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반도체 광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015089530
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 반도체 광 소자는 반도체 기판의 제1 모드 변환 영역, 광 증폭 영역, 제2 모드 변환 영역 및 광 변조 영역 상에 각각 배치된 제1 모드 변환 코어, 광 증폭 코어, 제2 모드 변환 코어 및 광 변조 코어; 및 적어도 광 증폭 코어의 측벽 및 상부면을 덮는 전류 차단부를 포함한다. 제1 모드 변환 코어, 광 증폭 코어, 제2 모드 변환 코어 및 광 변조 코어는 일 방향을 따라 순차적으로 배열되어 서로 버트 결합(butt joint)되고, 전류 차단부는 차례로 적층된 제1, 제2 및 제3 클래딩 패턴들을 포함한다. 제2 클래딩 패턴은 제1 도전형의 도펀트로 도핑되고, 제1 및 제3 클래딩 패턴들은 제2 도전형의 도펀트로 도핑된다.
Int. CL G02B 6/12 (2006.01)
CPC G02B 6/12016(2013.01) G02B 6/12016(2013.01) G02B 6/12016(2013.01) G02B 6/12016(2013.01) G02B 6/12016(2013.01)
출원번호/일자 1020110042251 (2011.05.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0124548 (2012.11.14) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.18)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동철 대한민국 대전광역시 유성구
2 김기수 대한민국 대전광역시 유성구
3 김현수 대한민국 대전광역시 서구
4 최병석 대한민국 대전광역시 서구
5 권오균 대한민국 대전광역시 유성구
6 정종술 대한민국 대전광역시 서구
7 오대곤 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0331651-49
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0036840-23
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0910972-19
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0134838-67
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0909156-25
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0160531-20
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0160530-85
10 등록결정서
Decision to grant		 2017.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0403951-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판의 제1 모드 변환 영역, 광 증폭 영역, 제2 모드 변환 영역 및 광 변조 영역 상에 각각 배치된 제1 모드 변환 코어, 광 증폭 코어, 제2 모드 변환 코어 및 광 변조 코어; 및적어도, 상기 광 증폭 코어의 측벽 및 상부면을 덮는 전류 차단부를 포함하되, 상기 제1 모드 변환 코어, 광 증폭 코어, 제2 모드 변환 코어 및 광 변조 코어는 일 방향을 따라 순차적으로 배열되어 서로 버트 결합(butt joint)되고,상기 전류 차단부는 차례로 적층된 제1, 제2 및 제3 클래딩 패턴들을 포함하고, 상기 제2 클래딩 패턴은 제1 도전형의 도펀트로 도핑되고, 상기 제1 및 제3 클래딩 패턴들은 제2 도전형의 도펀트들로 도핑된 반도체 광 소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 도전형의 도펀트는 N형 도펀트이고, 상기 제2 도전형의 도펀트는 P형 도펀트인 반도체 광 소자
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제1 클래딩 패턴 및 상기 제2 클래딩 패턴은 상기 광 증폭 코어의 측벽을 덮고, 상기 제3 클래딩 패턴은 상기 제2 클래딩 패턴 및 상기 광 증폭 코어의 상부면을 덮는 반도체 광 소자
4 4
청구항 1에 있어서,상기 반도체 기판 상에 배치된 부-코어(sub-core); 및상기 부-코어 상에 배치된 기저 클래딩 패턴을 더 포함하되,상기 제1 모드 변환 코어, 광 증폭 코어, 제2 모드 변환 코어 및 광 변조 코어는 상기 기저 클래딩 패턴 상에 배치된 반도체 광 소자
5 5
청구항 1에 있어서,상기 제1, 제2 및 제3 클래딩 패턴들은 상기 제1 모드 변환 영역 내로 연장되어 상기 제1 모드 변환 코어의 측벽 및 상부면을 덮고,상기 제1, 제2 및 제3 클래딩 패턴들은 상기 제1 모드 변환 코어의 일 끝을 지나 더 연장되어, 입력/출력 도파로를 이루는 반도체 광 소자
6 6
청구항 1에 있어서,상기 제1 모드 변환 코어는 테이퍼부 및 균일부를 포함하고,상기 균일부는 상기 광 증폭 코어의 버트 결합되고,상기 균일부는 상기 테이퍼부 및 상기 광 증폭 코어 사이에 개재된 반도체 광 소자
7 7
청구항 6에 있어서,평면적 관점에서, 상기 테이퍼부는 상기 일 방향에 대하여 비평행 그리고 비수직한 방향으로 연장된 반도체 광 소자
8 8
청구항 1에 있어서,상기 제1 모드 변환 코어, 광 증폭 코어 및 제2 모드 변환 코어는 상기 반도체 기판과 다른 반도체 물질로 형성된 반도체 광 소자
