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반도체 디바이스 및 이에 대한 템퍼 방지 방법

  • 기술번호 : KST2015094561
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 디바이스 및 이에 대한 템퍼 방지 방법에 관한 것이다. 본 발명에서, 반도체 디바이스는 내템퍼모듈을 포함하며, 내장된 내템퍼모듈을 이용하여 외부로부터 입력되는 전원신호 및 클럭 그리고, 반도체 디바이스의 내부온도가 정상동작에 해당하는 기 설정된 범위 내에 포함되는지를 확인한다. 그리고, 확인결과에 기초해 코어모듈로 출력되는 클럭 또는 전원신호를 차단하거나, 리셋신호를 코어모듈로 출력한다.
Int. CL G06F 21/00 (2006.01) G06F 1/32 (2006.01) G06F 11/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070126988 (2007.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0926568-0000 (2009.11.05)
공개번호/일자 10-2009-0059899 (2009.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20091112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.07)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영수 대한민국 대전 서구
2 박지만 대한민국 대전 유성구
3 전성익 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0882972-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0052272-97
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0347347-81
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0626845-82
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0626843-91
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0450507-84
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
코어모듈을 포함하는 반도체 디바이스에 있어서, 상기 반도체 디바이스의 외부로부터 입력되는 클럭을 분주하여 출력하는 분주기 상기 분주기를 통해 분주된 상기 클럭에 대응하는 전압을 출력하는 전류모드적분기; 상기 전류모드적분기에서 출력되는 전압과 기 설정된 주파수범위 내 최저주파수에 대응되는 비교전압을 비교한 제1 결과를 출력하는 제1 비교기; 상기 전류모드적분기에서 출력되는 전압과 상기 주파수범위 내 최고주파수에 대응되는 비교전압을 비교한 제2 결과를 출력하는 제2 비교기; 상기 제1 결과 및 상기 제2 결과를 OR 연산하여 제1 제어신호를 출력하는 제1 OR 게이트; 및 상기 제1 제어신호를 토대로, 상기 반도체 디바이스의 외부로부터 입력되어 상기 코어모듈로 전달되는 전원신호 및 상기 클럭의 차단 여부를 결정하는 제어부 를 포함하는 반도체 디바이스
2 2
제1항에 있어서, 상기 전원신호를 기 설정된 전압범위 내 최저전압과 비교한 제3 결과를 출력하는 제3 비교기; 상기 전원신호를 상기 전압범위 내 최고전압과 비교한 제4 결과를 출력하는 제4 비교기; 및 상기 제3 결과 및 상기 제4 결과를 OR연산하여 제2 제어신호를 출력하는 제2 OR 게이트 를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 제어신호 및 상기 제2 제어신호를 OR 연산한 제어신호를 토대로 상기 전원신호 및 상기 클럭의 차단 여부를 결정하는 반도체 디바이스
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 반도체 디바이스의 내부온도에 대응되는 전압을 출력하는 온도센서; 상기 온도센서의 출력전압과 기 설정된 온도범위 내 최저온도에 대응되는 비교전압을 비교한 제3 결과를 출력하는 제3 비교기; 상기 출력전압과 상기 온도범위 내 최고온도에 대응되는 비교전압을 비교한 제4 결과를 출력하는 제4 비교기; 및 상기 제3 결과 및 상기 제4 결과를 OR 연산하여 제2 제어신호를 출력하는 제2 OR 게이트 를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 제어신호 및 상기 제2 제어신호를 OR 연산한 제어신호를 토대로 상기 전원신호 및 상기 클럭의 차단 여부를 결정하는 반도체 디바이스
