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다수의 홈이 형성된 p형 실리콘 기판;상기 홈 내부의 상기 기판 상에 형성된 활성층, n형 도핑층 및 투명 전극층을 구비하는 발광소자층; 및상기 p형 실리콘 기판 하부에 형성된 하부 메탈전극 및 상기 발광소자층 상부에 형성된 상부 메탈전극을 구비하는 메탈전극;을 포함하고,상기 홈의 측면은 상기 발광소자층과 이격되어 반사경으로 이용되는 측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 활성층의 상면으로 n형 도핑층 및 투명 전극층이 순차적으로 위치하며,상기 상부 메탈전극은 상기 투명 전극층 상에 형성되며, 상기 투명 전극층의 외곽 방향으로 고리 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자
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제2 항에 있어서,상기 발광소자층은 전체적으로 원기둥, 타원기둥 또는 직육면체 기둥 형상을 가지며,상기 상부 메탈전극은 원형, 타원형 또는 직사각형 고리 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자
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제1 항에 있어서,상기 홈의 측면은 상기 홈의 바닥면에 경사지게 형성되며,상기 홈의 바닥면과 90°미만의 경사를 가지는 것을 특징으로 하는 측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자
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제4 항에 있어서,상기 기판은 실리콘결정 성장방향이 100 면이고,상기 경사는 상기 기판을 비등방 습식 식각하여 형성된 것을 특징으로 하는 측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자
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제5 항에 있어서,상기 홈의 측면은 바닥면과 10°~ 80°경사를 가지는 것을 특징으로 하는 측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자
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제1 항에 있어서,상기 홈의 바닥면은 원형, 타원형 또는 직사각형 형태를 가지며, 상기 기판 상면으로부터 상기 홈의 깊이는 0
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8
제7 항에 있어서,상기 홈의 바닥면은 원형의 형태를 가지며,상기 원형의 지름은 0
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제7 항에 있어서,상기 발광소자층은 수평 단면이 상기 홈의 바닥면의 형태를 가진 기둥 형태로 형성되며, 상기 발광소자층의 두께는 상기 홈의 깊이 이하로 형성된 것을 특징으로 하는 측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자
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10
제1 항에 있어서,상기 활성층은 결정질 실리콘 나노점(silicon nano-size dots) 또는 비정질 실리콘 나노점으로 형성된 것을 특징으로 하는 측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자
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11
제1 항에 있어서,상기 활성층의 두께는 10 ㎚ ~ 100 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자
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12
제1 항에 있어서,상기 n형 도핑층은 n형 화합물 반도체 또는 n형 실리콘 반도체로 형성된 것을 특징으로 하는 측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자
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