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가스분산장치를구비한반도체제조장치

  • 기술번호 : KST2015088662
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 초고집적회로(ULSI)의 제조공정에서 금속층간 절연막(inter metal dielectric : IMD)의 형성공정 뿐만 아니라 가스를 분사시켜 박막을 형성하는 공정에 있어서 종래의 가스분산장치(이하 Shower-Head라 함)에 냉각장치 기능을 부착함으로써 절연막의 형성시 shower-head면에 증착되는 박막을 최대한 억제하고, 미립자(particle)의 발생을 감소시키며, 박막 형성에 따른 Shower-Head의 수명을 연장시켜줌으로써 반도체 제조공정 시간을 단축(troughput 향상)시켜 그 결과 실제 장비의 가동시간을 높이는 데 있다.본 발명은 반도체 제조 공정에서 플라즈마 및 열에너지를 이용하여 가스의 분해에 의해 박막을 증착하는 가스분산장치(Shower-Head)를 구비한 반도체 제조장치에 있어서, 상기 가스분산장치에 불필요하게 증착되는 가스의 용이한 제거를 위하여, 증착시 상기 가스분산장치의 온도를 낮게 제어할 수 있는 냉각기능을 부가한 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC C23C 16/45565(2013.01) C23C 16/45565(2013.01)
출원번호/일자 1019940024348 (1994.09.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0133439-0000 (1997.12.22)
공개번호/일자 10-1996-0012310 (1996.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (19980423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.09.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박민 대한민국 대전직할시유성구
2 유병곤 대한민국 대전직할시유성구
3 이중환 대한민국 대전직할시유성구
4 전치훈 대한민국 대전직할시유성구
5 구진근 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 통지서
Notification		 0000.00.00 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000544-33
2 통지서
Notification		 0000.00.00 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000543-98
3 특허출원서
Patent Application		 1994.09.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0110512-38
4 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.09.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0110514-29
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.09.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0110513-84
6 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0110515-75
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0110516-10
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0062014-35
9 이의신청서
Request for Opposition		 1998.07.10 수리 (Accepted) 2-1-1994-0000553-87
10 이의신청예고등록의뢰서
Request for Previous Registration of Opposition		 1998.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000550-18
11 통지서
Notification		 1998.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000551-53
12 이의신청번호및합의체심사관지정통지서
Opposition Number and Notice of Designated Collegial Examiner		 1998.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000552-09
13 통지서
Notification		 1998.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000549-61
14 통지서
Notification		 1998.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000548-15
15 이의결정서
Written Decision on Opposition		 1998.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000546-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.11.01 수리 (Accepted) 4-1-2000-0139763-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체 제조공정에서 플라즈마 및 열에너지를 이용하여 가스의 분해에 의해 박막을 증착하는 가스분산장치(Shower-Head)를 구비한 반도체 제조장치에 있어서, 가스분산장치에 불필요하게 증착되는 가스의 용이한 제거를 위하여, 증착시 상기 가스분산장치의 온도를 낮게 제어할 수 있는 냉각기능을 부가한 것을 특징으로 하는 가스 분산장치를 구비한 반도체 제조장치

2 2

제1항에 있어서, 상기 냉각기능을 구비한 가스분산장치(Shower-Head)는 박막 증착 대상물질에 균일한 가스분사를 위하여 상기 박막증착 대상물질의 형상 및 크기에 상응하는 구조를 가지며, 절연물질이 얇게 코팅된 가스분산판(31); 상기 가스분산판(31)에 균일하게 분포되도록 형성되는 다수의 구멍(32); 균일한 냉각기능을 수행하기 위하여 상기 가스분산판(31)에 대칭구조로 냉매가 흐를 수 있도록 상기 분산판(31)의 표면으로부터 일부 이입되게 형성된 냉각관(33); 및 상기 냉각관(33)에 냉매가 순환될 수 있도록 냉각관(33)의 일단에 형성된 냉매 유입구 및 배출구(34,35)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치

3 3

제2항에 있어서, 상기 냉매는 냉각수 및 헬륨(He)가스중의 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치

4 4

제2항에 있어서, 상기 가스분산판(31)의 직경이 220mm이고, 상기 냉매 유입구 및 배출구(34,35)의 직경이 1/4인치 내지 3/8인치인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치

5 5

제2항에 있어서, 상기 박막 증착 대상물질은 반도체 웨이퍼, 유리기판, 및 액정 패널중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.