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에르븀-도우프트평면형광증폭기제조방법

  • 기술번호 : KST2015095291
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에르븀-도우프트 평면형 광증폭기 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 혹은 실리카의 단일 기판상에 언도우프트 코아층(6)을 형성하고, 그의 중심영역을 소정의 형상으로 식각하여 광증폭영역을 정의하는 공정, 상기 언도우프트 코아층(6) 및 광증폭영역상에 에르븀 도우프트 코아층(8)을 형성하고 두 코아층의 표면을 평탄화하는 공정 및 상기 언도우프트 코아층(6)과 에르븀 도우프트 코아층(8)을 패터닝하여 입출력단이 언도우프트 코아층으로 형성되고, 광증폭영역이 에르븀 도우프트 코아층으로 형성되는 도파로(6a, 8a)를 형성하는 공정을 수행함으로써, 광증폭 현상을 향상시키고, 광섬유와의 접속손실과 도파로의 전송손실을 감소시킬 수 있는 효과를 갖는다.
Int. CL G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/00 (2006.01)
CPC G02F 1/395(2013.01) G02F 1/395(2013.01) G02F 1/395(2013.01) G02F 1/395(2013.01) G02F 1/395(2013.01) G02F 1/395(2013.01) G02F 1/395(2013.01) G02F 1/395(2013.01)
출원번호/일자 1019970071655 (1997.12.22)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0289041-0000 (2001.02.14)
공개번호/일자 10-1999-0052206 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.22)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심재기 대한민국 대전광역시 유성구
2 이윤학 대한민국 대전광역시 서구
3 성희경 대한민국 대전광역시 유성구
4 최태구 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0223705-74
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0223707-65
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0223706-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0127377-14
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.07.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5215504-17
8 의견서
Written Opinion		 2000.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2000-5215503-61
9 등록사정서
Decision to grant		 2001.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0018759-63
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 혹은 실리카의 단일 기판상에 언도우프트 코아층(6)을 형성하고, 그의 중심영역을 소정의 형상으로 식각하여 광증폭영역을 정의하는 제 1 공정;

상기 언도우프트 코아층(6) 및 광증폭영역상에 에르븀 도우프트 코아층(8)을 형성하고 두 코아층의 표면을 평탄화하는 제 2 공정; 및

상기 언도우프트 코아층(6)과 에르븀 도우프트 코아층(8)을 패터닝하여 입출력단이 언도우프트 코아층으로 형성되고, 광증폭영역이 에르븀 도우프트 코아층으로 형성되는 도파로(6a, 8a)를 형성하는 제 3 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에르븀-도우프트 평민형 광증폭기의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 언도우프트 코아층(6)과 도우프트 코아층(8)은 화염가수분해증착(FHD)법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 에르븀-도우프트 평면형 광증폭기의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 광증폭영역은

언도우프트 코아층(6)상에 알루미늄 식각 마스크를 형성하고 건식 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 에르븀-도우프트 평면형 광증폭기 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 광증폭영역은

상기 광증폭영역은 언도우프트 코아층(6)상에 알루미늄 식각 마스크를 형성하고 CF4, CHF3 가스를 사용하여(ICP:유도결합 플라즈마 에칭)법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 에르븀-도우프트 평면형 광증폭기 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 에르븀 도우프트 코아층(8)은

SiCl4, BCl3, POCl3(PCl3)를 실리카 원료로 사용하고 에르븀(Er)원료로 에르븀 킬레이트(Chelates)를 사용하는 화염가수분해증착법으로 실리카 미립자를 형성하고 1250∼1350℃의 온도에서 고밀화시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 에르븀-도우프트 평면형 광증폭기 제조방법

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 에르븀 도우프트 코아층(8)은

에르븀 킬레이트(Chelates)중 전구체(Precursor)로 Er(DPM-Dipivaloylmethane)-Er(thd)3-2,2,6,6,-tetramethyl-3,5-heptanedionate)를 사용하며, 에르븀-킬레이트(Chelates)의 공급라인의 온도는 175∼220℃로 유지하고 헤륨(He), 질소(N2) 가스를 이송기체로 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 에르븀-도우프트 평면형 광증폭기 제조방법

7 7

제 5 항에 있어서, 상기 에르븀 도우프트 코아층(8)은

상기 에르븀 도우프트 코아층(8)은 BCl3, POCl3(PCl3)를 사용한 동시도핑(Codoping)하되, 인(P)농도는 10∼25% 정도로 도핑하여 Er+3 이온의 사이트(Site)를 제공하고, 보론(B) 농도는 1% 미만의 적은 양을 도핑하여 실리카막의 투명성을 개선시키는 것을 특징으로 하는 에르븀 도우프트 평면형 광증폭기 제조방법

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 언도우프트 코아층(6)과 에르븀 도우프트 코아층(8)은

상기 광증폭영역에 형성된 에르븀 도우프트 코아층(8)상에 마스크를 형성하고, 언도우프트 코아층(6)상에 형성된 도우프트 코아층(8)을 유도결합 플라즈마 에칭(ICP)법으로 식각하여 표면 평탄화를 수행하는 것을 특징으로 하는 에르븀-도우프트 평면형 광증폭기 제조방법

9 9

제 8 항에 있어서, 상기 표면 평탄화는

상기 광증폭영역에 형성된 에르븀 도우프트 코아층(8)상에 마스크를 형성하고, 언도우프트 코아층(6)상에 형성된 도우프트 코아층(8)을 등방성 식각하고, 1200∼1300℃의 온도에서 플로잉하는 것을 특징으로 하는 에르븀-도우프트 평면형 광증폭기 제조방법

10 10

제 1 항에 있어서,

상기 입력단(1)측의 도파로(6a)에 광출력신호(1550nm)와 펌핑광(980nm)을 결합시켜 WDM 결합기(3)를 형성하는 것을 특징으로 하는 에르븀-도우프트 평면형 광증폭기 제조방법

11 11

제 1 항에 있어서,

상기 출력단(4)측의 도파로(6a)를 이용하여 1×16 광분배기를 형성하는 것을 특징으로 하는 에르븀-도우프트 평면형 광증폭기 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.