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고품위플라즈마질화규소막증착방법

  • 기술번호 : KST2015093541
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ULSI 소자 제작에 있어서 이를 응용한 소자특성을 향상시킬 수 있도록, 특히 불순물에 대하여 치밀한 확산장벽 특성이 요구되는 절연막 및 보호막으로 유용한 고 품위의 질화 규소막을 400℃ 이하의 저온 공정으로 형성하는 방법에 관한 것이다.특히, 본 발명의 방법에 의하면 고온 화학증착에 의한 질화규소(Si3 N4) 와 유사한 화학조성을 가지는 박막의 형성이 가능하므로, 화합물 반도체 소자의 불순물 확산 방지층 및 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 절연층 등으로의 활용도 기대된다.본 발명에서는 플라즈마 화학기상 증착기에서 반응기체로써 SiH4 + N2 혼합기체를 사용하되, 수십 Å의 박막 증착과 그 직후 N2 플라즈마 처리를 주기적으로 반복함으로써 필요한 두께의 질화규소막을 형성하는 방법을 사용하는데, 이 방법은 통상의 평행판 플라즈마 화학기상 증착기에서도 실시할 수 있을 뿐만 아니라, 형성되는 질화규소막내에 수소농도를 최소화할 수 있고, 안정적인 Si/N 조성비를 유지할 수 있는 등의 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/0217(2013.01) H01L 21/0217(2013.01)
출원번호/일자 1019940036335 (1994.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0160543-0000 (1998.08.19)
공개번호/일자 10-1996-0026136 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이중화 대한민국 대전직할시유성구
2 구진근 대한민국 대전직할시유성구
3 유형준 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163804-96
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163805-31
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163806-87
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163807-22
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163808-78
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091014-15
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.04.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163811-16
8 의견서
Written Opinion		 1998.04.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163810-60
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163809-13
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091015-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

플라즈마 화학기상 증착기에서 N2 기체를 일정량 주입하면서 플라즈마를 형성한 뒤, 형성된 N2 플라즈마 속으로 짧은 시간동안 SiH4 기체를 주입하여 수십 Å의 박막을 증착하고, 그 직후 N2 기체로 형성된 플라즈마 처리를 하여, 증착과 플라즈마 처리의 과정을 주기적으로 반복 함으로써 필요한 두께의 질화규소막을 형성하는 방법

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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 반응로 속에서 질화규소막을 증착하고, 연속적으로 Ar이나 He 등의 플라즈마 표면처리를 수행하여 막의 조성 및 구조를 변화시켜 양질의 질화규소막을 형성하는 방법

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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 주기적으로 반복되는 증착 및 플라즈마 표면처리의 일련의 공정과정을 플라즈마 화학기상 증착기에 제공되는 마이크로 프로세서에 의해 제어하는 질화규소막의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.