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광증폭 듀플렉서

  • 기술번호 : KST2015081417
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광 증폭기, 광 검출기 및 광 변조기가 모노리식 집적되어 RoF 링크 광전송기술에서 높은 RF 이득을 얻을 수 있는 광증폭 듀플렉서를 제공한다. 그 광증폭 듀플렉서는 기판; 기판 상에 형성된 적어도 1개의 물질층으로 이루어진 제1 에피층으로 형성되고, 제1 광도파로를 포함하는 분리영역; 제1 에피층 상에 형성된 적어도 1개의 물질층으로 이루어진 제2 에피층으로 형성되고, 광신호를 검출하고 변조하며 제2 광도파로를 포함하는 광검출변조부; 및 제2 에피층 상부로 형성된 적어도 1개의 물질층으로 이루어진 제3 에피층으로 형성되고, 광신호를 증폭하며 제2 및 제3 광도파로를 포함하는 광증폭부;를 구비하고, 광증폭부와 광검출변조부는 상기 분리 영역에서 전기적으로 분리되며, 광증폭부가 광검출변조부의 적어도 어느 일측으로 형성된다.광증폭 듀플렉서
Int. CL H01S 5/026 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060014685 (2006.02.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0759805-0000 (2007.09.12)
공개번호/일자 10-2007-0059816 (2007.06.12) 문서열기
공고번호/일자 (20070920) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050118639   |   2005.12.07
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.15)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강영식 대한민국 대전 서구
2 김제하 대한민국 대전 유성구
3 김성복 대한민국 대전 유성구
4 정용덕 대한민국 대전 서구
5 최광성 대한민국 서울 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0111574-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0001043-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0100603-25
5 의견서
Written Opinion		 2007.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0284233-58
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.04.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0284234-04
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0442063-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 1개 이상의 물질층으로 이루어진 제1 에피층으로 형성되고, 제1 광도파로를 포함하는 분리영역;상기 제1 에피층 상에 형성된 1개 이상의 물질층으로 이루어진 제2 에피층으로 형성되고, 광신호를 검출하고 변조하며 제2 광도파로를 포함하는 광검출변조부; 및상기 제2 에피층 상부로 형성된 1개 이상의 물질층으로 이루어진 제3 에피층으로 형성되고, 광신호를 증폭하며 제2 및 제3 광도파로를 포함하는 광증폭부;를 구비하고,상기 광증폭부와 광검출변조부는 상기 분리 영역에서 전기적으로 분리되며, 상기 광증폭부가 상기 광검출변조부의 어느 일측 또는 양측으로 형성된 광증폭 듀플렉서(duplexer)
2 2
제1 항에 있어서,상기 광증폭부는 상기 광검출변조부의 양측으로 각각 형성되며,광신호 진행방향으로의 광도파로들의 단면이 전체적으로 W형의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
3 3
제1 항에 있어서,상기 광도파로들은 제1, 제2 및 제3 광도파로 순으로 광 모드의 유효 굴절율이 높아지는 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
4 4
제1 항에 있어서,상기 제2 및 제3 광도파로는 리지(ridge) 형태를 가지며,상기 제2 및 제3 광도파로는 각각 너비가 2 ~ 3 ㎛ 이고 각각 두께가 1
5 5
제1 항에 있어서,상기 제1 광도파로는 너비가 2 ~ 5 ㎛이고 두께가 0
6 6
제1 항에 있어서,상기 제1 광도파로, 제2 광도파로 및 제3 광도파로 사이의 광 모드를 원활하게 이동시키기 위해 상기 광도파로들은 한쪽 끝단 또는 양쪽 끝단으로 광 모드 변환기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
7 7
제6 항에 있어서,상기 제3 광도파로는 상기 광검출변조부 방향으로 제3 광 모드 변환기가 형성되어 있고, 상기 광증폭부의 제2 광도파로는 상기 제1 광도파로 상부로 상기 광검출변조부 방향으로 제2-3 광 모드 변환기가 형성되며,상기 광검출변조부의 제2 광도파로는 상기 제1 광도파로 상부로 상기 광증폭부 방향으로 제2-2 광 모드 변환기가 형성된 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
