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GAAS/ALGAAS층의 선택에칭 방법

  • 기술번호 : KST2015095933
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaAs/AlGaAs HEM의 제조시 게이트 전극이 형성되는 부분인 GaAs의 표면층(15)을 AlGaAs층(14)에 손상을 주지 않는 상태로 제거하기 위하여 상기 AlGaAs층(14)상에 Al0.30Ga0.70As의 에치 스톱층(100)을 형성하고, 상기 GaAs의 표면층(15)에 게이트 전극 패턴(17)을 형성하고, 1 몰의 구연산과 과산화 수소를 1:1의 부피비로 혼합한 에칭용액을 사용하여 노출된 표면층(15)을 제거하여 게이트 전극이 형성되어질 영역인 게이트 리세스 부분을 형성한다.본 발명은 상술한 바와 같은 에칭 스톱층과 에칭용액을 이용함으로서 GaAs와 AlGaAs층을 사용하는 HEMT 소자의 특성의 균일도를 향상시키고 수율을 높일 수 있다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC H01L 21/30612(2013.01) H01L 21/30612(2013.01)
출원번호/일자 1019960064697 (1996.12.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0046372 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.12)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 문은아 대한민국 서울특별시 용산구
3 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
4 문재경 대한민국 대전광역시 서구
5 이재진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215579-39
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215577-48
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215578-94
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.24 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215580-86
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215581-21
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.15 수리 (Accepted) 1-1-1999-5111866-75
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0116472-69
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1999.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0186952-47
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

AlGaAs층, AlGaAs층의 에치 스톱층 및 GaAs의 표면층이 차례로 적층된 GaAs/AlGaA HEMT의 GaAs/AlGaAs층의 선택에칭 방법에 있어서;

상기 GaAs의 표면층상에 에칭용 마스크를 형성하고, 1 몰의 구연산과 과산화 수소의 부피 비가 1:1 또는 1:2인 혼합 에칭용액을 사용하여 상기 GaAs의 표면층을 식각하는 것을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs층의 선택에칭 방법

2 2

제 1항에 있어서,

상기 에치 스톱층은 Al0

3 3

제 1항에 있어서,

상기 에치 스톱층의 AlGaAs은 Al 조성이 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.