요약 | 도파로 구조체가 제공된다. 이 도파로 구조체는 서로 이격되어 슬롯을 정의하는 제 1 및 제 2 패턴들을 구비하는 슬롯형 채널 도파로, 채널 도파로의 적어도 일부를 덮는 제 1 상부막 및 채널 도파로의 나머지를 덮는 제 2 상부막을 구비한다. 이때, 채널 도파로의 온도 계수와 제 2 상부막의 온도 계수의 곱은 음수이다. |
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Int. CL | G02B 6/12 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020070127813 (2007.12.10) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-0907250-0000 (2009.07.03) |
공개번호/일자 | 10-2009-0060859 (2009.06.15) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20090710) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.12.10) |
심사청구항수 | 20 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이종무 | 대한민국 | 대전 유성구 |
2 | 김덕준 | 대한민국 | 대전 서구 |
3 | 권오균 | 대한민국 | 대전 유성구 |
4 | 김경옥 | 대한민국 | 서울 강남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0887169-55 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2007.12.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2007-0176890-62 |
3 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2007.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0908751-56 |
4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.12.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0002615-83 |
6 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.06.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0275297-74 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 서로 이격되어 슬롯을 정의하는 제 1 및 제 2 패턴들을 구비하는 슬롯형 채널 도파로; 상기 슬롯형 채널 도파로의 적어도 일부를 덮는 제 1 상부막; 및 상기 슬롯형 채널 도파로의 나머지를 덮는 제 2 상부막을 구비하되, 상기 채널 도파로의 온도 계수와 상기 제 2 상부막의 온도 계수의 곱은 음수인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 채널 도파로는 양의 온도 계수를 갖는 실리콘으로 형성되고, 상기 제 2 상부막은 음의 온도 계수를 갖는 물질로 형성되는 도파로 구조체 |
3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 채널 도파로의 면적에 대한 상기 제 2 상부막과 상기 채널 도파로 사이의 접촉 면적의 비율은 상기 채널 도파로의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
4 |
4 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 상부막은 폴리이미드 계열, 폴리에테르 계열, PMMA 계열 및 아크릴레이트 계열의 폴리머들 중에서 선택된 적어도 한가지인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 상부막은 상기 제 2 상부막보다 크고 상기 채널 도파로보다는 작은 온도 계수를 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 채널 도파로의 아래에 형성되는 슬랩 도파로를 더 포함하되, 상기 슬랩 도파로의 두께는 상기 제 2 상부막에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 슬랩 도파로의 두께는 1nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 슬롯의 간격은 상기 채널 도파로의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화 및 상기 제 2 상부막의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 슬롯의 간격은 20nm 내지 150nm인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 패턴들은 상기 슬롯을 정의하면서 배치되는 내부 링 공진기 및 외부 링 공진기이되, 상기 내부 링 공진기 및 상기 외부 링 공진기 사이의 간격은 상기 채널 도파로의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화 및 상기 제 2 상부막의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 패턴들의 폭들의 합은 300nm 내지 700nm인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
12 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 도파로 구조체는 링 공진기형 WDM 소자, 격자형 WDM소자, AWG 소자 및 링 공진기형 전광변조기 중의 적어도 하나에서 사용되는 도파로인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
13 |
13 서로 이격되어 슬롯을 정의하는 제 1 및 제 2 패턴들을 구비하는 슬롯형 채널 도파로; 상기 채널 도파로의 아래에 형성되는 슬랩 도파로; 및 상기 채널 도파로의 전체 상부면을 덮는 상부막을 구비하되, 상기 채널 도파로의 온도 계수와 상기 상부막의 온도 계수의 곱은 음수이고, 상기 슬랩 도파로의 두께는 상기 상부막의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 슬랩 도파로의 두께는 1nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
15 |
15 제 13 항에 있어서, 상기 채널 도파로는 양의 온도 계수를 갖는 실리콘으로 형성되고, 상기 상부막은 음의 온도 계수를 갖는 물질로 형성되는 도파로 구조체 |
16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 상부막은 폴리이미드 계열, 폴리에테르 계열, PMMA 계열 및 아크릴레이트 계열의 폴리머들 중에서 선택된 적어도 한가지인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
17 |
17 제 13 항에 있어서, 상기 슬롯의 간격은 상기 채널 도파로의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화 및 상기 상부막의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
18 |
18 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 패턴들은 상기 슬롯을 정의하면서 배치되는 내부 링 공진기 및 외부 링 공진기이되, 상기 내부 링 공진기 및 상기 외부 링 공진기 사이의 간격은 상기 채널 도파로의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화 및 상기 제 2 상부막의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
19 |
19 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 패턴들의 폭들의 합은 300nm 내지 700nm인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
20 |
20 제 19 항에 있어서, 상기 도파로 구조체는 링 공진기형 WDM 소자, 격자형 WDM소자, AWG 소자 및 링 공진기형 전광변조기 중의 적어도 하나에서 사용되는 도파로인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US07693384 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20090148115 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2009148115 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US7693384 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 | 한국전자통신연구원 | IT원천기술개발 | 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC |
특허 등록번호 | 10-0907250-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20071210 출원 번호 : 1020070127813 공고 연월일 : 20090710 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090630 청구범위의 항수 : 4 유별 : G02B 6/12 발명의 명칭 : 도파로 구조체 존속기간(예정)만료일 : 20160704 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 412,500 원 | 2009년 07월 06일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2012년 06월 29일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 128,000 원 | 2013년 06월 24일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 89,600 원 | 2014년 06월 30일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 252,000 원 | 2015년 06월 29일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0887169-55 |
2 | 보정요구서 | 2007.12.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2007-0176890-62 |
3 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2007.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0908751-56 |
4 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.12.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 | 2009.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0002615-83 |
6 | 등록결정서 | 2009.06.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0275297-74 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1415100590 |
---|---|
세부과제번호 | KI001499 |
연구과제명 | 실리콘기반초고속광인터커넥션IC |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200602~201101 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1445006529 |
---|---|
세부과제번호 | 2006-S-004-02 |
연구과제명 | 실리콘기반초고속광인터커넥션IC |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2007 |
연구기간 | 200702~200801 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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