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기판에 채널영역 및 상기 채널영역과 쇼트키접합(schottky junction)을 형성하는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
상기 기판상에 터널링절연막을 형성하는 단계;
상기 터널링절연막 상에 복수개의 실리콘나노점으로 구성된 플로팅게이트를 포함하는 실리콘화합물 기저체(basal body)를 형성하는 단계;
상기 실리콘화합물 기저체 상부에 제어게이트를 형성하는 단계; 및
상기 소스 및 드레인 전극이 노출되도록 상기 제어게이트, 플로팅게이트 및 터널링절연막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하고,
상기 실리콘나노점은 상기 실리콘화합물 기저체를 이용하여 형성된, 고집적 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 실리콘화합물 기저체 상부에 게이트절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 고집적 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 실리콘나노점은 상기 실리콘화합물 기저체 내부에서 성장되는 고집적 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,
상기 실리콘화합물 기저체는 실리콘산화물, 실리콘질화물 및 실리콘카본으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 형성하는 고집적 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 채널영역은 실리콘으로 형성하고, 상기 소스 및 드레인 전극을 금속실리사이드로 형성하는 고집적 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,
전자를 다수캐리어로 사용하는 경우, 상기 소스 및 드레인 전극은 어븀(Er), 이터븀(Yb), 사마륨(Sm), 이트륨(Y), 가돌륨(Gd), 터븀(Tb) 및 세륨(Ce)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용하여 형성하는 고집적 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,
정공을 다수캐리어로 사용하는 경우, 상기 소스 및 드레인 전극은 백금(Pt), 납(Pb) 및 이리듐(Ir)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용하여 형성하는 고집적 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 기판은 벌크(bulk)실리콘기판 또는 SOI(Silicon On Insulator) 기판으로 형성하는 고집적 반도체 메모리 소자의 제조방법
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