| 1 |
1
제1 격자 상수를 가지는 물질로 이루어지는 기판상에 형성되어 있고 상기 제1 격자 상수보다 작은 제2 격자 상수를 가지는 물질로 이루어진 에피택셜 강유전체 (ferroelectrics) (BaxSr1-x)TiO3 박막과, 상기 기판과 상기 에피택셜 강유전체 (BaxSr1-x)TiO3 박막과의 사이에 개재되어 있고, 상기 제1 격자 상수보다 작고 상기 제2 격자 상수보다 큰 제3 격자 상수를 가지는 물질로 이루어지는 페로브스카이트 (perovskite) ABO3형 상유전체(paraelectrics) 종자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체/상유전체 다층 박막
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 상유전체 종자층은 SrZrO3, BaZrO3, Ba(Zrx, Ti1-x)O3 (x > 0
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 (BaxSr1-x)TiO3 박막은 0 ≤ x ≤ 1의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 강유전체/상유전체 다층 박막
|
| 4 |
4
기판상에 페로브스카이트 ABO3형 상유전체 종자층을 형성하는 단계와, 상기 상유전체 종자층 위에 강유전체 (BaxSr1-x)TiO3 박막을 에피택셜 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체/상유전체 다층 박막의 제조 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 상유전체 종자층은 펄스 레이저 어블레이션 (pulsed laser ablation), RF 마그네트론 스퍼터링, 화학기상증착, 및 원자층 증착 방법 중에서 선택되는 하나의 방법에 의하여 에피택셜 성장된 박막인 것을 특징으로 하는 강유전체/상유전체 다층 박막의 제조 방법
|
| 6 |
6
제4항에 있어서, 상기 (BaxSr1-x)TiO3 박막은 펄스 레이저 어블레이션, RF 마그네트론 스퍼터링, 화학기상증착, 및 원자층 증착 방법 중에서 선택되는 하나의 방법에 의하여 에피택셜 성장된 박막인 것을 특징으로 하는 강유전체/상유전체 다층 박막의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1 격자 상수를 가지는 기판과, 상기 기판상에 형성되어 있고 상기 제1 격자 상수보다 작은 제2 격자 상수를 가지는 물질로 이루어진 에피택셜 강유전체 (ferroelectrics) (BaxSr1-x)TiO3 박막과, 상기 기판과 상기 에피택셜 강유전체 (BaxSr1-x)TiO3 박막과의 사이에 개재되어 있고, 상기 제1 격자 상수보다 작고 상기 제2 격자 상수보다 큰 제3 격자 상수를 가지는 물질로 이루어지는 페로브스카이트 (perovskite) ABO3형 상유전체(paraelectrics) 종자층으로 구성되는 강유전체/상유전체 다층 박막과, 상기 강유전체 (BaxSr1-x)TiO3 박막 상에 형성된 적어도 하나의 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 기판은 MgO 기판인 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 전극은 주파수 가변 소자 또는 위상 가변 소자의 전극을 구성하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
|
| 10 |
10
제7항에 있어서, 상기 전극은 Au, Ag, Al, Cu, Cr 및 Ti로 이루어지는 군에서 선택되는 단일층 금속막 또는 다층 금속막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
|
| 11 |
11
제7항에 있어서, 상기 초고주파 소자는 전압조절 가변 축전기, 가변 공진기, 가변 필터, 위상변위기, 전압제어 발진기, 듀플렉서 및 가변 분배기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
|
| 12 |
11
제7항에 있어서, 상기 초고주파 소자는 전압조절 가변 축전기, 가변 공진기, 가변 필터, 위상변위기, 전압제어 발진기, 듀플렉서 및 가변 분배기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
|
