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비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014032291
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 기술은 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술은 비휘발성 메모리 셀에 있어서, 기판 상에 형성된 반도체막, 버퍼막, 유기 강유전체막 및 게이트 전극을 포함하는 메모리 트랜지스터; 및 상기 기판 상에 형성된 상기 반도체막, 상기 버퍼막, 게이트 절연막 및 상기 게이트 전극을 포함하는 구동 트랜지스터를 포함한다. 본 기술에 따르면, 동일한 기판상에 형성된 메모리 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 구비하며, 가시광 영역에서 투명한 비휘발성 메모리 셀을 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/8242 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020100029135 (2010.03.31)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1343569-0000 (2013.12.13)
공개번호/일자 10-2011-0021632 (2011.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20131220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090078459   |   2009.08.25
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.31)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤성민 대한민국 대전광역시 서구
2 변춘원 대한민국 대전광역시 유성구
3 양신혁 대한민국 경기 용인시 수지구
4 박상희 대한민국 대전광역시 유성구
5 정순원 대한민국 대전광역시 유성구
6 강승열 대한민국 대전광역시 유성구
7 황치선 대한민국 대전광역시 유성구
8 유병곤 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문용호 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
2 이용우 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
3 강신섭 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0205344-25
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0446323-18
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0298200-78
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0567710-37
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0567813-31
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0900649-17
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0835215-59
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 차례로 적층된 반도체막, 버퍼막, 유기 강유전체막 및 게이트 전극을 포함하는 메모리 트랜지스터; 및상기 기판 상에 차례로 적층된 상기 반도체막, 상기 버퍼막, 게이트 절연막 및 상기 게이트 전극을 포함하는 구동 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 메모리 셀
2 2
제1항에 있어서,상기 버퍼막은,상기 반도체막과 상기 유기 강유전체막 사이에 개재되어, 상기 유기 강유전체막으로부터의 누설 전류를 차단하는비휘발성 메모리 셀
3 3
제1항에 있어서,상기 버퍼막은,실리콘 계열 절연막, 실리케이트 절연막 또는 알루미늄 산화막으로 형성된비휘발성 메모리 셀
4 4
제1항에 있어서,상기 버퍼막의 두께는 4 내지 10nm인비휘발성 메모리 셀
5 5
제1항에 있어서,상기 유기 강유전체막은,poly vinylidene fluoride로 형성되거나, poly vinylidene fluoride와 Trifluoroethylene의 공중합체로 형성된비휘발성 메모리 셀
6 6
제1항에 있어서,상기 기판은 유리 또는 플라스틱으로 형성된비휘발성 메모리 셀
7 7
제1항에 있어서,상기 반도체막은 투명한 반도체성 산화물 박막으로 형성된비휘발성 메모리 셀
8 8
제1항에 있어서,상기 반도체막의 두께는 5 내지 20nm인 비휘발성 메모리 셀
9 9
제1항에 있어서,상기 기판 상에 소정 간격으로 형성된 복수의 소오스 및 드레인 전극; 및상기 복수의 소오스 및 드레인 전극에 연결된 복수의 소오스 및 드레인 전극 패드를 더 포함하는 비휘발성 메모리 셀
10 10
제9항에 있어서,상기 메모리 트랜지스터의 소오스 및 드레인 전극 패드는 상기 유기 강유전체막을 관통하는 콘택 플러그에 의해 상기 소오스 및 드레인 전극에 연결되고,상기 구동 트랜지스터의 소오스 및 드레인 전극 패드는 상기 게이트 절연막을 관통하는 콘택 플러그에 의해 상기 소오스 및 드레인 전극에 연결된비휘발성 메모리 셀
11 11
제9항에 있어서,상기 유기 강유전체막은 상기 메모리 트랜지스터의 채널 영역에 한해 형성되고,상기 메모리 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 소오스 및 드레인 전극 패드는 상기 게이트 절연막을 관통하는 콘택 플러그에 의해 상기 소오스 및 드레인 전극에 연결된비휘발성 메모리 셀
