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광화학증착및급속열처리장치용웨이퍼지지대

  • 기술번호 : KST2015096646
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/68785(2013.01) H01L 21/68785(2013.01)
출원번호/일자 1019900007229 (1990.05.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0058718-0000 (1993.01.25)
공개번호/일자 10-1991-0020801 (1991.12.20) 문서열기
공고번호/일자 1019920009368 (19921015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1990.05.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영수 대한민국 대전시서구
2 김윤태 대한민국 대전시서구
3 전치훈 대한민국 대전시유성구
4 김보우 대한민국 대전시중구
5 권오균 대한민국 대전시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1990.05.21 수리 (Accepted) 1-1-1990-0043578-31
2 출원심사청구서
Request for Examination
1990.05.21 수리 (Accepted) 1-1-1990-0043580-23
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1990.05.21 수리 (Accepted) 1-1-1990-0043579-87
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1992.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0022302-15
5 등록사정서
Decision to grant
1993.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0022304-06
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광화학 박막증착 및 급속열처리를 낱장으로 행하는 장치에 있어서, 반응로 본체(1)의 위치맞춤핀(1a)에 일측의 위치 맞춤 구멍(2a)이 끼워지면서 타측의 위치맞춤된(1b)에는 걸림편(3)의 슬롯홈(3a)이 걸리도록 한 석영판의 열전대용 웨이퍼 지지대(2)의 측면상에는 다수의 리이드선 구멍(2b)을 형성하여 열전대용 리이드선(4)을 끼우도록 하고, 중앙 원형공간부(2c)의 둘레에는 3개의 "ㄴ"형의 지지핀(5)을 일정한 간격으로 설치하여서 구성함을 특징으로 하는 광화학증착 및 급속열처리 장치용 웨이퍼 지지대

2 2

제1항에 있어서, 열전대용 웨이퍼 지지대(2)의 리이드선 구멍(2b)은 2열의 교호로 다수개 형성하여 2개의 열전대용 리이드선(4)을 서로 엇갈리게 끼우도록 한 광화학증착 및 급속열처리 장치용 웨이퍼 지지대

3 3

제1항에 있어서, 웨이퍼 지지대(2)의 각각의 "ㄴ"형 지지핀(5)은 높이와 거리가 다른 단부(5a),(5b),(5c),(5d)를 다수개 형성하여 웨이퍼 지지대(2)의 교체없이 크기가 다른 웨이퍼를 사용하도록 한 광화학증착 및 급속열처리 장치용 웨이퍼 지지대

4 4

반응로 본체(1)의 위치맞춤편(1a)과 (1b)에 돌출부(11)의 위치맞춤 구멍(11a )과 걸림편912)의 슬롯홈(12a)이 끼워지거나 걸리도록 한 "ㄷ"형 석영봉의 파이로미터용 웨이퍼 지지대(10)에는 "ㄴ"형의 지지핀(13)을 일정한 간격으로 3개 설치하여 구성함을 특징으로 하는 광화학증착 및 급속열처리 장치용 웨이퍼 지지대

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.