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몰드 기판 상에 제공되고 나노 구조물들을 형성하기 위한 패턴을 포함하는 몰드 칩 패턴들; 상기 몰드 칩 패턴들 사이에 배치되는 트렌치 영역; 및상기 트렌치 영역의 하면으로부터 돌출되고 상기 트렌치 영역을 따라 연장되는 돌출부들을 포함하는 임프린트용 몰드 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 몰드 칩 패턴들은 상기 몰드 기판 상에 제 1 방향 및 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 배치되고,상기 트렌치 영역은 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향으로 연장되는 격자(grid) 형상인 임프린트용 몰드 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 몰드 칩 패턴들은 상기 몰드 기판 상에 제 1 방향 및 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 배치되고,상기 트렌치 영역은 상기 제 1 방향으로 연장되는 복수의 라인형 트렌치들을 포함하는 임프린트용 몰드 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 돌출부들의 상면의 높이는 상기 몰드 칩 패턴들의 상면의 높이보다 낮은 임프린트용 몰드 구조체
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제 4 항에 있어서,상기 돌출부들의 상면의 높이는 상기 몰드 칩 패턴들의 상면의 높이의 절반 이하인 임프린트용 몰드 구조체
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제 4 항에 있어서,상기 돌출부들의 상면의 높이는 상기 몰드 칩 패턴들의 상면 높이의 약 60% 내지 약 90%인 임프린트용 몰드 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 돌출부들의 상면의 높이는 상기 몰드 칩 패턴들로부터 이격될수록 감소하는 임프린트용 몰드 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 트렌치 영역의 측벽은 라운드된 표면을 갖는 임프린트용 몰드 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 몰드 구조체는 수정(quartz), 유리, 또는 사파이어를 포함하는 임프린트용 몰드 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 트렌치 영역의 폭은 상기 몰드 칩 패턴들의 폭보다 작은 임프린트용 몰드 구조체
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베이스 기판 상에 레지스트를 도포하는 단계;몰드 구조체로 상기 레지스트를 가압하는 단계;상기 레지스트를 경화시키는 단계; 및상기 몰드 구조체를 상기 베이스 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하고,상기 몰드 구조체는:몰드 기판상에 제공되고 나노 구조물들을 형성하기 위한 패턴을 포함하는 몰드 칩 패턴들; 상기 몰드 칩 패턴들 사이에 배치되는 트렌치 영역; 및상기 트렌치 영역의 하면으로부터 돌출되고 상기 트렌치 영역을 따라 연장되는 돌출부들을 포함하는 임프린트 리소그래피 방법
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제 11 항에 있어서,상기 레지스트를 경화시키는 단계는 자외선을 상기 레지스트에 조사하는 것을 포함하는 임프린트 리소그래피 방법
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제 11 항에 있어서,상기 레지스트를 도포하는 단계는 스핀 코팅, 액적 도포, 또는 분사 방식으로 수행되는 임프린트 리소그래피 방법
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제 11 항에 있어서,상기 몰드 칩 패턴들은 상기 몰드 기판 상에 제 1 방향 및 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 배치되고,상기 트렌치 영역은 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향으로 연장되는 격자(grid) 형상인 임프린트 리소그래피 방법
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제 11 항에 있어서,상기 몰드 칩 패턴들은 상기 몰드 기판 상에 제 1 방향 및 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 배치되고,상기 트렌치 영역은 상기 제 1 방향으로 연장되는 복수의 라인형 트렌치들을 포함하는 임프린트 리소그래피 방법
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제 11 항에 있어서,상기 돌출부들의 상면의 높이는 상기 몰드 칩 패턴들의 상면의 높이보다 낮은 임프린트 리소그래피 방법
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제 11 항에 있어서,상기 경화된 레지스트를 마스크로 상기 베이스 기판을 식각하는 것을 더 포함하는 임프린트 리소그래피 방법
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제 17 항에 있어서,상기 식각된 베이스 기판을 다이싱 라인을 따라 분리하는 것을 더 포함하는 임프린트 리소그래피 방법
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제 18 항에 있어서,상기 트렌치 영역은 상기 다이싱 라인과 상응하는 형상을 갖는 임프린트 리소그래피 방법
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