12 12
제9항에 있어서,상기 게이트 절연막은 상기 구동 트랜지스터의 채널 영역에 한해 형성되고,상기 메모리 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 소오스 및 드레인 전극 패드는 상기 유기 강유전체막을 관통하는 콘택 플러그에 의해 상기 소오스 및 드레인 전극에 연결된비휘발성 메모리 셀
13 13
제9항에 있어서,상기 반도체막 및 유기 강유전체막은,상기 소오스 및 드레인 전극 사이의 상기 기판 상에 형성되며, 상기 소오스 및 드레인 전극의 측벽 및 상부 일부를 덮도록 형성된비휘발성 메모리 셀
14 14
제9항에 있어서,상기 소오스 및 드레인 전극 및 상기 소오스 및 드레인 전극 패드는, 투명한 전도성 산화물 박막으로 형성된비휘발성 메모리 셀
15 15
제1항에 있어서,상기 메모리 트랜지스터 및 구동 트랜지스터는 동일한 기판 상에 형성된비휘발성 메모리 셀
16 16
제1항에 있어서,상기 비휘발성 메모리 셀은 투명한 비휘발성 메모리 셀인비휘발성 메모리 셀
17 17
제1항에 있어서,상기 비휘발성 메모리 셀은,상기 메모리 트랜지스터의 상기 게이트 전극에 인가되는 쓰기 전압에 따라 상기 메모리 셀의 출력 단자를 통해 출력되는 전류의 값을 변조하는비휘발성 메모리 셀
18 18
메모리 트랜지스터 영역 및 구동 트랜지스터 영역을 포함하는 기판상에 소정 간격으로 복수의 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소오스 및 드레인 전극 사이에 노출된 기판상에 반도체막 및 버퍼막을 형성하는 단계;상기 버퍼막이 형성된 결과물 상에 유기 강유전체막을 형성하는 단계;상기 구동 트랜지스터 영역에 형성된 상기 유기 강유전체막을 선택적으로 제거하는 단계;상기 유기 강유전체막이 선택적으로 제거된 결과물 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 복수의 소오스 및 드레인 전극과 각각 연결되는 복수의 소오스 및 드레인 전극 패드를 형성하는 단계; 및상기 메모리 트랜지스터의 유기 강유전체막 상부 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 셀 제조 방법
19 19
제18항에 있어서,상기 반도체막 및 버퍼막 형성 단계는,상기 복수의 소오스 및 드레인 전극이 형성된 결과물의 전면을 따라 반도체용 물질막을 형성하는 단계;상기 반도체용 물질막 상에 버퍼용 물질막을 형성하는 단계; 및상기 버퍼용 물질막 및 반도체용 물질막을 식각하여 상기 메모리 트랜지스터 및 구동 트랜지스터의 채널 영역에 상기 버퍼막 및 반도체막을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 셀 제조 방법
20 20
제18항에 있어서,상기 유기 강유전체막을 선택적으로 제거하는 단계는,상기 유기 강유전체막이 형성된 결과물 상에 상기 메모리 트랜지스터의 게이트 전극 영역을 덮는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 식각베리어로 상기 유기 강유전체막을 식각하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 셀 제조 방법
21 21
제20항에 있어서,상기 소오스 및 드레인 전극 패드 형성 단계는,상기 게이트 절연막을 식각하여 상기 소오스 및 드레인 전극 표면을 각각 노출시키는 복수의 비아 홀을 형성하는 단계;상기 복수의 비아 홀 내에 도전막을 매립하여 상기 소오스 및 드레인 전극과 각각 연결되는 복수의 콘택 플러그를 형성하는 단계; 및상기 복수의 콘택 플러그 상에 복수의 소오스 및 드레인 전극 패드를 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 셀 제조 방법
22 22
제18항에 있어서,상기 유기 강유전체막을 선택적으로 제거하는 단계는,상기 유기 강유전체막이 형성된 결과물 상에 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 영역 및 콘택 플러그 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 식각베리어로 상기 유기 강유전체막을 식각하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 셀 제조 방법
23 23
제22항에 있어서,상기 소오스 및 드레인 전극 패드 형성 단계는,상기 콘택 플러그 영역에 형성된 상기 게이트 절연막을 제거하여 상기 소오스 및 드레인 전극 표면을 각각 노출시키는 복수의 비아 홀을 형성하는 단계;상기 복수의 비아 홀 내에 도전막을 매립하여 상기 소오스 및 드레인 전극과 각각 연결되는 복수의 콘택 플러그를 형성하는 단계; 및상기 복수의 콘택 플러그 상에 복수의 소오스 및 드레인 전극 패드를 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 셀 제조 방법
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2 JP05417275 JP 일본 FAMILY
3 JP23049537 JP 일본 FAMILY
4 US08558295 US 미국 FAMILY
5 US08716035 US 미국 FAMILY
6 US20110049592 US 미국 FAMILY
7 US20140011297 US 미국 FAMILY

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3 JP5417275 JP 일본 DOCDBFAMILY
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5 US8558295 US 미국 DOCDBFAMILY
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