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양자점을 포함하는 반도체 레이저 구조물

  • 기술번호 : KST2015081720
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 분포 귀환형 반도체 레이저 구조물에 관한 것으로, 본 반도체 레이저 구조물은 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 형성되는 제1 리지도파로; 상기 제1 리지도파로 상에 형성되는 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 제2 리지도파로; 상기 제2 리지도파로 상에 형성되는 제2 클래드층; 및 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹콘택층을 포함하며, 상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층 중 적어도 어느 하나에 형성되며, 상기 제1 리지 도파로 또는 상기 제2 리지 도파로와 소정 각도를 이루면서 상기 제1 리지 도파로 또는 상기 제2 리지 도파로의 길이 방향을 따라 주기적으로 배치되는 복수의 그레이팅을 포함한다. 이에 따라, 대량생산이 가능한 일반적인 홀로그램 리소그래피 공정을 적용할 수 있어 공정시간을 단축할 수 있으며, 완전한 단일 파장을 얻기 위한 추가적인 공정이 필요 없는 양자점 활성층을 사용하는 분포귀환형 반도체 레이저 구조물을 제공할 수 있다. 단일파장, 분포귀환형, 그레이팅, 리지 도파로, 각도
Int. CL H01S 5/12 (2006.01)
CPC H01S 5/1237(2013.01) H01S 5/1237(2013.01) H01S 5/1237(2013.01) H01S 5/1237(2013.01)
출원번호/일자 1020060084913 (2006.09.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0766084-0000 (2007.10.04)
공개번호/일자 10-2007-0058960 (2007.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20071012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050117714   |   2005.12.05
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.05)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오대곤 대한민국 대전 유성구
2 이진홍 대한민국 대전 유성구
3 김진수 대한민국 대전 서구
4 홍성의 대한민국 대전 중구
5 곽호상 대한민국 충남 천안시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0639596-08
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0039937-55
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0500494-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 클래드층;상기 제1 클래드층 상에 형성되는 제1 리지도파로;상기 제1 리지도파로 상에 형성되는 활성층;상기 활성층 상에 형성되는 제2 리지도파로;상기 제2 리지도파로 상에 형성되는 제2 클래드층; 및 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹콘택층을 포함하며, 상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층 중 적어도 어느 하나에 형성되며, 상기 제1 리지 도파로 또는 상기 제2 리지 도파로와 소정 각도를 이루면서 상기 제1 리지 도파로 또는 상기 제2 리지 도파로의 길이 방향을 따라 주기적으로 배치되는 복수의 그레이팅을 포함하는 반도체 레이저 구조물
2 2
제1항에 있어서,상기 그레이팅과 상기 리지 도파로가 이루는 각도(θ)는 (W = 리지 도파로의 공진폭, λ = 파장)인반도체 레이저 구조물
3 3
제1항에 있어서, 상기 그레이팅의 주기(τ)는 ( n = 1,2,3
4 4
제1항에 있어서, 상기 활성층은 적어도 하나의 양자점을 포함하는 반도체 레이저 구조물
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07606284 US 미국 FAMILY
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2007133639 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7606284 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.