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미세 접점 형성 공정을 포함하는 상변화 메모리 소자의제조방법

  • 기술번호 : KST2015080552
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상변화 메모리 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명은 리소그래피 장비를 폴리실리콘층을 패터닝하여 폴리실리콘 패턴을 형성하고, 폴리실리콘 패턴을 산화시켜 임계선폭이 작은 폴리실리콘 패턴을 형성한다. 상기 임계선폭이 작은 폴리실리콘 패턴을 이용하여 금속 마스크막에 미세홀을 형성할 수 있고, 상기 미세홀에 의해 절연층에 미세 접점을 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명은 상기 미세 접점 형성 공정을 이용하여 저소비전력형 고밀도 상변화 메모리 소자를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/1691(2013.01)H01L 45/1691(2013.01)H01L 45/1691(2013.01)
출원번호/일자 1020040108976 (2004.12.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0617304-0000 (2006.08.22)
공개번호/일자 10-2006-0070290 (2006.06.23) 문서열기
공고번호/일자 (20060830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤성민 대한민국 대전 서구
2 류상욱 대한민국 대전 유성구
3 신웅철 대한민국 대전 서구
4 이남열 대한민국 대전 유성구
5 유병곤 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2004-0600921-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2006-0018196-58
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0219932-53
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0367481-09
6 의견서
Written Opinion		 2006.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0367480-53
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0410442-74
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 제1 절연층
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2 폴리실리콘 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제1 폴리실리콘 패턴을 산화시켜 산화층을 형성하는 단계와, 상기 산화층을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 폴리실리콘 패턴 상에도 금속 마스크막이 형성되고, 상기 희생 산화 패턴 및 제2 폴리실리콘 패턴은 리프트오프 방법에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2 절연층은 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 미세접점은 상기 제1 폴리실리콘 패턴의 산화량에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 상부 금속 전극층은 상기 상변화층을 오픈하는 콘택홀을 갖는 제3 절연층을 형성하고, 상기 콘택홀에 상기 상변화층과 접속되게 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 상부 금속 전극층은 상기 상변화층과 제2 절연층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
8 7
제1항에 있어서, 상기 상부 금속 전극층은 상기 상변화층과 제2 절연층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.