9 9
청구항 1에 있어서,상기 광 증폭 코어는 제1 반도체 물질로 형성되고,상기 제1 및 제2 모드 변환 코어들은 제2 반도체 물질로 형성되되, 상기 제1 반도체 물질의 에너지 밴드 갭은 상기 제2 반도체 물질의 에너지 밴드 갭과 다르고,상기 광 변조 코어는, 상기 제1 및 제2 반도체 물질들과 다른 물질로 형성된 반도체 광 소자
10 10
청구항 1에 있어서,상기 제3 클래딩 패턴은 상기 제2 모드 변환 영역 및 상기 광 변조 영역 내로 연장되어, 상기 제2 모드 변환 코어의 상부면 및 상기 광 증폭 코어의 상부면을 덮고,상기 제1 및 제2 클래딩 패턴들은 상기 제2 모드 변환 영역 내로 연장되어, 상기 제2 모드 변환 코어의 측벽의 일부분을 덮는 반도체 광 소자
11 11
청구항 10에 있어서,상기 제2 모드 변환 코어는 서로 연결된 매립형 코어부 및 딥-리지 코어부를 포함하고, 상기 매립형 코어부는 상기 광 증폭 코어와 버트 결합된 매립형 직선부, 및 상기 매립형 직선부와 상기 딥-리지 코어부 사이에 개재된 매립형 확장부를 포함하고,상기 딥-리지 코어부는 상기 광 변조 코어와 버트 결합된 딥-리지 직선부, 및 상기 딥-리지 직선부와 상기 매립형 확장부 사이에 개재된 딥-리지 축소부를 포함하고,평면적 관점에서, 상기 매립형 확장부의 폭은 상기 광 증폭 코어로부터 상기 광 변조 코어를 향하여 점진적으로 증가되고,평면적 관점에서, 상기 딥-리지 축소부의 폭은 상기 광 증폭 코어로부터 상기 광 변조 코어를 향하여 점진적으로 감소되는 반도체 광 소자
12 12
청구항 10에 있어서,적어도 상기 제3 클래딩 패턴 내에 형성된 적어도 하나의 절연 영역을 더 포함하되,상기 절연 영역은, 상기 광 증폭 코어를 포함하는 광 증폭기 및 상기 광 변조 코어를 포함하는 광 변조기를 절연 시키는 반도체 광 소자
13 13
청구항 1에 있어서,상기 제1 모드 변환 코어 및 광 증폭 코어가 버트 결합되어 제1 버트 계면(first butt interface)이 정의되고, 상기 광 증폭 코어 및 상기 제2 모드 변환 코어가 버트 결합되어 제2 버트 계면이 정의되고, 상기 제2 모드 변환 코어 및 상기 광 변조 코어가 버트 결합되어 제3 버트 계면이 정의되고,평면적 관점에서, 상기 제1, 제2 및 제3 버트 계면들은 상기 일 방향에 대하여 비평행 그리고 비수직한 반도체 광 소자
14 14
청구항 1에 있어서,상기 광 변조 영역 내에 배치되어, 상기 광 변조 코어를 포함하는 광 변조기를 보호하는 폴리이미드 패턴(polyimide pattern)을 더 포함하는 반도체 광 소자
15 15
청구항 1에 있어서,상기 기판의 배면에 형성된 배면 전극(back side electrode);상기 광 증폭 코어 위에(over) 배치된 광 증폭 전극; 및상기 광 변조 코어 위에 배치된 광 변조 전극을 더 포함하는 반도체 광 소자
16 16
제1 모드 변환 영역, 광 증폭 영역, 제2 모드 변환 영역 및 광 변조 영역을 포함하는 반도체 기판 상에 광 변조 코어층을 형성하는 것;상기 광 변조 코어층을 선택적으로 제거하여, 제1 제거 영역 및 제1 잔여 패턴을 형성하되, 상기 제1 잔여 패턴은 상기 광 변조 영역의 일부 및 제2 모드 변환 영역의 일부 내에 형성되는 것;상기 제1 제거 영역 내에 제1 반도체층을 형성하는 것;상기 제1 반도체층 및 제1 잔여 패턴을 선택적으로 제거하여, 제2 제거 영역, 상기 광 증폭 영역 내의 제1 반도체 패턴, 및 상기 광 변조 영역 내의 제2 잔여 패턴을 형성하는 것;상기 제2 제거 영역 내에 제2 반도체층을 형성하되, 상기 제2 반도체층은 상기 제1 반도체 패턴의 측벽과 상기 제2 잔여 패턴의 측벽과 접촉되는 것; 및적어도 상기 제1 모드 변환 영역 내 제2 반도체층, 및 상기 광 증폭 영역 내 제1 반도체 패턴을 패터닝하여, 제1 모드 변환 코어 및 광 증폭 코어를 형성하는 것을 포함하되, 상기 제1 반도체층의 에너지 밴드 갭은 상기 제2 반도체층의 에너지 밴드 갭과 다른 반도체 광 소자의 제조 방법
17 17
청구항 16에 있어서,상기 제2 모드 변환 영역 내 제2 반도체층을 패터닝하여 예비 제2 모드변화 코어를 형성하는 것을 더 포함하되,상기 예비 제2 모드 변환 코어는 상기 제1 모드 변환 코어 및 광 증폭 코어와 동시에 형성되는 반도체 광 소자의 제조 방법
18 18
청구항 17에 있어서,상기 제1 모드 변환 코어, 광 증폭 코어 및 예비 제2 모드 변환 코어를 갖는 기판 상에 제1 클래딩층 및 제2 클래딩층을 차례로 형성하는 것;상기 제2 및 제1 클래딩층들을 평탄화시키어, 상기 제1 모드 변환, 광 증폭 및 예비 제2 모드 변환 코어들을 노출시키는 것;상기 기판 상에 제3 클래딩층을 형성하는 것;상기 제3 클래딩층, 상기 평탄화된 제2 및 제1 측벽 클래딩층들, 예비 제2 모드 변환 코어 및 상기 광 변조 영역 내 제2 잔여 패턴을 패터닝하여, 상기 제1 모드 변환 영역, 광 증폭 영역, 제2 모드 변환 영역 및 광 변조 영역 내에, 제1 모드 변환기, 광 증폭 도파로, 제2 모드 변환기 및 광 변조 도파로를 각각 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 광 소자의 제조 방법
19 19
청구항 16에 있어서,상기 광 변조 코어층을 형성하기 전에,상기 반도체 기판 상에 부-코어층 및 기저 클래딩층을 차례로 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 광 소자의 제조 방법
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 IT성장동력기술개발 FTTH 고도화 광부품 기술개발