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전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015081203
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 머리 부분이 다리 부분보다 넓은 티(T)형 또는 감마(Γ)형의 미세 게이트 전극을 구비하는 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 식각비가 다른 다층 구조의 절연막을 이용하여 게이트 전극의 머리 부분과 반도체 기판 사이에 보이드를 형성한다. 보이드에 의해 게이트 전극과 반도체 기판 사이의 기생 캐패시턴스가 감소되어 게이트 전극의 머리 부분을 크게 만들 수 있으므로 게이트 저항을 감소시킬 수 있으며, 절연막의 두께를 조절하여 게이트 전극의 높이를 조절할 수 있기 때문에 소자의 성능과 공정의 균일성 및 재현성이 향상될 수 있다. 티(T)형, 감마(Γ)형, 게이트 전극, 기생 캐패시턴스, 절연막, 보이드
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01) H01L 29/768 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020050104958 (2005.11.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0620393-0000 (2006.08.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안호균 대한민국 대전 유성구
2 임종원 대한민국 대전 유성구
3 문재경 대한민국 대전 유성구
4 지홍구 대한민국 대전 유성구
5 장우진 대한민국 대전 서구
6 김해천 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2005-0633769-25
2 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0492904-66
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
소스 및 드레인과 채널 영역을 제공하는 활성층,상기 채널 영역의 상기 활성층 상에 형성되며, 머리 부분이 다리 부분보다 넓게 형성된 게이트 전극,상기 게이트 전극 양측과 소정 거리 이격되도록 상기 활성층 상에 형성된 캡층,상기 게이트 전극의 머리 부분과 상기 캡층 사이에 형성되며, 상기 게이트 전극의 머리 부분과 중첩되도록 내부에 보이드가 형성된 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 절연막에 의해 상기 게이트 전극 양측과 상기 캡층 사이에 보이드가 형성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 보이드가 상기 게이트 전극의 머리 부분보다 넓게 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 캡층 상에 형성된 오믹 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
5 5
활성층이 형성된 반도체 기판 상에 캡층을 형성하는 단계,상기 캡층 상에 다층 구조의 절연막을 형성하는 단계,상기 절연막 상에 머리 부분이 다리 부분보다 넓은 게이트 전극을 형성하기 위한 감광막 패턴을 형성하는 단계,상기 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 상기 다층 구조의 절연막의 일부 두께를 식각하는 단계,상기 게이트 전극의 머리 부분과 중첩되도록 상기 다층 구조의 절연막 내에 보이드를 형성하는 단계,상기 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 상기 캡층을 식각하는 단계,전체 상부면에 도전물을 증착한 후 상기 감광막 패턴을 제거하여 상기 활성층 상에 상기 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 다층 구조의 절연막에서 상기 보이드가 형성될 중간층의 절연막이 다른 층의 절연막보다 높은 식각비를 갖는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 보이드는 등방성 식각 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 보이드를 상기 게이트 전극의 머리 부분보다 넓게 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 캡층을 상기 절연막보다 넓게 식각하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
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1 CN100521235 CN 중국 DOCDBFAMILY
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3 US2007099368 US 미국 DOCDBFAMILY
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5 US7387955 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US7902572 US 미국 DOCDBFAMILY
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