맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

단일집적 반도체 변조기-ＳＯＡ-ＬＥＤ 광대역 광원 및 그제조 방법

  • 기술번호 : KST2015080790
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일집적 반도체 광대역 광원 제작에 관한 것이다. 제작된 반도체 레이저는 전자흡수(Electro Absorption; EA) 변조기(Modulator)와 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier;SOA)와 발광다이오드(Light Emitting Diode;LED)의 세 구성요소가 InP 기판위에 단일집적되어 있다. 변조기와 SOA와 LED 사이는 이온주입으로 전기적 절연되었으며, 각 전극에서 변조기와 SOA와 LED에 독립적으로 전류를 주입하게 되어 있다. 특히, 이온주입에 의한 전류차단층 형성과 전극간의 전기적 절연이지만 광학적으로 연결된 구조를 만드는 것이 소자성능에 중요하다. 본 발명은 동일한 활성층의 SOA와 LED를 단일집적으로 제작하여, LED 영역에서 생성된 광대역광이 SOA에서 증폭되고 변조기에서 변조되어 단일집적된 광대역 광원소자를 만드는 것이다.반도체 레이저 다이오드, 광증폭기, SOA, 변조기, LED
Int. CL H01S 5/026 (2006.01) H01S 5/06 (2006.01)
CPC H01S 5/0264(2013.01) H01S 5/0264(2013.01) H01S 5/0264(2013.01) H01S 5/0264(2013.01)
출원번호/일자 1020050064178 (2005.07.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0753814-0000 (2007.08.24)
공개번호/일자 10-2006-0067130 (2006.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20070831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020040105428   |   2004.12.14
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.07.15)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박문호 대한민국 대전광역시 유성구
2 박상기 대한민국 대전광역시 서구
3 오수환 대한민국 대전광역시 유성구
4 김성복 대한민국 대전광역시 유성구
5 오광룡 대한민국 대전광역시 유성구
6 백용순 대한민국 대전광역시 유성구
7 김경옥 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0383818-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0072894-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0674108-53
5 의견서
Written Opinion		 2006.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0984054-77
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0984055-12
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2007.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0240677-32
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2007.05.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0020458-95
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0374188-71
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 전면에 형성된 수동 광도파로층;상기 수동 광도파로층 상의 양측에 배치된 변조기 영역과 창 영역;상기 변조기 영역과 상기 창 영역 사이의 상기 수동 광도파로층 위의 활성층 패턴 상에 형성된 반도체 광증폭기 영역과 발광다이오드 영역; 및상기 변조기 영역, 상기 반도체 광증폭기 영역, 상기 발광다이오드 영역 및 상기 창 영역 사이에 형성되어 각각을 전기적으로 절연시키는 이온주입영역 및 상기 발광다이오드 양측의 상기 활성층 패턴 위에 형성된 광흡수층 패턴을 포함하는 단일집적된 광대역 광원소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 광원소자는 측방향으로 상기 창 영역, 상기 발광다이오드 영역, 상기 반도체 광증폭기 영역 및 상기 변조기 영역의 순서대로 배열되는 것을 특징으로 하는 단일집적된 광대역 광원소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 광흡수층 패턴은 상기 반도체 광증폭기 영역, 상기 발광다이오드 및 상기 창 영역 사이의 상기 이온주입영역의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 단일집적된 광대역 광원소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 광흡수층 패턴은 흡수된 광의 발진을 억제하게 하는 것을 특징으로 하는 단일집적된 광대역 광원소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 변조기, 상기 광증폭기 및 상기 발광다이오드는 각각 독립적으로 전류를 주입받는 것을 특징으로 하는 단일집적된 광대역 광원소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 변조기, 상기 광증폭기 및 상기 발광다이오드는 각각전원을 공급하는 제1 금속전극과 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 단일집적된 광대역 광원소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 이온주입영역은 상기 이온주입영역을 덮는 질화물층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일집적된 광대역 광원소자
8 8
기판을 준비하는 단계 상기 기판 상에 수동 광도파로층, 활성층 및 광흡수층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 광흡수층을 패터닝하기 위한 제1 식각마스크를 이용하여 상기 광흡수층의 일부를 제거하여 광흡수층 패턴을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 패턴을 덮고 변조기 영역과 창 영역이 형성될 부분을 정의하는 제2 식각마스크를 이용하여 상기 활성층의 일부를 제거하여 반도체 광증폭기와 발광다이오드가 형성될 리지 형태의 광공진 스트라이프를 형성하는 단계; 상기 광공진 스트라이프를 덮는 클래드층과 오믹접촉층을 형성하는 단계; 상기 오믹접촉층 상에 패터닝된 이온주입 마스크를 이용하여 상기 변조기 영역, 상기 반도체 광증폭기 영역, 상기 발광다이오드 영역 및 상기 창 영역 사이의 상기 클래드층에 이온주입을 하여 각각을 전기적으로 절연시키는 단계 및 상기 오믹접촉층 내에 전류주입을 위한 제1 금속전극을 형성하는 단계를 포함하는 단일집적된 광대역 광원소자의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 수동 광도파로층, 상기 활성층 및 상기 광흡수층은 유기금속화학기상증착법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 단일집적된 광대역 광원소자의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 이온주입된 영역은 상기 변조기, 상기 반도체 광증폭기 및 상기 발광다이오드 사이의 영역을 동시에 전기적으로 차단하는 것을 특징으로 하는 단일집적된 광대역 광원소자의 제조방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 광도파로층은 광이 출력되는 면과 7o 경사지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 단일집적된 광대역 광원소자의 제조방법
12 12
삭제
13 13
제8항에 있어서, 상기 제1 금속전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 이온주입영역 상의 오믹접촉층을 제거하는 단계 및 상기 오믹접촉층과 상기 이온주입영역을 덮는 질화물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일집적된 광대역 광원소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20060126157 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2006126157 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.