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반도체 레이저 장치

  • 기술번호 : KST2015084561
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 반도체 레이저 장치는, 복수 파장의 광들을 생성하고 이득을 주는 이득 영역; 제 1 선택 신호에 응답하여 상기 복수 파장의 광들 중 제 1 파장의 광을 상기 이득 영역으로 반사하는 제 1 반사 영역; 제 2 선택 신호에 응답하여 상기 복수 파장의 광들 중 제 2 파장의 광을 상기 이득 영역으로 반사하는 제 2 반사 영역; 그리고 위상 조정 신호에 응답하여 상기 제 2 파장의 광에 대한 위상을 이동시키는 위상 조정 영역을 포함한다.
Int. CL H01S 5/125 (2006.01) H01S 5/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080130965 (2008.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0072534 (2010.07.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.22)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신재헌 대한민국 대전광역시 유성구
2 박경현 대한민국 대전광역시 유성구
3 김남제 대한민국 대전광역시 유성구
4 이철욱 대한민국 대전광역시 유성구
5 심은덕 대한민국 대전광역시 유성구
6 한상필 대한민국 대전광역시 서구
7 백용순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0877759-38
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0009133-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0164767-44
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0445076-72
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수 파장의 광들을 생성하고 이득을 주는 이득 영역; 제 1 선택 신호에 응답하여 상기 복수 파장의 광들 중 제 1 파장의 광을 상기 이득 영역으로 반사하는 제 1 반사 영역; 제 2 선택 신호에 응답하여 상기 복수 파장의 광들 중 제 2 파장의 광을 상기 이득 영역으로 반사하는 제 2 반사 영역; 그리고 상기 제 1 반사영역과 상기 제 2 반사 영역 사이에 위치하며, 위상 조정 신호에 응답하여 상기 제 2 파장의 광의 위상을 이동시키는 위상 조정 영역을 포함하는 반도체 레이저 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 이득 영역은: 이득 전류에 응답하여 상기 복수 파장의 광들을 생성하고 이득을 제공하는 활성층; 상기 복수 파장의 광들을 유도하는 도파로층; 상기 도파로층과 상기 활성층의 하부에 형성되는 하부 클래드층; 그리고 상기 도파로층과 상기 활성층의 상부에 형성되는 상부 클래드층을 포함하는 반도체 레이저 장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 반사 영역은: 상기 도파로층에 연장하는 제 1 반사 도파로층; 상기 제 1 반사 도파로층의 하부에 형성하는 제 1 하부 클래드층; 상기 제 1 반사 도파로층의 상부에 형성하는 제 1 상부 클래드층; 그리고 상기 제 1 선택 신호를 상기 제 1 반사 영역에 주입하기 위한 제 1 전극을 포함하는 반도체 레이저 장치
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 1 반사 도파로층 또는 상기 제 1 상부 또는 하부 클래드층의 일부는 상기 제 1 파장의 광을 반사시키는 반사율을 갖도록 형성되는 제 1 회절격자 구조로 형성되는 반도체 레이저 장치
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 위상 조정 영역은: 상기 제 1 반사 도파로층에 연장하는 위상 조정 도파로층; 상기 위상 조정 도파로층의 하부에 형성되는 제 2 하부 클래드층; 상기 위상 조정 도파로층의 상부에 형성되는 제 2 상부 클래드층; 그리고 상기 위상 조정 신호를 상기 위상 조정 영역에 주입하기 위한 제 2 전극을 포함하는 반도체 레이저 장치
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제 2 반사 영역은: 상기 위상 조정 도파로층에 연장하는 제 2 반사 도파로층; 상기 제 2 반사 도파로층의 하부에 형성되는 제 3 하부 클래드층; 상기 제 2 반사 도파로층의 상부에 형성되는 제 3 상부 클래드층; 그리고 상기 제 2 선택 신호를 상기 제 2 반사 영역에 주입하기 위한 제 3 전극을 포함하는 반도체 레이저 장치
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제 2 반사 도파로층 또는 상기 제 3 상부 또는 하부 클래드층의 일부는 상기 제 2 파장의 광을 반사시키는 반사율을 갖는 제 2 회절격자 구조로 형성되는 반도체 레이저 장치
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 제 2 회절격자의 길이는 상기 제 1 회절격자의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치
9 9
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 반사 영역은: 상기 도파로층에 연장하는 제 1 반사 도파로층; 상기 제 1 반사 도파로층의 하부에 형성하는 제 1 하부 클래드층; 상기 제 1 반사 도파로층의 상부에 형성하는 제 1 상부 클래드층; 그리고 상기 제 1 선택 신호에 응답하여 줄열을 생성하는 제 1 금속 박막층을 포함하는 반도체 레이저 장치
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 위상 조정 영역은: 상기 제 1 반사 도파로층에 연장하는 위상 조정 도파로층; 상기 위상 조정 도파로층의 하부에 형성하는 제 2 하부 클래드층; 상기 위상 조정 도파로층의 상부에 형성하는 제 2 상부 클래드층; 그리고 상기 위상 조정 신호에 응답하여 줄열을 생성하는 제 2 금속 박막층을 포함하는 반도체 레이저 장치
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 제 2 반사 영역은: 상기 위상 조정 도파로층에 연장하는 제 2 반사 도파로층; 상기 제 2 반사 도파로층의 하부에 형성하는 제 3 하부 클래드층; 상기 제 2 반사 도파로층의 상부에 형성하는 제 3 상부 클래드층; 그리고 상기 제 2 선택 신호에 응답하여 줄열을 생성하는 제 3 금속 박막층을 포함하는 반도체 레이저 장치
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 금속 박막층들 각각의 하부에는 절연층이 더 포함되는 반도체 레이저 장치
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반사 영역의 종단면에는 상기 제 1 파장 또는 상기 제 2 파장의 광의 반사를 차단하기 위한 무반사 코팅막이 형성되는 반도체 레이저 장치
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20100158056 US 미국 FAMILY

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1 US2010158056 US 미국 DOCDBFAMILY
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