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n-형 CIS와 p-형 CuSe를 이용한 이종접합다이오드

  • 기술번호 : KST2015081990
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 n-형 CIS와 p-형 CuSe를 이용한 이종접합 다이오드를 제공한다. 본 발명의 이종접합 다이오드는 기판; 상기 기판 상에 형성된 n-형의 CIS층; 상기 n-형의 CIS층 상에 형성된 p-형의 CuSe층; 상기 n-형의 CIS 층과 전기적으로 연결된 제1 전극층; 및 상기 p-형의 CuSe 층과 전기적으로 연결된 제2 전극;을 포함한다. 이와 같은 n-형 CIS와 p-형 CuSe를 이용한 이종접합 다이오드는 정류특성을 가질 뿐만 아니라 빛을 조사할 경우 빛을 조사하지 않은 경우에 비하여 전류의 크기가 더 세지는 광특성을 보인다. n-형 CIS, p-형 CuSe, 이종접합 다이오드, 광특성
Int. CL H01L 31/103 (2006.01) H01L 31/0272 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 31/14 (2006.01)
CPC H01L 31/0272(2013.01) H01L 31/0272(2013.01) H01L 31/0272(2013.01) H01L 31/0272(2013.01)
출원번호/일자 1020060120079 (2006.11.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0859708-0000 (2008.09.17)
공개번호/일자 10-2008-0049474 (2008.06.04) 문서열기
공고번호/일자 (20080923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상수 대한민국 대전광역시 유성구
2 송기봉 대한민국 대전광역시 서구
3 조두희 대한민국 대전광역시 유성구
4 김경암 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0891712-53
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2006.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-5096792-42
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2007-0056871-84
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0644269-82
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.12.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0950433-72
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0950430-35
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0274233-50
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.06.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0027000-41
10 등록결정서
Decision to grant
2008.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0429624-90
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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3 3
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5 5
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6 6
기판;상기 기판 상에 형성된 n-형의 전도도를 갖는 CIS층; 및상기 CIS층 상에 형성된 p-형의 전도도를 갖는 CuSe층; 을 포함하는 이종접합 다이오드
7 7
기판;상기 기판 상에 형성된 p-형의 전도도를 갖는 CuSe층; 및상기 CuSe층 상에 형성된 n-형의 전도도를 갖는 CIS층;을 포함하는 이종접합 다이오드
8 8
제6 항 또는 제7 항에 있어서, 상기 CIS층과 전기적으로 연결된 제1 전극; 및상기 CuSe층과 전기적으로 연결된 제2 전극;을 더 포함하는 특징으로 하는 이종접합 다이오드
9 9
제6 항 또는 제7 항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 다이오드
10 10
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11 11
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12 12
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13 13
제8 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 Au를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.