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질화물 반도체 소자 제조 방법에 있어서, 기판 상에 질화갈륨계 활성층을 형성하는 단계;상기 질화갈륨계 활성층 상에 절연막을 증착하는 단계;상기 질화갈륨계 활성층 일부와 상기 절연막의 기설정된 영역을 식각하여 상기 질화갈륨계 활성층의 일부 영역을 노출하는 단계;상기 노출된 질화갈륨계 활성층의 일부 영역 및 상기 절연막을 덮는 형태로 산화막을 적층하는 단계;상기 산화막이 적층된 기판에 어닐링을 수행하여 상기 질화갈륨계 활성층과 상기 산화막 사이에 갈륨산화막 계면층을 형성하는 단계; 및상기 산화막 상의 기설정된 영역을 매립하는 형태로 게이트 영역을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 질화갈륨계 활성층은, 질화갈륨(GaN)층이고,상기 산화막은, 산화 알루미늄(Al2O3)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 질화갈륨계 활성층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 질화갈륨(GaN)층을 형성하는 단계;상기 형성된 질화갈륨층 상에 알루미늄질화갈륨(AlGaN)층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 질화갈륨계 활성층의 일부 영역을 노출하는 단계는,상기 알루미늄질화갈륨층과 상기 절연막의 기설정된 영역을 식각하여 상기 질화갈륨층의 일부 영역을 노출하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 갈륨산화막 계면층을 형성하는 단계 이후에,상기 절연막 상에 적층된 산화막 및 상기 절연막의 기설정된 영역을 식각하여 상기 알루미늄질화갈륨층의 일부 영역을 노출하고, 상기 노출된 알루미늄질화갈륨층의 일부 영역 상에 소스 영역 및 드레인 영역을 각각 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 질화갈륨계 활성층의 일부 영역을 노출하는 단계 이전에,상기 절연막 및 상기 질화갈륨계 활성층의 기설정된 영역에 메사 식각을 수행하고, 상기 식각된 기설정된 영역에 이온을 주입하여 이온 주입층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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질화물 반도체 소자 제조 방법에 있어서,기판 상에 질화갈륨계 활성층을 형성하는 단계;상기 질화갈륨계 활성층 상에 산화막을 적층하는 단계;상기 산화막이 적층된 기판에 어닐링을 수행하여 상기 질화갈륨계 활성층과 상기 산화막 사이에 갈륨산화막 계면층을 형성하는 단계; 상기 산화막과 상기 갈륨산화막 계면층의 기설정된 영역을 식각하여 상기 질화갈륨계 활성층의 일부 영역을 노출하는 단계;상기 노출된 질화갈륨계 활성층의 일부 영역, 상기 산화막 및 상기 갈륨산화막 계면층을 덮는 형태로 절연막을 증착하는 단계; 및상기 질화갈륨계 활성층 상에 증착된 상기 절연막의 기설정된 영역을 식각하여 상기 질화갈륨계 활성층의 일부 영역을 노출하고, 상기 노출된 질화갈륨계 활성층의 일부 영역 상에 소스 영역 및 드레인 영역을 각각 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 산화막 상에 증착된 상기 절연막의 상부에 게이트 영역을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 산화막 상에 증착된 상기 절연막을 식각하여 상기 산화막을 노출하고, 상기 노출된 산화막 상부에 게이트 영역을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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