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기판 상에 형성되는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되고, 상기 버퍼층의 상부 표면의 폭보다 작은 폭을 갖도록 형성되는 제1 클래드층;상기 제1 클래드층 상에 형성되고, 상기 제1 클래드층의 상부 표면의 폭보다 작은 폭을 갖도록 형성되는 흡수층;상기 흡수층 상에 형성되고, 상기 흡수층의 상부 표면의 폭보다 큰 폭을 갖도록 형성되는 제2 클래드층;상기 제2 클래드층 상에 형성되는 접촉층;상기 제1 클래드층이 형성되지 않은 버퍼층의 상에 형성되는 제1 전극부; 및상기 접촉층의 상에 형성되는 제2 전극부를 포함하는 도파로형 광 혼합기
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제 1 항에 있어서,상기 흡수층은 상기 제1 및 제2 클래드층의 면적에 비해 접합면적이 작은 도파로형 광 혼합기
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3
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층, 상기 제1 클래드층, 상기 흡수층, 상기 제2 클래드층 및 상기 접촉층은 순차적으로 적층되어 형성되고,상기 접촉층, 상기 제2 클래드층, 상기 흡수층 및 상기 제1 클래드층은 중앙 영역을 중심으로 양쪽 측면이 식각되어 메사 구조를 형성하는 도파로형 광 혼합기
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4
제 3 항에 있어서,상기 버퍼층은 N-버퍼층이고,상기 제1 클래드층은 N형으로 도핑된 N-클래드층이고,상기 제2 클래드층은 P형으로 도핑된 P-클래드층이고,상기 접촉층은 P-접촉층이고,상기 제1 전극부는 N-전극부이고,상기 제2 전극부는 P-전극부인 도파로형 광 혼합기
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5
제 4 항에 있어서,상기 메사 구조의 빛이 입사되는 면의 반대면에 형성되고, 상기 흡수층을 통과한 빛을 다시 흡수층으로 반사시키는 고반사막을 더 포함하는 도파로형 광 혼합기
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6
제 5 항에 있어서,상기 고반사막은 단일층의 금속 물질 또는 단일층의 유전체로 형성되는 도파로형 광 혼합기
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7
제 5 항에 있어서,상기 고반사막은 상기 P-전극부와 동일한 재료로 형성되고, 상기 P-전극부와 동시에 형성되는 도파로형 광 혼합기
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8
제 5 항에 있어서,상기 고반사막은 Ti/Au, Ti/Pt/Au, Ti/Pt/Au/Ni 중 하나로 형성되는 도파로형 광 혼합기
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9
제 5 항에 있어서,상기 고반사막은 굴절률이 서로 다른 복수의 유전체들의 적층으로 형성되는 도파로형 광 혼합기
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10
제 4 항에 있어서,상기 흡수층은 InGaAs 물질로 형성되고,상기 제1 및 제2 클래드층은 InGaAsP 또는 InP 물질로 형성되는 도파로형 광 혼합기
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11
제 3 항에 있어서,상기 제1 클래드층 및 제2 클래드층의 굴절률은 상기 흡수층의 굴절률보다 작은 도파로형 광 혼합기
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12
제 3 항에 있어서,상기 메사구조의 측면 및 상기 버퍼층의 상에 전류의 차단 및 소자간 전기적 분리를 위한 보호막을 더 포함하는 도파로형 광 혼합기
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