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투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014045267
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터에 대한 것으로, 이 소자는투명 기판 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 투명 반도체 박막, 상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막, 그리고 상기 유기 강유전체 박막 위에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 형성되어있는 게이트 전극을 포함한다. 따라서, 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터는 유기물 강유전체 박막과 산화물 반도체 박막을 사용하고, 상기 유기물 강유전체 박막 하부 및 상에 보조 절연막을 형성함으로써, 저온 공정이 가능하고 저렴하게 제작이 가능한 투명 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다.투명, 비휘발성, 메모리, 유기 강유전체, 산화물 반도체
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01)
출원번호/일자 1020090026068 (2009.03.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1201891-0000 (2012.11.09)
공개번호/일자 10-2010-0107799 (2010.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20121116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.26)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤성민 대한민국 대전광역시 서구
2 양신혁 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 정순원 대한민국 대전광역시 유성구
4 강승열 대한민국 대전광역시 유성구
5 조두희 대한민국 대전광역시 유성구
6 변춘원 대한민국 대전광역시 유성구
7 황치선 대한민국 대전광역시 유성구
8 유병곤 대한민국 대전광역시 유성구
9 조경익 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0183790-45
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0207668-75
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0397442-73
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0397449-92
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0641827-07
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극;상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 투명 반도체 박막;상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막; 그리고상기 유기 강유전체 박막 위에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 형성되어있는 게이트 전극을 포함하는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 제1 보조 절연막을 더 포함하는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서, 상기 유기 강유전체 박막 위에 형성되어 있는 제2 보조 절연막을 더 포함하는투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극은 투명한 전도성 산화물 박막으로 형성되어 있는투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터
5 5
제3항에 있어서, 상기 투명 반도체 박막은 투명한 산화물 반도체 박막으로 형성되어 있는투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터
6 6
제5항에 있어서, 상기 산화물 반도체 박막은 아연 산화물 (ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물 (In-Ga-Zn-O), 아연-주석 산화물 (Zn-Sn-O) 및 아연, 인듐, 갈륨, 주석, 알루미늄 중 적어도 두 개의 원소가 포함되는 산화물을 포함하는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터
7 7
제3항에 있어서, 상기 유기 강유전체 박막은 poly(vinylidene fluoride-trifluorotethylene) [P(VDF -TrFE)]의 공중합체로 구성되어 있는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터
8 8
제3항에 있어서, 상기 유기 강유전체 박막은 상기 상기 소스 및 드레인 전극을 노출하는 비아홀을 포함하며,상기 비아홀을 매립하며 상기 유기 강유전체 박막 위에 형성되어 있는 패드를 더 포함하는투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터
9 9
삭제
10 10
투명 기판 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 전극 상의 일부와 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 기판 상에 투명 반도체 박막을 형성하는 단계;상기 투명 반도체 박막 상에 유기 강유전체 박막을 형성하는 단계; 그리고상기 유기 강유전체 박막 상에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 투명 반도체 박막 상에 제1 보조 절연막을 형성하는 단계; 및상기 제1 보조 절연막과 상기 투명 반도체 박막을 패터닝하여 게이트 영역을정의하는 단계를 더 포함하는투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 유기 강유전체 박막 상에 제2 보조 절연막을 형성하는 단계; 및상기 제2 보조 절연막과 상기 유기 강유전체 박막에 상기 소스 및 드레인 전극을 노출하는 비아홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 투명한 전도성 산화물 박막으로 형성하는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 투명 반도체 박막을 투명한 산화물 반도체로 형성하는투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 투명 반도체 박막의 두께는 5nm 이상 20nm 이하의 범위에서 형성하는투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터의 제조 방법
16 16
제13항에 있어서, 상기 유기 강유전체 박막은 poly(vinylidene fluoride-trifluorotethylene) [P(VDF -TrFE)]의 공중합체로 형성하는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터의 제조 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 유기 강유전체 박막은 스핀 코팅 방법에 의해 형성하는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터의 제조 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 유기 강유전체 박막은 120oC 내지 200oC의 온도 범위에서 결정화하는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터의 제조 방법
19 19
제17항에 있어서, 상기 유기 강유전체 박막의 두께는 20nm 이상 200nm 이하의 범위에서 형성하는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터의 제조 방법
20 20
제12항에 있어서, 상기 제1 보조 절연막 및 상기 제2 보조 절연막의 두께의 합은 3nm 이상 10 nm 이하의 범위에서 형성하는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터의 제조 방법
21 21
제12항에 있어서, 상기 제1 보조 절연막 및 상기 제2 보조 절연막의 비유전율은 20 이상으로 형성하는 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터의 제조 방법
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2 US08476106 US 미국 FAMILY
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4 US8476106 US 미국 DOCDBFAMILY
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