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반도체 장치 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015083458
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 장치 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 방법은 기판 내에 국부적으로 매몰 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 기판을 식각하여 상기 매몰 절연막을 노출하는 개구부를 형성하여, 상기 매몰 절연막 상에 적어도 일 방향으로 상기 기판으로부터 이격된 실리콘 패턴이 형성된다. 상기 실리콘 패턴을 둘러싸는 제 1 절연막이 형성된다. 국부 소이 구조, 매몰 절연막
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070132314 (2007.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0937599-0000 (2010.01.12)
공개번호/일자 10-2009-0064929 (2009.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20100120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.17)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권오균 대한민국 대전 유성구
2 서동우 대한민국 대전 유성구
3 표정형 대한민국 서울 마포구
4 김경옥 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0905868-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.02.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0008460-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0272108-49
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0474784-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.08.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0474783-73
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0531469-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 내에 국부적으로 매몰 절연막을 형성하는 단계; 상기 기판을 식각하여 상기 매몰 절연막을 노출하는 개구부를 형성하여, 상기 매몰 절연막 상에 적어도 일 방향으로 상기 기판으로부터 이격된 실리콘 패턴을 형성하는 단계; 상기 매몰 절연막을 제거하여 상기 실리콘 패턴 하부에 에어 갭을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 패턴을 둘러싸는 제 1 절연막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 에어 갭은 상기 개구부와 소통되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연막은 열산화 공정을 수행하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 패턴 및 상기 기판 사이의 상기 제 1 절연막은 갭 영역을 정의하고, 상기 갭 영역을 포함하여 상기 제 1 절연막 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 형성 방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 매몰 절연막은 습식식각 공정을 수행하는 것에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연막을 형성하는 단계는 기상증착 공정을 수행하는 것에 의해 상기 에어 갭 및 상기 개구부를 채우는 충진 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 매몰 절연막을 형성하는 단계는: 상기 기판 상에 이온주입 마스크를 형성하는 단계; 상기 이온주입 마스크를 사용하여 상기 기판 내에 이온을 주입하여 이온 주입층을 형성하는 단계; 및 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 이온은 산소 또는 질소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 개구부는 상기 매몰 절연막의 가장자리를 노출하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성 방법
10 10
기판; 기판 상에 위치하고, 상기 기판과 마주보는 하부면과 측벽들을 갖는 실리콘 패턴; 및 상기 기판과 상기 실리콘 패턴 사이에 개재하여 상기 실리콘 패턴의 하부면 및 측벽들과 접하는 절연막 패턴을 포함하되, 상기 절연막 패턴은, 상기 기판과 상기 실리콘 패턴 사이에 개재하여 상기 실리콘 패턴의 하부면 및 측벽들과 접하고, 상기 실리콘 패턴의 측벽들과 상기 기판 사이에 갭 영역을 정의하되, 상기 실리콘 패턴에 인접하여 오목한 형태의 상부면을 가지는 제 1 절연패턴; 및 상기 갭 영역 내에 배치되며 상기 제 1 절연 패턴의 오목한 형태의 상부면과 접하며 상기 실리콘 패턴 및 상기 기판으로부터 이격된 제 2 절연 패턴을 포함하고, 상기 제 1 절연 패턴 및 상기 제 2 절연 패턴은 서로 다른 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 절연막 패턴은 "凹"형 단면을 갖고, 상기 실리콘 패턴은 상기 절연막 패턴의 오목한 부분에 삽입된 것을 특징으로 하는 반도체 장치
12 12
삭제
13 13
제 10 항에 있어서, 상기 실리콘 패턴은 상기 절연막 패턴 상에 복수 개 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
14 14
제 10 항에 있어서, 상기 기판은 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하고, 상기 실리콘 패턴 및 상기 절연막 패턴은 상기 제 1 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 제 1 영역에 광소자가 배치되고, 상기 제 2 영역에 전자소자가 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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3 US7790567 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8183633 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC