고진공 화학증착장치에 있어서,

고진공하에서 에피택셜층 성장의 균일성을 유지하고 웨이퍼에서 전달되는 열전달을 최소화하는 이중구조의 석영관을 구비한 성장챔버;

상기 성장챔버의 하측에 연결되어, 에피택셜층 성장이 이루어지는 웨이퍼를 수직전송하는 수직이송장치를 포함하는 웨이퍼전송챔버;

상기 웨이퍼전송챔버의 하측에 구비되어 상기 웨이퍼를 수직전송시키는데 있어 웨이퍼전송챔버와의 압력 차이에 의해 전송기어에 응력이 가해지는 것을 방지하는 완충챔버; 및

상기 웨이퍼전송챔버의 일측에 연결되어 에피택셜층 성장시 외부로부터의 오염을 감소시키고 에피택셜층 성장이 완료된 웨이퍼를 수평이송시켜 외부로 배출하기 위한 로드락챔버

를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 저압 화학증착장치

제 1 항에 있어서,

상기 이중구조의 석영관은,

그 하부에 지지용 플랜지를 포함하면서 하단부를 개방시킨 내부석영관,

상기 내부석영관과 소정간격 거리를 두고 상기 내부석영관 지지용 플랜지에 지지되며, 하부에 지지용 플랜지를 포함하면서 하단부를 개방시킨 외부석영관;

상기 외부석영관 지지용 플랜지의 외측에 구비되어 상기 외부석영관에 전달되는 열전달을 방지하는 냉각수관;

상기 내부석영관의 일측 내주면을 따라 구비된 열전대와 타측 내주면을 따라 구비된 가스주입구; 및

상기 외부석영관의 일측 지지용 플랜지의 일측면을 개방시켜 진공을 제공하는 진공포트를 포함하고,

상기 열전대와 가수주입구는 상기 내부석영관 지지용 플랜지에 그 하단부가 연결되며, 상기 내부석영관 지지용 플랜지의 중앙부는 웨이퍼를 적재 및 탈재시키는 입구와 출구로서의 개구가 형성된 것을 특징으로 하는 저압 화학증착장치

제 2 항에 있어서,

상기 외부석영관과 내부석영관의 사이는 10-3Torr 압력을 유지하는 것을 특징으로 하는 저압 화학증착장치

제 2 항에 있어서,

상기 외부석영관은,

제 4 항에 있어서,

상기 이중튜브는 상기 이중 튜브의 내부에 일정한 간격으로 배치되어 불균일한 열발생을 방지하는 석영지지대를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저압화학증착장치

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 성장챔버는,

상기 외부석영관의 외주면을 감싸면서 상기 성장챔버의 온도를 조절하도록 내면에 히터를 부착한 노;

상기 노의 측면에 부착되어 상기 노의 내부에 삽입된 상기 이중석영관의 모듈을 교체하거나 세척하기 쉽게 하는 호이스트와 회전용 핸들; 및

상기 노의 상부에 구비되어 공기를 순환시키는 환기관을 포함하고,

상기 호이스트는 상기 노와 삽입된 석영관 모듈을 동시에 상부로 들어 올릴 수 있도록 하고, 상기 회전용 핸들은 유지보수를 쉽게 할 수 있도록 옆으로 기울여 작업공간을 확보하는 것을 특징으로 하는 저압 화학증착장치

제 1 항에 있어서,

상기 웨이퍼 전송챔버내의 수직이송장치는,

에피를 성장하는 동안 상기 성장챔버와 웨이퍼전송챔버를 분리시키며 중심이 개방된 상부 플랜지;

다수의 웨이퍼가 수용되어 지지된 웨이퍼캐리어;

상기 웨이퍼캐리어를 지지하는 석영바닥판;

상기 석영 바닥판에 연결되어 상기 웨이퍼가 적재된 웨이퍼캐리어를 지지하면서 수직이송시키는 웨이퍼전송대;

상기 완충챔버에 부착되며 중심이 개방된 하부 플랜지;

상기 상부플랜지의 일측과 상기 완충챔버 사이에 연결되고 상기 상부플랜지를 상측으로 이동시키는 외부벨로즈와 1차 전송기어를 포함한 1차 이송대; 및

상기 웨이퍼전송대에 연결된 2차 전송기어를 포함하고 상기 1차 이송대에 의해 수직전송된 상기 웨이퍼캐리어를 상기 성장챔버의 균일한 온도영역에 위치시키도록 상기 상부플랜지와 2차 전송기어 사이에 연결되어 상기 2차 전송기어의 회전에 의해 상측으로 이동되는 내부벨로즈를 포함하는 2차 이송대

를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 저압 화학증착장치

제 2 항 또는 제 7 항에 있어서,

상기 상부플랜지에는 상기 외부석영관과 내부석영관의 압력 차이에 의해 상기 석영관이 움직이는 것을 방지하는 더블오링이 구비되는 것을 특징으로 하는 저압화학증착장치

제 1 항에 있어서,

상기 웨이퍼전송챔버는 그 내부에 상기 성장챔버를 고온으로 상승시켜 10-9∼10-10Torr의 기본진공을 유지시키는 액체질소가리개를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저압화학증착장치

제 1 항에 있어서,

상기 웨이퍼전송챔버, 완충챔버 및 로드락챔버를 연결하는 부분은 스테인레스강으로 제조되며, 상기 챔버들의 외부에는 방열띠와 보온대가 구비되는 것을 특징으로 하는 저압화학증착장치

제 1 항 또는 제 11 항에 있어서,

상기 성장챔버와 터보펌프 사이에 역방향 흐름에 의한 오염을 방지하는 액체질소트랩이 구비되는 것을 특징으로 하는 저압화학증착장치

제 1 항에 있어서,

상기 완충챔버는 10-3Torr의 압력을 유지하도록 로타리펌프에 연결되는 것을 특징으로 하는 저압화학증착장치

에피택셜층 성장을 위한 웨이퍼가 적재된 성장챔버를 가열하는 노를 포함하는 저압 화학증착장치에 있어서,

하부에 지지용 플랜지를 포함하면서 하단부를 개방시킨 내부석영관,

상기 내부석영관과 소정간격 거리를 두고 상기 내부석영관 지지용 플랜지에 지지되며, 하부에 지지용 플랜지를 포함하면서 하단부를 개방시킨 외부석영관;

상기 외부석영관의 외주면을 감싸면서 상기 성장챔버의 온도를 조절하도록 내면에 히터를 부착한 노;

상기 외부석영관 지지용 플랜지의 외측에 구비되어 상기 노에 의해 상기 외부석영관에 전달되는 열전달을 방지하는 냉각수관;

상기 내부석영관의 일측 내주면을 따라 구비된 열전대와 타측 내주면을 따라 구비된 가스주입구; 및

상기 외부석영관의 일측 지지용 플랜지의 일측면을 개방시켜 진공을 제공하는 진공포트를 포함하고,

상기 열전대와 가수주입구는 상기 내부석영관 지지용 플랜지에 그 하단부가 연결되며, 상기 내부석영관 지지용 플랜지의 중앙부는 웨이퍼를 적재 및 탈재시키는 입구와 출구로서의 개구가 형성된 것을 특징으로 하는 저압 화학증착장치

제 14 항에 있어서,

상기 외부석영관은 이중튜브로 이루어지며,

상기 이중튜브는 상기 이중 튜브의 내부에 일정한 간격으로 배치되어 불균일한 열발생을 방지하는 석영지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 저압화학증착장치

에피택셜층 성장을 위한 웨이퍼가 적재된 성장챔버를 가열하는 노를 포함하는 저압 화학증착장치에 있어서,

하부에 지지용 플랜지를 포함하면서 하단부를 개방시킨 내부석영관,

상기 내부석영관과 소정간격 거리를 두고 상기 내부석영관 지지용 플랜지에 지지되며, 하부에 지지용 플랜지를 포함하면서 하단부를 개방시킨 외부석영관;

상기 외부석영관의 외주면을 감싸면서 상기 성장챔버의 온도를 조절하도록 내면에 히터를 부착한 노;

상기 외부석영관 지지용 플랜지의 외측에 구비되어 상기 노에 의해 상기 외부석영관에 전달되는 열전달을 방지하는 냉각수관;

상기 내부석영관의 일측 외주면을 따라 구비된 열전대;

상기 내부석영관의 타측 외주면을 따라 구비되어 상기 내부석영관에 반응가스를 주입하는 가스주입구; 및

상기 외부석영관의 일측 지지용 플랜지의 일측면을 개방시켜 진공을 제공하는 진공포트를 포함하고,

상기 열전대와 가수주입구는 상기 내부석영관 지지용 플랜지에 그 하단부가 연결되며, 상기 내부석영관 지지용 플랜지의 중앙부는 웨이퍼를 적재 및 탈재시키는 입구와 출구로서의 개구가 형성된 것을 특징으로 하는 저압 화학증착장치

제 16 항에 있어서,

상기 외부석영관 지지용 플랜지는 상기 노의 열전달에 의해 상기 외부석영관이 파일되는 것을 방지하도록 이중프랜지로 이루어진 것을 특징으로 하는 저압화학증착장치

저압화학증착장치에 있어서,

에피를 성장하기 위해 외부석영관과 내부석영관을 구비한 이중관 구조의 성장챔버;

상기 에피를 성장하는 동안 상기 성장챔버의 하측에 부착되며 중심이 개방된 상부 플랜지;

다수의 웨이퍼가 수용되어 지지된 웨이퍼캐리어;

상기 웨이퍼캐리어를 지지하는 석영바닥판;

제 19 항에 있어서,

상기 상부플랜지에는 상기 외부석영관과 내부석영관의 압력 차이에 의해 상기 석영관이 움직이는 것을 방지하는 더블오링이 구비되는 것을 특징으로 하는 저압화학증착장치