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고전력이종접합바이폴라트랜지스터의제작방법

  • 기술번호 : KST2015088187
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 넓은 에너지갭(wide energy gap)을 갖는 화합물 반도체의 조합인 n-A1 Ga N/p-GaN/n-GaN을 에미터/베이스/컬렉터로 하는 고 전력용(high power) 이중접합 바이폴라 트랜지스터(Heteroiunction Bipolar Transistor:HBT)의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 고 전력을 나타낸 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 제작을 위한 에피구조 설계방법에서, 넓은 에너지갭(wide energy gap)의 n형 GaN을 컬렉스터로 활용하여 높은 전계, 높은 포화전자표류속도 및 높은 열전도도의 장점과 큰 에너지갭으로 인한 고 출력 특성을 얻고, p형 GaN을 베이스로 이용하며, 에미터는 에미터의 전자주입효율을 극대화시킬 수 있도록 보다 큰 에너지갭의 n형 AlGa₁N으로 이루어진 nAlGa₂N 에미터-p gAn 베이스-n gAn 컬렉터 구조로 제작된다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01)
출원번호/일자 1019940036379 (1994.12.23)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0026945 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성우 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164118-51
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164120-43
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164119-07
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164121-99
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164122-34
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091153-42
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091154-98
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

화합물 반도체를 이용한 고전력 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 제작하는 방법에 있어서, 상기 HBT의 컬렉터는 높은 전계, 높은 포하전류 표류속도, 높은 열전도도 및 고 출력특성을 얻을 수 있도록 넓은 어너지갭(wide energy gap)을 갖는 제1도전형의 GaN로 이루어지고, 상기 HBT의 베이스는 제2도전형의 GaN로 이루어지며, 상기 HBT의 에미터는 에미터 주입효율을 극대화시킬 수 있도록 상기 베이스 및 컬렉터의 구성 재료보다 넓은 에너지 갭을 갖는 제1도전형의 AlGaN로 구성된 것을 특징으로 하는 HBT의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 HBT 에피성장에서 반 절연성 GaAs 기판위에 유기금속화학중착법(MOCVD)이나 분자선 에피택시(MBE)를 이용하여 부컬렉터층(4), 컬렉터층(3), 베이스층(4), 에미터층(5), 및 에미터보호층(6)을 순차적으로 에피성장할때 전력소자용 긴 컬렉터 구조를 위하여, 상기 부 컬렉터층은 1

3 3

제1항에 있어서, 상기 베이스는 차단주파수특성을 고려하여 베이스 통과시간을 단축시키기 위한 얇은 500A의 Mg이 5×10/㎤ 도핑된 p+GaN으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전력 HBT의 제작방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 에미터는 에미터의 전자주입효율을 위하여 큰 에너지갭의 두께 2000A, 5×10/㎤의 Si 도핑된 n형 AlGaN으로 형성하되 Al의 조성비, x=0

5 5

제1항에 있어서, 상기 에미터 위에 오믹접촉 향상을 위하여 1000A의 1×10/㎤의 Si 도핑된 n+형 GaN 에미터보호층을 형성하는 공정을 부가하는 것을 특징으로 하는 HBT의 제작방법

6
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패밀리정보가 없습니다
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