| 1 |
1
InP 기판과, 상기 InP 기판상의 소정 영역에서 소정의 길이에 걸쳐 연장되어 있는 공진 스트라이프 패턴의 활성층을 포함하는 BRS 구조의 광도파로와, 상기 광도파로 위에 형성되고, 상기 소정 영역에서 상기 활성층의 길이 방향을 따라 각각 구분된 복수의 영역을 한정하는 절연막 패턴과, 상기 활성층 위에서 상기 복수의 영역에 각각 1개씩 형성되어 있는 상호 전기적으로 절연된 복수의 전극과, 상기 복수의 전극을 전기적으로 상호 절연시키기 위하여 이들 사이에 개재되어 있는 전류 차단 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 전류 차단 영역은 상기 활성층 위에 형성되어 있는 이온주입된 InP 클래드층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 활성층과 상기 복수의 전극과의 사이에는 각각 차례로 적층된 p-InP 클래드층 및 p-InGaAs 옴 접촉층이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 InP 기판상에서 무반사막이 코팅된 광출력면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 절연막 패턴에 의해 한정된 상기 복수의 영역중 적어도 하나의 영역은 SSC (Spot Size Converter) 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 절연막 패턴은 상기 소정 영역에서 상기 활성층의 길이 방향을 따라 각각 구분된 3개의 영역을 한정하고, 상기 복수의 전극은 상기 3개의 영역에 각각 1개씩 형성된 3개의 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
|
| 7 |
7
InP 기판상의 소정 영역에서 소정의 길이에 걸쳐 연장되는 리지(ridge) 구조의 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층 위에 p-InP 클래드층 및 p-InGaAs 옴 접촉층을 차례로 형성하여 BRS (buried ridge stripe) 구조의 광도파로를 형성하는 단계와, 상기 활성층의 길이 방향을 따라 각각 구분된 복수의 영역을 제외한 나머지 영역에서 상기 p-InGaAs 옴 접촉층에 이온을 주입하여 상기 복수의 영역을 제외한 영역에 전류 차단 영역을 형성하는 단계와, 상기 p-InGaAs 옴 접촉층을 패터닝하여 상기 복수의 영역에 각각 하나씩 위치되는 복수의 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 복수의 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴을 각각 노출시키는 복수의 개구가 형성된 절연막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 복수의 개구를 통해 상기 복수의 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴과 각각 접촉되는 복수의 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 복수의 전극은 상호 전기적으로 절연된 제1 전극, 제2 전극, 및 제3 전극을 포함하고, 상기 제1 전극, 제2 전극, 및 제3 전극은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조 방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 복수의 전극은 상호 이들 사이에 위치되는 상기 전류 차단 영역에 의해 전기적으로 절연되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조 방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서, 상기 복수의 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴은 제1 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴, 제2 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴, 및 제3 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴을 포함하고, 상기 복수의 개구는 상기 제1 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴, 제2 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴, 및 제3 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴을 각각 노출시키는 제1 개구, 제2 개구, 및 제3 개구를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조 방법
|
| 11 |
11
제7항에 있어서, 상기 InP 기판상의 광출력면에 무반사막을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조 방법
|
