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이득고정 반도체 광증폭기 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015088435
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이득고정 반도체 광증폭기의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상부에 패시브도파로층과 스페이서를 형성하는 제 1 단계, 상기 스페이서 상부에 산화물층을 형성하는 제 2 단계, 전자빔리소그래피를 이용한 패터닝으로 상기 산화물층을 선택적으로 제거하여 선택적활성층성장마스크패턴을 형성하는 제 3 단계, 유기금속화학기상증착을 이용한 선택적활성층성장으로 격자층과 활성층도파로를 동시에 형성하는 제 4 단계, 상기 결과물상에 광리소그래피를 이용하여 메사구조를 형성하는 제 5 단계, 유기금속화학기상증착으로 상기 전류차단층을 성장시키는 제 6 단계, 상기 전류차단층을 포함한 전면에 버퍼층을 형성하는 제 7 단계, 상기 버퍼층 상부에 산화물층을 형성하는 제 8 단계, 상기 산화물층을 패터닝하여 상기 활성층도파로와 연결되는 금속전극을 형성하는 제 9 단계를 포함하여 이루어진다.광증폭기, 이득고정, 활성층도파로, 선택적활성층성장
Int. CL H01L 29/00 (2006.01)
CPC H01S 5/5072(2013.01)
출원번호/일자 1019990061097 (1999.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2001-0057711 (2001.07.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박문호 대한민국 대전광역시유성구
2 오대곤 대한민국 대전광역시중구
3 오광룡 대한민국 대전광역시유성구
4 정종술 대한민국 대전광역시서구
5 백용순 대한민국 대전광역시유성구
6 박경현 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-0179426-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

광증폭기 제조 방법에 있어서,

반도체 기판 상부에 패시브도파로층과 스페이서를 형성하는 제 1 단계;

상기 스페이서 상부에 제1산화물층을 형성하는 제 2 단계;

전자빔리소그래피를 이용한 패터닝으로 상기 산화물층을 선택적으로 제거하여 선택적활성층성장마스크패턴을 형성하는 제 3 단계;

유기금속화학기상증착을 이용한 선택적활성층성장으로 격자층과 활성층도파로를 동시에 형성하는 제 4 단계;

상기 결과물상에 광리소그래피를 이용하여 전류차단층성장을 위한 메사구조를 형성하는 제 5 단계;

유기금속화학기상증착을 이용하여 전류차단층을 성장시키는 제 6 단계;

상기 전류차단층을 포함한 전면에 버퍼층을 형성하는 제 7 단계;

상기 버퍼층 상부에 제2산화물층을 형성하는 제 8 단계; 및

상기 제2산화물층을 패터닝하여 상기 활성층도파로와 연결되는 금속전극을 형성하는 제 9 단계

를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 이득고정 광증폭기 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제 1 단계는,

유기금속화학기상증착법을 이용하여 상기 패시브도파로층과 스페이서를 형성하는 것을 특징으로 하는 이득고정 광증폭기 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 제 3 단계에서,

상기 선택적활성층성장마스크패턴은 상기 기판의 결정면에 대해 7°경사지는 것을 특징으로 하는 이득고정 광증폭기 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제 4 단계에서,

상기 격자패턴의 주기는 광증폭이 이용되는 주파수대역 외부에서 단일모드레이징이 이루어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이득고정 광증폭기 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 제 4 단계에서,

상기 활성도파로는 수평과 수직방향으로 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 이득고정 광증폭기 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 제 4 단계에서,

상기 선택적활성층성장으로 상기 활성도파로를 길이에 따라 두께가 다르게 상기 격자패턴과 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 이득고정 광증폭기 제조 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 제 5 단계에서,

상기 메사구조는 반응성이온식각으로 상기 패시브도파로의 하부로 일정깊이 식각하여 형성되는 것을 특징으로 하는 이득고정 광증폭기 제조 방법

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 제 5 단계에서,

상기 메사구조는 출력단면에 대해 7°경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이득고정 광증폭기 제조 방법

9 9

제 1 항에 있어서,

상기 제 6 단계에서,

상기 전류차단층 성장 후 상기 활성층도파로 상부에 산화물층이 형성되는 것을 특징으로 하는 이득고정 광증폭기 제조 방법

10 10

제 1 항에 있어서,

상기 제 8 단계에서,

상기 금속전극은 전자빔증착법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 이득고정 광증폭기 제조 방법

11 11

제 1 항에 있어서,

상기 제 8 단계는,

상기 반도체 기판 하부에 다른 금속전극을 형성하는 단계; 및

상기 결과물 상부에 무반사막을 도포하는 단계

를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 이득고정 광증폭기 제조 방법

12 12

제 11 항에 있어서,

상기 무반사막은 상기 기판의 결정면에 대해 일정각으로 경사지는 것을 특징으로 하는 이득고정 광증폭기 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.