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상온 고픽전류 공진 터널링 전자 장치

  • 기술번호 : KST2015096517
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고속 전자 장치 또는 논리 스위칭 장치에 사용되는 반도체 이질접합 다중 장벽 구조에 관한 것으로, 특히 도전형 에미터층과 콜렉터층 사이에 전위장벽층이 배치되는 공진 터널링 반도체 장치에서 전위 장벽층을 구성하는 에너지 장벽층들의 넓이와 양자 우물층의 넓이들을 비대칭 적으로 조합하여 얇은 바깥 장벽층들의 효과로 인한 전기용량의 감소 효과와, 에너지가 낮은 양자 속박 준위들의 스타크 쉬프트(Stark shift)에 의한 정렬을 통해 얻어지는 공진 터널링 효과의증대와, 공진 터널링 효과의 증대로 상온에서 높은 피크 전류(peak current)의 증가 및 낮은 동작 전압의 구현에 의한 저전력 소모, 높은 피크-밸리 전류비(PVR; Peak to Valley Ratio)의 성취로 전자를 고속으로 이동 시킬 수 있는 상온 고픽(enhanced peak)전류 공진 터널링 전자 장치에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC H01L 29/66219(2013.01)
출원번호/일자 1019960063141 (1996.12.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0222399-0000 (1999.07.05)
공개번호/일자 10-1998-0044984 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (19991001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.09)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경옥 대한민국 대전광역시 유성구
2 노동완 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0210850-47
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0210851-93
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0210852-38
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0210853-84
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0115205-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055003-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

도전형의 에미터층, 콜렉터층 들과, 에미터층과 콜렉터 사이에 배치되어 있는 3개 이상의 에너지 장벽층을 포함하는 터널링 고속 반도체 장치에 있어서, 양자 장벽층의 넓이가 점차 증가하다 감소하고, 양자 우물층들의 넓이가 점차 증가 또는 감소 되도록 상기 양자 우물층과 양자 장벽층들이 비대칭적으로 구성된 것을 특징으로 하는 상온 고픽전류 공진 터널링 전자 장치

2 2

제1항에 있어서, 상기 양자 우물층과 양자 장벽층들이 비대칭적으로 구성된 전자 장치는 스타크 쉬프에 의한 반도체 이질접합 구조의 양자속박 준위들의 정렬을 이용한 공진터널링의 증가에 따라 낮은 동작 전압에서 피크 전류가 증가되고, 소자의 유효 장벽 높이를 증가시킬 수 있는 장벽층의 포함으로 인한 밸리전류 감소로 인해 피크-밸리 전류비가 증가되며, 얇은 바깥 장벽층들로 인해 전기용량이 감소 되도록 구성된 것을 특징으로 하는 상온 고픽전류 공진 터널링 전자 장치

3 3

제1항에 있어서, 상기 양자 우물층과 양자 장벽층들이 비대칭적으로 구성된 전자 장치는 에미터층 및 콜렉터층 간에 전위 변화 흡수층으로 구성된 것을 특징으로 하는 상온 고픽전류 공진 터널링 전자 장치

4 4

도전형의 에미터 층, 콜렉터 층과, 에미터 층과 콜렉터 층 사이에 배치되어있는 전위 장벽층으로 구성되어 있는 공진 터널링 고속 반도체 장치에 있어서, 전위 장벽층이 다수의 양자 장벽층과 양자 우물층들로 이루어진 구조에서, 전자의 양자 우물층들의 넓이와 양자 장벽층의 넓이가 비대칭적 조합 구조로 이루어지고, 이에 의해 양자속박 준위들의 스타크 쉬프트에 의한 정렬을 통한 공진 터널링을 이용하는 것을 특징으로 하는 상온 고픽전류 공진 터널링 전자 장치

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP10190014 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH10190014 JP 일본 DOCDBFAMILY
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