요약 | 본 발명은 마이크로 히터를 이용하여 금속 산화물 나노 소재를 선택적으로 증착하는 방법과 이를 이용한 가스 센서에 관한 것이다. 가스센서의 감지물질로서 나노 소재를 이용하기 위해, 본 발명은 마이크로 히터를 이용하여 기판의 일부분에만 금속 산화물 나노 소재의 성장 온도를 유지함으로써 나노 소재를 선택적으로 성장시키는 증착방법 및 이를 이용한 가스센서를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 마이크로 히터를 이용하여 금속 산화물 나노 소재를 선택적으로 증착하는 방법은, 중앙영역이 제거된 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계와, 상기 중앙영역 부분의 상기 멤브레인 상부에 마이크로히터 전극을 형성하는 단계와, 상기 마이크로히터 전극을 감싸는 절연막을 상기 멤브레인의 상부에 형성하는 단계와, 상기 마이크로히터 전극 부분의 절연막 상부에 감지 전극을 형성하는 단계와, 상기 감지 전극 상부에 금속 산화물 나노 소재를 증착하는 단계를 포함한다. 반도체식 가스센서, 금속 산화물, 나노 소재 |
---|---|
Int. CL | H01L 21/20 (2011.01) H01L 29/84 (2011.01) H01L 21/205 (2011.01) H01L 21/203 (2011.01) |
CPC | C23C 16/047(2013.01) C23C 16/047(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020070126490 (2007.12.07) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-0932522-0000 (2009.12.09) |
공개번호/일자 | 10-2009-0059568 (2009.06.11) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20091217) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.12.07) |
심사청구항수 | 8 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 문승언 | 대한민국 | 대전 유성구 |
2 | 박종혁 | 대한민국 | 대구 동구 |
3 | 이홍열 | 대한민국 | 충북 청주시 상당구 |
4 | 박소정 | 대한민국 | 경기 이천시 |
5 | 곽준혁 | 대한민국 | 경북 경산시 |
6 | 맹성렬 | 대한민국 | 충북 청주시 흥덕구 |
7 | 박강호 | 대한민국 | 대전 유성구 |
8 | 김종대 | 대한민국 | 대전 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 신영무 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 주식회사 스마트센서 | 인천광역시 부평구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.12.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0880593-93 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.12.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.01.02 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0000254-57 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.06.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0257179-73 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.08.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0489312-33 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.08.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0489348-76 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0495564-64 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 마이크로 히터를 이용하여 금속 산화물 나노 소재를 선택적으로 증착하는 방법에 있어서, 중앙영역이 제거된 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계와, 상기 중앙영역 부분의 상기 멤브레인 상부에 마이크로히터 전극을 형성하는 단계와, 상기 마이크로히터 전극을 감싸는 절연막을 상기 멤브레인의 상부에 형성하는 단계와, 상기 마이크로히터 전극 부분의 절연막 상부에 감지 전극을 형성하는 단계와, 상기 금속 산화물 나노 소재에 대응하는 금속 산화물 전구체와 촉매를 혼합하여 용액을 제조하는 단계와, 상기 용액에 상기 기판을 침수시키는 단계와, 상기 마이크로히터 전극을 통해 상기 금속 산화물 나노 소재가 성장될 부분에만 특정 온도를 유지함으로써 상기 금속 산화물 나노 소재를 성장시키는 단계와, 성장된 상기 금속 산화물 나노 소재에 대해 산소 플라즈마 또는 UV/O3 처리를 수행하는 단계 를 포함하는, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 제1항에 있어서, 성장된 상기 금속 산화물 나노 소재에 대해 상기 마이크로히터 전극을 이용한 급속 열처리를 수행하는 단계를 더 포함하는, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 마이크로 히터를 이용하여 금속 산화물 나노 소재를 선택적으로 증착하는 방법에 있어서, 중앙영역이 제거된 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계와, 상기 중앙영역 부분의 상기 멤브레인 상부에 마이크로히터 전극을 형성하는 단계와, 상기 마이크로히터 전극을 감싸는 절연막을 상기 멤브레인의 상부에 형성하는 단계와, 상기 마이크로히터 전극 부분의 절연막 상부에 감지 전극을 형성하는 단계와, 발열체를 갖는 반응로 내부에 상기 기판과 반응소스를 이격시켜 배치하는 단계와, 상기 발열체를 통해 상기 반응소스를 가열하고 상기 마이크로히터 전극을 통해 상기 기판에서 상기 금속 산화물 나노 소재가 성장될 부분에만 가열하는 단계와, 상기 반응로에 비활성 운반가스를 유입하는 단계 를 포함하는, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법 |
7 |
