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광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015084450
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고속 광통신 시스템의 핵심 소자로서 요구되고 있는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 광변조기 부분에서 빛이 출력되는 면을 광도파로 방향에 대해 비스듬하게 경사진 면으로 형성하여 다시 광도파로로 재입사되는 빛의 양을 줄일 수 있는 반도체 소자를 제공한다. 본 발명에 의하면 광출력단에서 반사되는 빛의 위상을 조절하여 다시 분포궤환형 레이저에 입사되더라도 레이저의 동작 특성을 변화시키지 않도록 하여 반도체 소자가 안정적인 변조 광출력을 낼 수 있도록 한다.광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드, 반사광, 주파수 응답 특성, 재입사
Int. CL H01S 5/12 (2006.01)
CPC H01S 5/1243(2013.01) H01S 5/1243(2013.01) H01S 5/1243(2013.01)
출원번호/일자 1020080125139 (2008.12.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0110975 (2008.12.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자 10-2006-0123836 (2006.12.07)
관련 출원번호 1020060123836
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최중선 대한민국 대전광역시 서구
2 이명현 대한민국 대전광역시 유성구
3 권용환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0849772-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 광도파로 형태로 적층되는 n형 반도체 도핑층, 활성층 및 p형 반도체 도핑층;상기 n형 반도체 도핑층 상에 그라운드 전극으로 형성되는 n형 전극; 및상기 p형 반도체 도핑층 상에 두 부분으로 각각 형성되는 p형 전극을 포함하되,상기 p형 전극의 두 부분은 각각 광변조기, 분포궤환형 레이저가 일직선상에 배열되어 있으며, 상기 광변조기 출력면이 광도파로 방향에 대하여 일정 범위의 각도로 경사져 있는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 광변조기 출력면은 상기 광도파로 방향에 대하여 3°에서 10° 사이의 경사도를 갖는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 광변조기 출력면은 식각 면인 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 InGaAsP 물질계의 다중 층으로 이루어지는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드
5 5
반도체 기판 상에 클래딩층을 형성하는 단계;상기 클래딩층에서 광변조기의 광도파로 출력단이 형성될 단면을 경사지게 식각하는 단계;상기 클래딩층 상에 광도파로 형태로 n형 반도체 도핑층, 활성층 및 p형 반도체 도핑층을 적층하는 단계;상기 n형 반도체 도핑층 상에 그라운드 전극으로 n형 전극을 형성하는 단계; 및상기 p형 반도체 도핑층 상에 광변조기용 p형 전극 및 분포궤환형 레이저용 p형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 광변조기용 p형 전극 및 상기 분포궤환형 레이저용 p형 전극 사이에 분리 트랜치를 형성하는 단계를 더 포함하는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.