6 6
제2항 또는 제5항에 있어서, 상기 제어부는 상기 제어신호와 상기 클럭을 OR 연산하여 상기 코어모듈로 출력하는 반도체 디바이스
7 7
제2항 또는 제5항에 있어서, 상기 제어부는 상기 제어신호의 반전신호와 상기 전원신호를 AND 연산하여 상기 코어모듈로 출력하는 반도체 디바이스
8 8
제2항 또는 제5항에 있어서, 상기 제어부는 상기 제어신호에 기초해 상기 코어모듈로 입력되는 리셋신호를 제어하는 반도체 디바이스
9 9
제2항 또는 제5항에 있어서, 상기 반도체 디바이스의 외부로부터 입력되는 선택신호에 기초해 상기 제어부에서 출력되는 상기 전원신호 및 상기 클럭을 상기 코어모듈로 전달할지 여부를 선택하는 멀티플렉서 를 더 포함하는 반도체 디바이스
10 10
코어모듈을 포함하는 반도체 디바이스에 있어서, 상기 반도체 디바이스의 외부로부터 입력되는 클럭을 분주하여 출력하는 분주기 상기 분주기를 통해 분주된 상기 클럭에 대응하는 전압을 출력하는 전류모드적분기; 상기 전류모드적분기에서 출력되는 전압과 기 설정된 주파수범위 내 최저주파수에 대응되는 비교전압을 비교한 제1 결과를 출력하는 제1 비교기; 상기 전류모드적분기에서 출력되는 전압과 상기 주파수범위 내 최고주파수에 대응되는 비교전압을 비교한 제2 결과를 출력하는 제2 비교기; 상기 제1 결과 및 상기 제2 결과를 OR 연산하여 제1 제어신호를 출력하는 제1 OR 게이트; 및 상기 제1 제어신호에 기초해 상기 코어모듈로 입력되는 리셋신호를 제어하는 제어부 를 포함하는 반도체 디바이스
11 11
제10항에 있어서, 상기 제어부는 상기 제1 제어신호를 토대로, 상기 반도체 디바이스의 외부로부터 입력되어 상기 코어모듈로 전달되는 전원신호 및 상기 클럭의 차단 여부를 결정하는 반도체 디바이스
12 12
제10항에 있어서, 상기 반도체 디바이스로 입력되는 전원신호가 기 설정된 전압범위에 포함되는지 여부에 기초해 제2 제어신호를 출력하는 전압센싱부; 상기 반도체 디바이스의 내부온도가 기 설정된 온도범위에 포함되는지 여부에 기초해 제3 제어신호를 출력하는 온도센싱부; 및 상기 제1 제어신호, 상기 제2 제어신호 및 상기 제3 제어신호를 OR 연산하여 제어신호를 출력하는 제2 OR 게이트 를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 제어신호를 이용하여 상기 리셋신호를 제어하는 반도체 디바이스
13 13
코어모듈을 포함하는 반도체 디바이스에 대한 템퍼 방지 방법에 있어서, 상기 반도체 디바이스의 외부로부터 입력되는 클럭을 분주하는 단계; 분주된 상기 클럭에 대응하는 전압을 출력하는 단계; 상기 전압과 기 설정된 주파수범위 내 최저주파수에 대응되는 비교전압을 비교한 제1 결과를 출력하는 단계; 상기 전압과 상기 주파수범위 내 최고주파수에 대응되는 비교전압을 비교한 제2 결과를 출력하는 단계; 상기 제1 결과 및 상기 제2 결과를 OR 연산하여 제1 제어신호를 출력하는 단계; 및 상기 제1 제어신호를 토대로 상기 코어모듈의 리셋 여부를 결정하는 단계 를 포함하는 템퍼 방지 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 반도체 디바이스로 입력되는 전원신호를 기 설정된 전압범위 내 최저전압 및 최고전압과 각각 비교한 결과에 대응하는 제2 제어신호를 출력하는 단계; 및 상기 반도체 디바이스의 내부온도를 기 설정된 온도범위 내 최저온도 및 최고온도와 각각 비교한 결과에 대응하는 제3 제어신호를 출력하는 단계 를 더 포함하는 템퍼 방지 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 리셋 여부를 결정하는 단계는, 상기 제1 제어신호, 상기 제2 제어신호 및 상기 제3 제어신호를 OR 연산한 결과를 토대로 상기 코어모듈의 리셋 여부를 결정하는 단계 를 포함하는 템퍼 방지 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT성장동력기술개발 차세대 모바일 단말기의 보안 및 신뢰 서비스를 위한 공통보안 핵심 모듈 개발