맞춤기술찾기

이전대상기술

도파로 구조체

  • 기술번호 : KST2015086416
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 도파로 구조체가 제공된다. 이 도파로 구조체는 서로 이격되어 슬롯을 정의하는 제 1 및 제 2 패턴들을 구비하는 슬롯형 채널 도파로, 채널 도파로의 적어도 일부를 덮는 제 1 상부막 및 채널 도파로의 나머지를 덮는 제 2 상부막을 구비한다. 이때, 채널 도파로의 온도 계수와 제 2 상부막의 온도 계수의 곱은 음수이다.
Int. CL G02B 6/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070127813 (2007.12.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0907250-0000 (2009.07.03)
공개번호/일자 10-2009-0060859 (2009.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20090710) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.10)
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이종무 대한민국 대전 유성구
2 김덕준 대한민국 대전 서구
3 권오균 대한민국 대전 유성구
4 김경옥 대한민국 서울 강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0887169-55
2 보정요구서
Request for Amendment
2007.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0176890-62
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2007.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0908751-56
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0002615-83
6 등록결정서
Decision to grant
2009.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0275297-74
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 이격되어 슬롯을 정의하는 제 1 및 제 2 패턴들을 구비하는 슬롯형 채널 도파로; 상기 슬롯형 채널 도파로의 적어도 일부를 덮는 제 1 상부막; 및 상기 슬롯형 채널 도파로의 나머지를 덮는 제 2 상부막을 구비하되, 상기 채널 도파로의 온도 계수와 상기 제 2 상부막의 온도 계수의 곱은 음수인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 채널 도파로는 양의 온도 계수를 갖는 실리콘으로 형성되고, 상기 제 2 상부막은 음의 온도 계수를 갖는 물질로 형성되는 도파로 구조체
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 채널 도파로의 면적에 대한 상기 제 2 상부막과 상기 채널 도파로 사이의 접촉 면적의 비율은 상기 채널 도파로의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 제 2 상부막은 폴리이미드 계열, 폴리에테르 계열, PMMA 계열 및 아크릴레이트 계열의 폴리머들 중에서 선택된 적어도 한가지인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 상부막은 상기 제 2 상부막보다 크고 상기 채널 도파로보다는 작은 온도 계수를 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 채널 도파로의 아래에 형성되는 슬랩 도파로를 더 포함하되, 상기 슬랩 도파로의 두께는 상기 제 2 상부막에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 슬랩 도파로의 두께는 1nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 슬롯의 간격은 상기 채널 도파로의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화 및 상기 제 2 상부막의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 슬롯의 간격은 20nm 내지 150nm인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 패턴들은 상기 슬롯을 정의하면서 배치되는 내부 링 공진기 및 외부 링 공진기이되, 상기 내부 링 공진기 및 상기 외부 링 공진기 사이의 간격은 상기 채널 도파로의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화 및 상기 제 2 상부막의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 패턴들의 폭들의 합은 300nm 내지 700nm인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 도파로 구조체는 링 공진기형 WDM 소자, 격자형 WDM소자, AWG 소자 및 링 공진기형 전광변조기 중의 적어도 하나에서 사용되는 도파로인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
13 13
서로 이격되어 슬롯을 정의하는 제 1 및 제 2 패턴들을 구비하는 슬롯형 채널 도파로; 상기 채널 도파로의 아래에 형성되는 슬랩 도파로; 및 상기 채널 도파로의 전체 상부면을 덮는 상부막을 구비하되, 상기 채널 도파로의 온도 계수와 상기 상부막의 온도 계수의 곱은 음수이고, 상기 슬랩 도파로의 두께는 상기 상부막의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 슬랩 도파로의 두께는 1nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
15 15
제 13 항에 있어서, 상기 채널 도파로는 양의 온도 계수를 갖는 실리콘으로 형성되고, 상기 상부막은 음의 온도 계수를 갖는 물질로 형성되는 도파로 구조체
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 상부막은 폴리이미드 계열, 폴리에테르 계열, PMMA 계열 및 아크릴레이트 계열의 폴리머들 중에서 선택된 적어도 한가지인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
17 17
제 13 항에 있어서, 상기 슬롯의 간격은 상기 채널 도파로의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화 및 상기 상부막의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
18 18
제 13 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 패턴들은 상기 슬롯을 정의하면서 배치되는 내부 링 공진기 및 외부 링 공진기이되, 상기 내부 링 공진기 및 상기 외부 링 공진기 사이의 간격은 상기 채널 도파로의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화 및 상기 제 2 상부막의 온도 계수에 의한 상기 도파로 구조체의 파장 변화를 상쇄시키도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
19 19
제 13 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 패턴들의 폭들의 합은 300nm 내지 700nm인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
20 20
제 19 항에 있어서, 상기 도파로 구조체는 링 공진기형 WDM 소자, 격자형 WDM소자, AWG 소자 및 링 공진기형 전광변조기 중의 적어도 하나에서 사용되는 도파로인 것을 특징으로 하는 도파로 구조체
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07693384 US 미국 FAMILY
2 US20090148115 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009148115 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7693384 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC