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파장변환 광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015096893
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초소형 레이저 컬러 디스플레이 용도의 청색 혹은 녹색 광원의 구현을 위해 레이저 다이오드와 QPM-SHG(Quasi Phase Matching-Second Harmonic Generation) 도파로 소자를 결합시킴에 있어서, TE(Transverse Electric)-모드 편광을 90°회전시켜서 TM(Transverse Magnetic) 편광으로 변환시키는 반파장판(Half-Wave-Plate) 소자를 사용하되, 특히 반파장판 소자의 절단 방향을 X-축 방향과 45°각도로 절단된 비선형 매질 기판을 Z-컷(cut) 비선형 매질 기판과 결합한 후에 두 기판에 걸쳐서 한번에 광도파로를 형성하여 앞단의 45° X-cut 기판은 TE 편광을 TM 편광으로 전환하는 역할을 하고 뒤의 Z-컷 기판은 QPM-SHG 도파로 소자 역할을 하도록 한다. 본 발명에 의한 파장변환 광소자는 기존의 반파장판 결합에 의해 생기는 손실을 최소화하여 청색 및 녹색 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01S 5/10 (2006.01)
CPC H01S 5/1032(2013.01) H01S 5/1032(2013.01) H01S 5/1032(2013.01)
출원번호/일자 1020050096517 (2005.10.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0734839-0000 (2007.06.27)
공개번호/일자 10-2007-0040941 (2007.04.18) 문서열기
공고번호/일자 (20070703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.13)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종무 대한민국 대전 유성구
2 김민수 대한민국 대전 유성구
3 백용순 대한민국 대전 유성구
4 김경옥 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0578773-84
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0669427-95
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0034198-06
4 의견서
Written Opinion		 2007.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0034196-15
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0240679-23
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
TE-모드로 발진하는 레이저 다이오드;Z-축에 수직하게 잘려진 Z-컷 비선형 매질 기판에 주기분극영역이 형성되어 있는 QPM-SHG 도파로 소자; 및상기 레이저 다이오드와 QPM-SHG 도파로 소자 사이에 결합되어 TE 편광을 90° 회전시켜서 TM 편광으로 변환하는 반파장판을 포함하고,상기 반파장판이 Z축과 X사이 또는 Z축과 Y축 사이로 45°로 컷팅되어 형성된 파장변환 광소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 반파장판은 비선형 매질 기판을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 파장변환 광소자
3 3
제1 항에 있어서,상기 반파장판은 상기 QPM-SHG 도파로 소자가 형성된 상기 Z-컷 비선형 매질 기판과 동일한 매질로 형성되는 것을 특징으로 하는 파장변환 광소자
4 4
제3 항에 있어서,상기 비선형 매질 기판 및 반파장판은 LiNbO3 또는 MgO가 도핑된 LiNbO3 로 형성되는 것을 특징으로 하는 파장변환 광소자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 반파장판 결합으로 인한 손실을 최소화하기 위해서, 상기 반파장판과 상기 Z-컷 비선형 매질 기판이 결합된 전체로 광도파로가 형성되는 것을 특징으로 하는 파장변환 광소자
6 6
TE-모드로 발진하는 레이저 다이오드와 QPM-SHG 도파로 소자를 결합시킨 파장변환 광소자 제조방법에 있어서,Z-축에 수직하게 잘려진 Z-컷 비선형 매질 기판에 주기분극영역이 형성된 QPM-SHG 매질 기판을 형성하는 단계;상기 레이저 다이오드와 QPM-SHG 매질 기판 사이에서 TE 편광을 90° 회전시켜서 TM 편광으로 변환하는 반파장판을 형성하되,Z축과 X사이 또는 Z축과 Y축 사이로 45°로 컷팅된 상기 반파장판을 형성하는 단계;상기 반파장판과 상기 QPM-SHG 매질 기판을 결합하는 단계를 포함하는 파장변환 광소자 제조방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 반파장판은 QPM-SHG 매질 기판과 동일한 매질을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 파장변환 광소자 제조방법
8 8
제6 항에 있어서,상기 광소자 제조방법은 상기 결합 단계 이후에 결합된 상기 반파장판 및 QPM-SHG 매질 기판 전체로 광도파로를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장변환 광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.