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에너지 밴드 구조의 변화를 이용한 반도체 레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015093798
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전도대의 전자장벽을 높이고 정공의 흐름을 원활하게 할 수 있는 반도체 레이저 다이오드를 제공한다. 그 다이오드는 활성층의 타측에 접촉되며, 활성층에 대하여 에너지 단차를 이루는 제2 화합물 반도체층 및 제2 화합물 반도체층과 비전도대 에너지 단차(ΔEv)가 0인 임계점을 갖도록, 제2 반도체층에 삽입되어 제2 화합물 반도체층을 분리하는 제3 화합물 반도체층을 포함한다.전자장벽, 정공, 에너지 단차, 임계, 타입-II
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/2009(2013.01) H01S 5/2009(2013.01) H01S 5/2009(2013.01) H01S 5/2009(2013.01) H01S 5/2009(2013.01)
출원번호/일자 1020060036356 (2006.04.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0785772-0000 (2007.12.07)
공개번호/일자 10-2007-0061043 (2007.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20071218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050119527   |   2005.12.08
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한원석 대한민국 대전 유성구
2 권오균 대한민국 대전 유성구
3 송현우 대한민국 대전 서구
4 박미란 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0280885-78
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0026672-57
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0277998-38
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0447463-76
6 의견서
Written Opinion		 2007.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0447461-85
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0607170-59
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양자우물 구조를 갖는 활성층;상기 활성층의 일측에 접촉되고 제1 화합물 반도체층으로 이루어진 클레딩층; 상기 활성층의 타측에 접촉되며, 상기 활성층에 대하여 에너지 단차를 이루는 제2 화합물 반도체층; 및상기 제2 화합물 반도체층과 비전도대 에너지 단차(ΔEv)가 0인 임계점을 갖도록, 상기 제2 반도체층에 삽입되어 상기 제2 화합물 반도체층을 분리하는 제3 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 레이저 다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 비전도대 에너지 단차(ΔEv)가 0이 되는 임계점은 상기 제2 화합물 반도체층과 상기 제3 화합물 반도체층을 구성하는 적어도 하나의 원소의 몰분율에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층은 InGaAsP으로 이루어지고, 상기 제3 화합물 반도체층은 InAlAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층은 In0
5 5
제1항에 있어서, 상기 활성층과 상기 클레딩층 사이에는 제1 InAlGaAs층을 더 배치하고,상기 활성층과 상기 제1 InAlGaAs층 사이에 상기 클레딩층과 전도대 에너지 단차(ΔEc)가 0인 임계점을 갖도록, 삽입된 제2 InAlGaAs층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
6 6
제5항에 있어서, 상기 전도대 에너지 단차(ΔEc)가 0이 되는 임계점은 상기 제1 InAlGaAs층과 상기 제2 InAlGaAs층을 구성하는 적어도 하나의 원소의 몰분율에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.