요약 | 본 발명은 광학장치를 제공한다. 이 장치는 기판, 기판 상에 배치된 제1 클래딩, 제1 클래딩 상에 제1 방향으로 연장되는 제1 유전율을 가지는 제1 광도파로, 제1 광도파로의 적어도 일측에 형성된 측면 격자, 제1 클래 상에 상기 측면 격자의 공간을 채우고 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 연장되는 제2 유전율을 가지는 제2 광도파로, 및 제2 광도파로 상에 배치된 제3 유전율을 가진 제2 클래딩을 포함하되, 제1 유전율은 제2 유전율보다 크고, 제2유전율은 제3 유전율보다 크다.측면 격자, 광도파로, 커플러, 실리콘 기판 |
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Int. CL | G02B 6/12 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020080125871 (2008.12.11) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-1153369-0000 (2012.05.30) |
공개번호/일자 | 10-2010-0067347 (2010.06.21) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20120608) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.12.11) |
심사청구항수 | 14 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 표정형 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
2 | 김덕준 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
3 | 김인규 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
4 | 김경옥 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 한국전자통신연구원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.12.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0853459-95 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.12.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0738209-18 |
4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.01.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0002045-08 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.01.02 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0002046-43 |
6 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.05.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0295846-92 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판;상기 기판 상에 배치된 제1 클래딩;상기 제1 클래딩 상에 제1 방향으로 연장되는 제1 유전율을 가지는 제1 광도파로;상기 제1 광도파로의 적어도 일측에 형성된 측면 격자;상기 제1 클래딩 상에 상기 측면 격자의 공간을 채우고 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 연장되는 제2 유전율을 가지는 제2 광도파로; 및상기 제2 광도파로 상에 배치된 제3 유전율을 가진 제2 클래딩을 포함하되, 상기 제1 유전율은 상기 제2 유전율보다 크고, 상기 제2유전율은 상기 제3 유전율보다 큰 것을 특징으로 하는 광학장치 |
2 |
2 제1 항에 있어서,상기 제2 광도파로는 상기 제1 광도파로 상으로 연장되고, 상기 연장된 제2 광도파로 상에 제2 클래딩이 배치되는 것을 특징으로 하는 광학 장치 |
3 |
3 제1 항에 있어서,상기 제2 클래딩은 상기 제1 광도파로 상에 접촉하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 광학 장치 |
4 |
4 제1 항에 있어서,상기 제2 광도파로는 실리콘질화막, 또는 실리콘 산화질화막인 것을 특징으로 하는 광학 장치 |
5 |
5 제1 항에 있어서,상기 제1 클래딩 및/또는 상기 제2 클래딩은 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 광학 장치 |
6 |
6 제1 항에 있어서,상기 제2 광도파로는 제1 테이퍼 영역, 직선 영역, 제2 테이퍼 영역을 포함하되, 상기 제1 테이퍼 영역의 크기는 상기 직선 영역의 크기보다 크고, 상기 직선 영역의 크기는 상기 제2 테이퍼 영역 보다 큰 것을 특징으로 하는 광학 장치 |
7 |
7 제1 항에 있어서,상기 제1 광도파로와 이격된 제3 광도파로를 더 포함하되,상기 제3 광도파로는 상기 제2 광도파로와 접촉하고, 상기 제3 광도파로의 일부 또는 전부 상에 상기 제2 클래딩이 배치되는 것을 특징으로 하는 광학 장치 |
8 |
8 제1 항에 있어서,상기 측면 격자는 상기 제1 광도파로의 양면에 대칭적으로 배치된 것을 특징으로 하는 광학 장치 |
9 |
9 제1 항에 있어서,상기 측면 격자는 상기 제1 광도파로의 일측에 배치된 제1 측면격자와 상기 제1 광도파로의 타측에 배치된 제2 측면 격자를 포함하되, 상기 제1 측면격자와 상기 제2 측면 격자는 주기 범위 안에서 서로 오프셋된 것을 특징으로 하는 광학 장치 |
10 |
10 제1 항에 있어서, 상기 측면 격자는 상기 제1 광도파로의 일측에만 배치된 것을 특징으로 하는 광학 장치 |
11 |
11 제1 항에 있어서,상기 측면 격자는 상기 제1 광도파로의 일측에 경사지게 배치된 것을 특징으로 하는 광학 장치 |
12 |
12 제1 항에 있어서,상기 제2 광도파로에 형성된 수직 격자 상에 배치된 제4 광도파로를 더 포함하되, 상기 제4 광도파로는 광 파이버인 것을 특징으로 하는 광학 장치 |
13 |
13 제1 항에 있어서,상기 제1 광도파로와 상기 제2 광도파로는 같은 평면에 배치된 것을 특징으로 하는 광학 장치 |
14 |
14 기판;상기 기판 상에 배치된 제1 클래딩;상기 제1 클래딩 상에 제1 방향으로 연장되는 제1 유전율을 가지는 제1 광도파로;상기 제1 광도파로의 적어도 일측에 형성된 제1 측면 격자;상기 제1 측면 격자와 이격되어 상기 제1 광도파로의 적어도 일측에 형성된 제2 측면 격자;상기 제1 클래딩 상에 상기 제1 측면 격자의 공간을 채우고 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 연장되는 제2 유전율을 가지는 제2 광도파로; 상기 제1 클래딩 상에 상기 제2 측면 격자의 공간을 채우고 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 연장되는 제3 유전율을 가지는 제3 광도파로; 및상기 제2 광도파로 및 상기 제3 광도파로 상에 배치된 제4 유전율을 가진 제2 클래딩을 포함하되, 상기 제1 유전율은 상기 제2 유전율 및 상기 제3 유전율보다 크고, 상기 제2 유전율 및 상기 제3 유전율은 상기 제4 유전율보다 큰 것을 특징으로 하는 광학장치 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US07881574 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20100150500 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2010150500 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US7881574 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 | 한국전자통신연구원 | IT원천기술개발 | 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC |
특허 등록번호 | 10-1153369-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20081211 출원 번호 : 1020080125871 공고 연월일 : 20120608 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120521 청구범위의 항수 : 14 유별 : G02B 6/12 발명의 명칭 : 광학장치 존속기간(예정)만료일 : 20150531 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2012년 05월 31일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.12.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0853459-95 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
3 | 의견제출통지서 | 2011.12.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0738209-18 |
4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.01.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0002045-08 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.01.02 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0002046-43 |
6 | 등록결정서 | 2012.05.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0295846-92 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1415107630 |
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세부과제번호 | KI001499 |
연구과제명 | 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200602~201101 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415086672 |
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세부과제번호 | A1100-0802-0109 |
연구과제명 | 실리콘기반초고속광인터커넥션IC |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200602~201101 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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