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광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출레이저 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015081494
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 표면방출레이저에서 방출된 광을 효율적으로 검출하기 위한 광검출기와 표면방출레이저의 정확한 정렬(align)을 확보하는 표면방출 레이저 모듈 및 그 제조방법을 제공한다. 그 모듈 및 제조방법은 소정의 간격만큼 이격되어 배치된 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 기판의 제1 영역에 순차적으로 적층된 제1 거울층, 제1 전극층, 활성층, 터널접합층 및 제2 전극층과, 제1 영역의 제2 전극층 상의 일부 영역에 배치된 광검출기를 포함한다. 제2 영역의 기판의 제2 영역에는 제1 영역의 제1 거울층, 제1 전극층, 활성층, 터널접합층 및 제2 전극층과 동일한 형상을 이루는 층을 포함하며 제2 전극층 상의 일부 영역에 제2 거울층이 적층된 표면방출레이저를 포함하고, 이때 소정의 간격은 레이저에 의해 방출된 광이 광검출기에서 감지할 수 있는 정도이다. 표면방출레이저, 모듈, 광검출기
Int. CL H01S 5/183 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060060501 (2006.06.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0809413-0000 (2008.02.26)
공개번호/일자 10-2007-0061191 (2007.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20080305) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050120082   |   2005.12.08
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박미란 대한민국 대전 유성구
2 권오균 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0471379-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0039622-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0432683-10
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0696581-28
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0696582-74
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0025968-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이격되어 배치된 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 기판;상기 제1 영역의 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 거울층, 제1 전극층, 활성층, 터널접합층 및 제2 전극층;상기 제1 영역의 상기 제2 전극층 상의 일부 영역에 배치된 광검출기; 및상기 제2 영역의 상기 기판 상에 순차적으로 적층되고, 상기 제1 영역의 상기 제1 거울층, 제1 전극층, 활성층, 터널접합층 및 제2 전극층과 동일한 형상을 이루는 층을 포함하는 VCSEL을 포함하고;상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 상기 레이저에 의해 방출된 광이 상기 광검출기에서 감지할 수 있는 정도의 간격으로 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출 레이저
2 2
제1항에 있어서, 상기 광검출기는 PIN 반도체층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출 레이저
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 영역은, 상기 기판 상에 배치된 제1 거울층;상기 제1 거울층 상에 상기 레이저에 전류를 주입하기 위하여 배치된 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 위치하는 활성층;상기 제1 전극층에 대향하여 상기 활성층 상에 배치되어 전류를 주입하기 위한 제2 전극층; 상기 제2 전극층 상에 전류감금을 위한 터널접합층;상기 터널접합층 상에 전류를 주입하기 위한 또 다른 제2 전극층;상기 제2 전극층의 중앙부분이 노출되도록 상기 제2 전극층의 일부를 덮으면서 증착된 제3 금속전극층; 및상기 제2 전극층의 노출된 부분을 덮는 제2 거울층을 포함하고 상기 제2 거울층으로 레이저의 빛이 출력되는 것을 특징으로 하는 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출 레이저
4 4
제3항에 있어서, 상기 제2 전극층은 전류감금을 위한 터널접합층에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출 레이저
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 영역은 상기 제2 영역에 대하여 이격되어 배치되도록 상기 제2 영역을 둘러싸며 위치하는 것을 특징으로 하는 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출 레이저
6 6
제1항에 있어서, 상기 광검출기의 상부면에는 전류주입을 위한 제2 금속전극층을 더 포함하고, 상기 광검출기 하부의 제2 전극층 상에 배치된 제1 금속전극층과 더불어 상기 광검출기에 전류를 주입하는 것을 특징으로 하는 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출 레이저
7 7
제1항에 있어서, 상기 VCSEL에 의해 방출된 광의 일부가 반사되어 상기 광검출기에서 감지할 수 있도록 상기 광검출기의 상부에 광학 렌즈가 형성된 덮개를 더 포함하는 TO-캔을 구비한 수직 공진 표면방출 레이저
8 8
반도체 기판 상에 제1 거울층, 제1 전극층, 활성층, 제2 전극층, 터널접합층, 제2 전극층, n 도핑층, 도핑되지 않은 층 및 p 도핑층을 순차적으로 적층하는 단계;제2 영역에서 방사된 빛이 제1 영역의 n 도핑층, 도핑되지 않은 층 및 p 도핑층에 입사될 수 있도록 제1 영역과 제2 영역으로 분리하는 단계; 및상기 제2 영역을 식각방지막으로 덮고, 상기 제1 영역의 제2 전극층 상의 일부영역에 한정되도록 n 도핑층, 도핑되지 않은 층 및 p 도핑층을 식각하여 광검출기를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출 레이저의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 식각 단계 이후에,상기 제1 영역을 식각방지막으로 덮고, 상기 제2 영역의 제1 전극층이 노출되도록 상기 제2 영역의 활성층, 제2전극층, 터널접합층을 식각하는 것을 특징으로 하는 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출 레이저의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 식각 단계 이후에,상기 제2 영역의 제2 전극층의 중앙부분이 노출되도록 상기 제2 전극층의 일부를 덮는 제3 금속전극층과 노출된 제1 전극층의 일부를 덮는 제4 금속전극층을 증착하는 단계; 및상기 노출된 제2 전극층과 제3 금속층의 일부를 덮는 제2 거울층을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출 레이저의 제조방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 분리하는 단계는,상기 제2 영역의 주변에 상기 제2 영역에 대하여 상기 제1 영역이 이격되어 배치되도록 형성하는 것; 및상기 제1 영역과 제2 영역이 절연막으로 절연되는 것을 특징으로 하는 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출 레이저의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07804875 US 미국 FAMILY
2 US20070133642 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2007133642 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7804875 US 미국 DOCDBFAMILY
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