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고전력 고격리도 특성을 갖는 흡수형 ＲＦ 스위치

  • 기술번호 : KST2015080678
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야본 발명은 고전력 고격리도 특성을 갖는 흡수형 RF 스위치에 관한 것임.2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제본 발명은 다수의 트랜지스터를 병렬 접지 형태로 연결하고 상기 트랜지스터 사이에 공진기를 삽입함으로써 고전력, 고격리도, 입출력 임피던스 정합 특성을 동시에 만족시키는 RF 스위치를 제공하는데 그 목적이 있음.3. 발명의 해결방법의 요지본 발명은, RF 스위치로서, RF(Radio Frequency) 전송선로에 병렬 접지로 연결된 다수의 트랜지스터; 및 상기 다수의 트랜지스터 사이에 연결되어 상기 트랜지스터가 단락될 때 입출력 단자 간에 개방회로를 형성하여 삽입 손실을 증가시키는 다수의 공진기를 포함함.4. 발명의 중요한 용도본 발명은 초고주파 및 마이크로파 대역의 통신 장치 등에 이용됨.RF 스위치, 고전력, 고격리도, 트랜지스터, 공진기
Int. CL H03K 17/00 (2006.01)
CPC H03K 17/6871(2013.01) H03K 17/6871(2013.01) H03K 17/6871(2013.01) H03K 17/6871(2013.01)
출원번호/일자 1020050053565 (2005.06.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0611107-0000 (2006.08.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.06.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장동필 대한민국 대전 유성구
2 신동환 대한민국 대전 중구
3 정진철 대한민국 대전 유성구
4 주인권 대한민국 대전 유성구
5 노윤섭 대한민국 대전 유성구
6 염인복 대한민국 대전 유성구
7 곽창수 대한민국 대전 유성구
8 엄만석 대한민국 대전 유성구
9 류근관 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0329263-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2006-0047691-16
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0418127-83
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
RF(Radio Frequency) 전송선로에 병렬 접지로 연결된 다수의 트랜지스터; 및상기 다수의 트랜지스터 사이에 연결되어 상기 트랜지스터가 단락될 때 입출력 단자 간에 개방회로를 형성하여 삽입 손실을 증가시키는 다수의 공진기를 포함하는 RF 스위치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 다수의 트랜지스터 중 입출력 단자에 연결된 트랜지스터는 소스단에 저항이 연결되어 입출력 임피던스를 정합시키고, 나머지 트랜지스터는 소스단이 직접 접지되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 공진기는,마이크로스트립 전송선로를 이용하여 구성되고 상기 트랜지스터의 단락 상태 임피던스와 상호 작용하여 공진을 발생시키는 것을 특징으로 RF 스위치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 공진기는,인덕터 및 커패시터를 이용하여 구성되고 상기 트랜지스터의 단락 상태 임피던스와 상호 작용하여 공진을 발생시키는 것을 특징으로 하는 RF 스위치
5 5
제 1 항에 있어서,상기 공진기는,마이크로스트립 전송선로, 인덕터 및 커패시터를 이용하여 구성되고 상기 트랜지스터의 단락 상태 임피던스와 상호 작용하여 공진을 발생시키는 것을 특징으로 하는 RF 스위치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.