7 제6항에 있어서, 상기 반응소스는 금속산화물 분말 또는 금속산화물의 성분요소인 금속 분말이며, 상기 반응소스의 가열 온도는 800~1000℃ 인, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법 |
8 |
8 제6항에 있어서, 상기 비활성 운반가스는 아르곤(Ar)이며, 상기 비활성 운반가스의 유량은 성장 시간동안 일정하게 유지되는, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법 |
9 |
9 마이크로 히터를 이용하여 금속 산화물 나노 소재를 선택적으로 증착하는 방법에 있어서, 중앙영역이 제거된 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계와, 상기 중앙영역 부분의 상기 멤브레인 상부에 마이크로히터 전극을 형성하는 단계와, 상기 마이크로히터 전극을 감싸는 절연막을 상기 멤브레인의 상부에 형성하는 단계와, 상기 마이크로히터 전극 부분의 절연막 상부에 감지 전극을 형성하는 단계와, 진공 챔버내부에 상기 기판과 타겟을 이격시켜 배치하는 단계와, 비활성가스 또는 산화성 가스로 상기 진공 챔버를 채우는 단계와, 상기 마이크로히터 전극을 통해 상기 기판에서 상기 금속 산화물 나노 소재가 성장될 부분에만 가열하는 단계와, 레이져를 상기 타겟에 입사하여 플룸을 발생시키는 단계 를 포함하는, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법 |
10 |
10 제9항에 있어서, 상기 타겟은 금속산화물 분말 또는 금속산화물의 성분요소인 금속 분말인, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법 |
11 |
11 제1항, 제4항, 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따라 증착된 금속 산화물 나노 소재를 이용하는 가스센서 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 | 한국전자통신연구원 | IT원천기술개발 | 유비쿼터스 단말용 부품 모듈 |
특허 등록번호 | 10-0932522-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20071207 출원 번호 : 1020070126490 공고 연월일 : 20091217 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091130 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01L 21/20 발명의 명칭 : 마이크로 히터를 이용한 금속 산화물 나노 소재의 선택적증착방법 및 이를 이용한 가스센서 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
2 |
(의무자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
2 |
(권리자) 주식회사 스마트센서 인천광역시 부평구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 178,500 원 | 2009년 12월 10일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 194,000 원 | 2012년 11월 29일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 194,000 원 | 2013년 11월 28일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 135,800 원 | 2014년 11월 28일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 366,000 원 | 2015년 11월 19일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 398,940 원 | 2017년 02월 27일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 376,980 원 | 2017년 12월 26일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 312,500 원 | 2018년 12월 05일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 312,500 원 | 2019년 11월 27일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.12.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0880593-93 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.12.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2009.01.02 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0000254-57 |
4 | 의견제출통지서 | 2009.06.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0257179-73 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.08.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0489312-33 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.08.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0489348-76 |
8 | 등록결정서 | 2009.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0495564-64 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1445006473 |
---|---|
세부과제번호 | 2006-S-006-02 |
연구과제명 | 유비쿼터스단말용부품/모듈 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2007 |
연구기간 | 200703~200802 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415100592 |
---|---|
세부과제번호 | KI001602 |
연구과제명 | 유비쿼터스단말용부품/모듈 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200603~201002 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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