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하부 전극 상에 형성되는 제1 클래드층과,상기 제1 클래드층 상에 형성되는 광도파로와,상기 광도파로 상에 형성되며, 주기적으로 배치되는 복수의 그레이팅을 포함하는 그레이팅 구조층과,상기 그레이팅 구조층 상에 형성되는 제1 분리 집속 이종층(SCH: separate confinement hetero)과,상기 제1 SCH 상에 형성되며, 적어도 하나의 양자점을 포함하는 활성층과,상기 활성층 상에 형성되는 제2 분리 집속 이종층과,상기 제2 SCH층 상에 형성되는 제2 클래드층과,상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹층과,상기 오믹층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하는 분포 궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물
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제1항에 있어서,상기 광도파로는 1
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제2항에 있어서,상기 광도파로의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 광도파로와 상기 그레이팅 간 거리는 0
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5
제1항에 있어서,상기 상부 전극은 이격 거리를 두고 비대칭 형태로 분리되어 있는 두 개의 분리 전극으로 이루어진 분포궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물
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6
제5항에 있어서,상기 이격 거리는 2 ~ 50㎛인 분포궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물
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7
제5항에 있어서,상기 두 개의 분리 전극 간 길이의 비율은 1:2 ~ 1:10 범위이며,상기 분리 전극 중 길이가 짧은 분리 전극이 레이저 발광면측에 배치되는 분포궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물
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8
제5항에 있어서,상기 두 개의 분리 전극은 단일 전류원을 통해 상기 두 개의 분리 전극에 동시에 전류가 주입되도록 전극 패드가 연결되어 있는 분포궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물
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9
제1항에 있어서,상기 활성층은 다층 구조이며, 상기 활성층을 이루는 각 층은 In(Ga)As 양자점층과, InGaAsP 또는 InAlGaAs 장벽층을 포함하는 분포궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물
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10
제9항에 있어서, 상기 양자점층은 1
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11
제1항에 있어서,상기 그레이팅 구조층은 상기 제1 클래드층의 InP에 격자 정합되는 InGaAs를 이용하는 분포궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물
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12
제1항에 있어서,상기 그레이팅의 두께는 20 ~ 50㎚ 범위인 분포궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물
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13
제1항에 있어서, 상기 제1 SCH과 상기 제2 SCH는 1
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14
제14항에 있어서,상기 제1 SCH의 두께는 100 ~ 150nm인 분포궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물
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