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LD (Laser Diode) 영역과, 상기 LD 영역으로부터 생성된 광을 증폭하기 위한 SOA (Semiconductor Optical Amplifier) 영역을 가지는 InP 기판과, 상기 InP 기판상에서 상기 SOA 영역 및 상기 LD 영역에 걸쳐 연장되어 있는 공진 스트라이프 패턴의 활성층을 포함하는 BRS 구조의 광도파로와, 상기 SOA 영역에서 상기 활성층 위에 형성되어 있는 제1 전극과, 상기 LD 영역에서 상기 활성층 위에 형성되어 있고 상기 제1 전극과는 전기적으로 절연되어 있는 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극을 전기적으로 상호 절연시키기 위하여 이들 사이에 개재되어 있는 전류 차단 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼루미네슨트 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 전류 차단 영역은 상기 활성층 위에 형성되어 있는 이온주입된 InP 클래드층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수퍼루미네슨트 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 활성층과 상기 제1 전극과의 사이와, 상기 활성층과 상기 제2 전극과의 사이에는 각각 차례로 적층된 p-InP 클래드층 및 p-InGaAs 옴 접촉층이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 수퍼루미네슨트 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 SOA 영역의 광출력면에 코팅되어 있는 무반사막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼루미네슨트 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 LD 영역에서 상기 활성층은 굽은 도파로 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 수퍼루미네슨트 다이오드
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LD 영역과, 상기 LD 영역으로부터 생성된 광을 증폭하기 위한 SOA 영역을 가지는 InP 기판상에서 상기 SOA 영역 및 상기 LD 영역에 걸쳐 연장되는 리지(ridge) 구조의 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층 위에 p-InP 클래드층 및 p-InGaAs 옴 접촉층을 차례로 형성하여 BRS (buried ridge stripe) 구조의 광도파로를 형성하는 단계와, 상기 p-InGaAs 옴 접촉층중 상기 SOA 영역 및 LD 영역을 제외한 영역에 이온을 주입하여 전류 차단 영역을 형성하는 단계와, 상기 p-InGaAs 옴 접촉층을 패터닝하여 SOA 영역 및 LD 영역 내에 각각 위치되는 제1 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴 및 제2 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 SOA 영역에서 상기 제1 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴을 노출시키는 제1 개구와 상기 LD 영역에서 상기 제2 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴을 노출시키는 제2 개구가 형성된 절연막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 SOA 영역에서 상기 제1 개구를 통해 상기 제1 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴과 접촉되는 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 LD 영역에서 상기 제2 개구를 통해 노출되는 상기 제2 p-InGaAs 옴 접촉층 패턴과 접촉되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼루미네슨트 다이오드의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 수퍼루미네슨트 다이오드의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 SOA 영역의 광출력면에 무반사막을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼루미네슨트 다이오드의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 이들 사이에 위치되는 상기 전류 차단 영역에 의해 전기적으로 상호 절연되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 수퍼루미네슨트 다이오드의 제조 방법
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