8 8
제 6항에 있어서,광증폭부는 상기 제2 에피층 및 제3 에피층 사이의 제2-1 에피층으로 형성된 제2-1 광도파로를 더 포함하고,상기 제2-1 광도파로는 상기 제3 광도파로보다 더 길게 형성되어 있으며 상기 광검출변조부 방향으로 제2-1 광 모드 변환기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
9 9
제8 항에 있어서,상기 제3 광도파로로 입사한 광신호는 상기 제3 광 모드 변환기를 통해 상기 제2-1 광도파로로 광 모드가 이동되고,상기 제2-1 광도파로로 이동된 광 모드는 상기 제2-1 광 모드 변환기를 통해 상기 광증폭부의 제2 광도파로로 광 모드가 이동되며,상기 광증폭부의 제2 광도파로로 이동된 광 모드는 제2-3 광 모드 변환기를 통해 제1 광도파로로 광 모드가 이동되어,상기 제3 광도파로로부터 제1 광도파로까지 세 번에 걸쳐 광 모드의 이동이 있는 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
10 10
제8 항에 있어서,상기 광도파로들은 리지 형태이고,상기 광도파로들의 한 끝단 또는 양 끝단으로 형성된 광 모드 변환기들은 쐐기형태를 가지며,상기 제3 광 모드 변환기는 시작부분이 제3 광도파로의 너비와 같고 끝 부분은 0
11 11
제1 항에 있어서,상기 기판은 반절연(semi-insulator:SI) 인듐포스파이드(InP) 기판이고,상기 제1 에피층은 1
12 12
제11 항에 있어서,상기 제1 에피층은 상기 광검출변조부의 제2 광도파로 하부에서 n-메탈 컨택층의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
13 13
제1 항에 있어서,상기 광검출변조부는 양 끝단으로 광 모드를 원활하게 이동시키기 위한 제2-2 광 모드 변환기가 각각 형성되어 있고,상기 광검출변조부는 광신호를 검출하는 광 검출기와 광신호를 변조하는 광 변조기 사이의 전기적 분리를 위한 절연 트렌치가 형성된 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
14 14
제13 항에 있어서,상기 제2-2 광 모드 변환기와 상기 광 검출기 사이 및 상기 광 변조기와 상기 제2-2 광 모드 변환기 사이 중에 어느 한쪽 또는 양쪽에 전기적 분리를 위한 절연 트렌치가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
15 15
제13 항에 있어서,상기 광 검출기의 길이는 100 ㎛ 이하이고,상기 광 변조기의 길이는 600 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
16 16
제13 항 또는 제14 항에 있어서,상기 광검출변조부는 제2 광도파로의 상부 클래드층 상부로 1
17 17
제1 항에 있어서,상기 광 듀플렉서의 총 에피층의 두께는 3 ~ 5 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
18 18
제1 항에 있어서,상기 제2 에피층은 상부 부분에 p형 메탈 컨택층을 포함하며, 상기 광증폭부의 광신호를 증폭하는 광 증폭기는 상기 p형 메탈 컨택층 상부로 형성되고, 상기 광검출변조부의 광신호를 검출하고 변조하는 광 검출기 및 광 변조기는 상기 p형 메탈 컨택층 하부로 형성되어,상기 광 증폭기, 광 검출기 및 광 변조기는 동일 에피층으로 이루어진 p형 메탈 컨택층을 가지는 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
19 19
제18 항에 있어서,상기 p형 메탈 컨택층은 1
20 20
제1 항에 있어서,상기 제3 광도파로의 액티브 코어(active core)는 다중양자우물(multi-quantum well)이거나 벌크(bulk)로 형성된 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
21 21
제1 항에 있어서,상기 제3 광도파로의 액티브 코어는 1
22 22
제1 항에 있어서,상기 제3 광도파로 및 제2 광도파로의 액티브 코어는 광신호가 편광에 영향을 받지않도록 스트레인(strain)이 가해진 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
23 23
제1 항에 있어서,상기 광증폭부는 상기 제2 에피층과 제3 에피층 사이로 형성된 1개 이상의 물질층으로 이루어진 1개 이상의 에피층을 이용하여 형성된 1개 이상의 광도파로를 포함하는 것을 특징으로 하는 광증폭 듀플렉서
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1 JP04504968 JP 일본 FAMILY
2 JP19158351 JP 일본 FAMILY
3 US07583869 US 미국 FAMILY
4 US20070171515 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2007158351 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4504968 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2007171515 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7583869 US 미국 DOCDBFAMILY
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