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기판 상에 복수의 그레이팅을 포함하는 그레이팅 구조층을 형성하는 단계;상기 그레이팅 구조층 상부에 제1 격자정합층을 형성하는 단계;상기 제1 격자정합층 상에 적어도 하나의 양자점을 갖는 하나이상의 양자점층을 형성하는 단계;상기 양자점층 상에 제2 격자정합층을 형성하는 단계;상기 제2 격자정합층 상에 클래드층을 형성하는 단계; 및상기 클래드층 상에 오믹 콘택층을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 레이저 다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,상기 양자점을 형성하는 단계에서는, 유기 금속 화학 증착법, 분자선 증착법, 및 화학선 증착법 중 하나를 이용하는 양자점 레이저 다이오드 제조방법
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제2항에 있어서,상기 양자점은 In(Ga)As를 이용하여 형성하는 양자점 레이저 다이오드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 격자정합층을 형성하는 단계에서는, Ⅲ-Ⅴ족 화합물을 이용하여 상기 제1 및 제2 격자정합층을 형성하는 양자점 레이저 다이오드의 제조방법
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5
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 격자정합층을 형성하는 단계에서는, 상기 제1 및 제2 격자정합층을 스핀 인덱스(SPIN) 형태의 웨이브 가이드를 갖는 SCH(Separate confinement hetero) 구조로 형성하는 양자점 레이저 다이오드 제조방법
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제5항에 있어서,상기 SPIN 형태의 SCH 구조로 상기 제1 및 제2 격자정합층을 형성하는 경우, 상기 SPIN SCH 구조내에 양자우물의 형태를 삽입하여 상기 양자점을 대칭적 또는 비대칭적으로 둘러싸도록 형성하는 양자점 레이저 다이오드 제조방법
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7
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 격자정합층을 형성하는 단계에서는, 상기 제1 및 제2 격자정합층을 그레이디드 인덱스(GRIN) 형태의 웨이브 가이드를 갖는 SCH(Separate confinement hetero) 구조로 형성하는 양자점 레이저 다이오드 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 GRIN 형태의 SCH 구조로 상기 제1 및 제2 격자정합층을 형성하는 경우, 상기 GRIN SCH 구조 내에 양자우물의 형태를 삽입하여 상기 양자점을 대칭적 또는 비대칭적으로 둘러싸도록 형성하는 양자점 레이저 다이오드 제조방법
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기판 상에 형성되는 복수의 그레이팅을 포함하는 그레이팅 구조층;상기 그레이팅 구조층 상부에 형성되는 제1 격자정합층;상기 제1 격자정합층 상에 형성되는 적어도 하나의 양자점을 포함하는 하나이상의 양자점층; 상기 양자점층 상에 형성되는 제2 격자정합층;상기 제2 격자정합층상에 형성되는 클래드층; 및상기 클래드층 상에 형성되는 오믹 콘택층을 포함하는 양자점 레이저 다이오드
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제9항에 있어서, 상기 기판은 InP기판 또는 GaAs기판인 양자점 레이저 다이오드
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제9항에 있어서상기 양자점은 In(Ga)As로 이루어지는 양자점 레이저 다이오드
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제9항에 있어서,상기 제1 및 제2 격자 정합층은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 이루어지는 양자점 레이저 다이오드
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제9항에 있어서,상기 제1 및 제2 격자 정합층은 스핀 인덱스(SPIN) 형태 또는 그레이디드 인덱스(GRIN) 형태의 웨이브 가이드를 갖는 SCH(Separate confinement hetero) 구조인 양자점 레이저 다이오드
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