플랫폼의 코어층의 유효굴절률과의 차이가 0
13 13
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 평판형 도파로 플랫폼은, 상기 상부클래드층의 일부를 소정 깊이로 제거하여 형성된 충전 물질 보관 영역 및 상기 충전 물질 보관 영역과 상기 접합영역 사이에 상기 상부클래드층을 소정 깊이로 제거하여 형성된 트랜치영역을 구비하여, 상기 충전 물질 보관 영역에 보관된 충전 물질이 트랜치영역을 따라 상기 접합영역으로 흘러 상기 제2 구조물의 노출된 상면과 상기 상부클래드층의 접합영역의 상면 사이 및 상기 제1 구조물의 측면과 그에 대면하는 상기 평판형 도파로 플랫폼의 측면 사이에 충전 물질이 충전되는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
14 13
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 평판형 도파로 플랫폼은, 상기 상부클래드층의 일부를 소정 깊이로 제거하여 형성된 충전 물질 보관 영역 및 상기 충전 물질 보관 영역과 상기 접합영역 사이에 상기 상부클래드층을 소정 깊이로 제거하여 형성된 트랜치영역을 구비하여, 상기 충전 물질 보관 영역에 보관된 충전 물질이 트랜치영역을 따라 상기 접합영역으로 흘러 상기 제2 구조물의 노출된 상면과 상기 상부클래드층의 접합영역의 상면 사이 및 상기 제1 구조물의 측면과 그에 대면하는 상기 평판형 도파로 플랫폼의 측면 사이에 충전 물질이 충전되는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자
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1 US07522648 US 미국 FAMILY
2 US20060093002 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2006093002 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7522648 US 미국 DOCDBFAMILY
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