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기판 상부에 정전력형 물리량 감지센서의 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극을 포함하는 결과물 전면에 제1희생층을 형성하는 단계;상기 제1전극 상부 영역의 상기 제1희생층에 불순물도핑층을 형성하는 단계;상기 불순물도핑층을 포함하는 결과물의 전면에 제2희생층을 형성하는 단계;상기 제2희생층 상부에 정전력형 물리량 감지센서의 제2전극을 포함하는 부양구조물을 형성하는 단계;상기 제2희생층 및 제1희생층을 선택적으로 식각하여 상기 불순물도핑층의 측벽이 노출되도록 식각홀을 형성하는 단계; 및상기 불순물도핑층과 상기 불순물도핑층과 접하는 제1희생층 및 제2희생층을 선택적으로 습식식각하여, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 공기간극을 형성하는 단계를 포함하는 다기능 MEMS 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 불순물도핑층은 P2O5층 또는 B2O3층 중 어느 하나로 형성하는 다기능 MEMS 센서의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 P2O5층은 POCl3를 이용하여 형성하는 다기능 MEMS 센서의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 B2O3층은 BBr3을 이용하여 형성하는 다기능 MEMS 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1희생층 및 제2희생층은 산화물이며 상기 습식식각은 HF 용액을 사용하여 실시하는 다기능 MEMS 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1전극 상에 복수개의 스톱퍼(stopper)를 형성하는 단계를 더 포함하는 다기능 MEMS 센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 스톱퍼를 형성하는 단계는,상기 제1전극 상에 질화막 및 폴리실리콘막을 차례로 형성하는 단계; 및상기 질화막 및 폴리실리콘막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하는 다기능 MEMS 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 부양구조물을 형성하는 단계는,상기 제2전극 상부에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상부에 가스센서용 감지전극을 형성하는 단계;상기 절연막 상부에 상기 가스센서용 감지전극을 둘러싸도록 히터를 형성하는 단계; 및상기 가스센서용 감지전극 상에 가스감응막을 형성하는 단계를 포함하는 다기능 MEMS 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 부양구조물은 멤브레인(membrane), 캔틸레버(cantilever) 및 브릿지(bridge)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 형태로 형성하는 다기능 MEMS 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 정전력형 물리량 감지센서는 음향 또는 진동중 어느 하나를 감지하는 다기능 MEMS 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판 상부에 온도센서 및 습도센서을 형성하는 단계를 더 포함하는 다기능 MEMS 센서의 제조방법
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