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에이치이엠티의 감마게이트 제조방법

  • 기술번호 : KST2015093035
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저잡음 고속 정보통신용 GaAs 소자인 HEMTs(high electron mobility transistors) 의 감마게이트용 레지스트 패턴의 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 감마게이트 제조방법은, GaAs 기판 상에 제 1 레지스트를 도포하고, 노광 및 현상한 후, 경화시켜서 제 1 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 GaAs 기판 및 제 1 레지스트 패턴 상에 제 2 레지스트를 도포하고, 노광 및 현상한 후, 경화시켜서 제 2 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 구비하며, 상기 제 1 및 제 2 레지스트 패턴으로 덮이지 않은 상기 GaAs 기판의 부분을 상기 감마게이트의 발이 형성되는 영역으로 정의하고, 상기 제 1 레지스트 패턴으로 덮여 있지만 상기 제 2 레지스트 패턴으로는 덮이지 않은 상기 GaAs 기판의 부분을 상기 감마게이트의 머리가 형성되는 영역으로 정의한다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990053887 (1999.11.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0348902-0000 (2002.08.02)
공개번호/일자 10-2001-0048980 (2001.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.11.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최상수 대한민국 대전광역시유성구
2 이진희 대한민국 대전광역시유성구
3 김도훈 대한민국 대전광역시유성구
4 이각현 대한민국 대전광역시유성구
5 정해빈 대한민국 대전광역시유성구
6 김대용 대한민국 대전광역시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1999-0159803-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.07.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2001.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2001-0014202-79
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0233981-25
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.10.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0281091-28
7 의견서
Written Opinion		 2001.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2001-0281088-91
8 등록결정서
Decision to grant		 2002.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0176869-83
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

GaAs 기판 상에 제 1 레지스트를 도포하고, 노광 및 현상한 후, 경화시켜서 제 1 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및

상기 GaAs 기판 및 제 1 레지스트 패턴 상에 제 2 레지스트를 도포하고, 노광 및 현상한 후, 경화시켜서 제 2 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 구비하며,

상기 제 1 및 제 2 레지스트 패턴으로 덮이지 않은 상기 GaAs 기판의 부분을 상기 감마게이트의 발이 형성되는 영역으로 정의하고,

상기 제 1 레지스트 패턴으로 덮여 있지만 상기 제 2 레지스트 패턴으로는 덮이지 않은 상기 GaAs 기판의 부분을 상기 감마게이트의 머리가 형성되는 영역으로 정의하는 것을 특징으로 하는 HEMT 의 감마게이트 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 레지스트 패턴을 형성하는 단계의 경화 공정은, 120 ℃ 이상에서 자외선을 조사하면서 수행되는 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 레지스트 패턴을 형성하는 단계의 현상 공정은, 상기 제 2 레지스트의 현상 각도가 89도 이하이고 네가티브 기울기(slope)를 가지는 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법

4 4

GaAs 기판 상에 절연막을 증착하는 단계와,

상기 절연막 상에 제 1 레지스트를 도포하고, 노광 및 현상한 후, 경화시켜서 제 1 레지스트 패턴을 형성하는 단계,

상기 제 1 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 절연막을 식각하고 상기 제 1 레지스트 패턴을 제거함으로써 절연막 패턴을 형성하는 단계, 및

상기 GaAs 기판 및 상기 절연막 패턴 상에 제 2 레지스트를 도포하고, 노광 및 현상한 후, 경화시켜서 제 2 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 구비하며,

상기 절연막 패턴 및 상기 제 2 레지스트 패턴으로 덮이지 않은 상기 GaAs 기판의 영역을 상기 감마게이트의 발이 형성되는 영역으로 정의하고,

상기 절연막 패턴으로는 덮여 있지만 상기 제 2 레지스트 패턴으로는 덮이지 않은 상기 GaAs 기판의 영역을 상기 감마게이트의 머리가 형성되는 영역으로 정의하는 것을 특징으로 하는 HEMT 의 감마게이트 제조방법

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 제 1 레지스트 패턴을 형성하는 단계의 경화 공정은, 120 ℃ 이상에서 자외선을 조사하면서 수행되는 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법

6 6

제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 레지스트 패턴을 형성하는 단계의 현상 공정은, 상기 제 2 레지스트의 현상 각도가 89도 이하이고 네가티브 기울기(slope)를 가지는 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법

7 7

제 1 항 또는 제 4 항의 방법에 의하여 제조된 HEMT의 감마 게이트에 있어서,

상기 제 1 레지스트 패턴에 의하여 형성된 절연막의 두께와 상기 제 2 레지스트 패턴에 의하여 형성된 절연막의 두께가 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 하는 HEMT의 감마 게이트

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1 US6635404 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.