맞춤기술찾기
이전대상기술
스페이서를이용한미세선폭형성방법
- 기술번호 : KST2015097376
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 내용 없음 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/205 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1019880009546 (1988.07.28) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티 |
| 등록번호/일자 | 10-0050082-0000 (1992.03.20) |
| 공개번호/일자 | 10-1990-0002450 (1990.02.28) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | 1019910010043 (19911210) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (1988.07.28) |
| 심사청구항수 | 4 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 주식회사 케이티 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최상수 | 대한민국 | 대전시유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김영길 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인한국전자통신연구소 | 대한민국 | 대전시유성구 |
| 2 | 한국전기통신공사 | 대한민국 | 서울특별시종로구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 대리인선임신고서 Notification of assignment of agent |
1988.07.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-1988-0055476-50 |
| 2 | 특허출원서 Patent Application |
1988.07.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-1988-0055475-15 |
| 3 | 출원심사청구서 Request for Examination |
1988.07.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-1988-0055477-06 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
1991.07.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-1988-0031264-19 |
| 5 | 의견서 Written Opinion |
1991.08.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-1988-0055478-41 |
| 6 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
1991.08.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-1988-0055479-97 |
| 7 | 출원공고결정서 Written decision on publication of examined application |
1991.11.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-1988-0031265-65 |
| 8 | 등록사정서 Decision to grant |
1992.03.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-1988-0031267-56 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.01.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0010652-29 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2000.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2000-0005008-66 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2001.04.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2001-0046046-20 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2002.04.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2002-0032774-13 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2002.08.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2002-0065009-76 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.03.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5047686-24 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.04.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5068437-23 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.01.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5005621-98 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.03.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5058926-38 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5122434-12 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.07.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5106568-91 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018159-78 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판위에 하층감광막과 중간산화막 및 상층감광막을 각각 도포하고 증착하여 식각후 현상한 미세선폭 패턴형성방법에 있어서, 이층 및 상측감광막에서 드라이(DRIE)102를 사용하여 상기 산화막증착공정후 증착산화막을 평면화시켜 스페이서를 형성하고, 상기 하층감광막을 건식현상하여 음성패턴을 형성하며, 상기 상층감광막 두께만큼 건식현상을 행하여 양성패턴을 형성하기 위한 상층감광막 식각공정과, 실온 BHF=7:1에서 스페이서를 제거하고, 회전도포기를 사용하여 SOG를 도포하며, SOG를 드라이(DRIE) 102에서 패턴이 없는 감광막까지 식각하는 SOG 평탄화공정과, 상기 드라이(DRIE) 102를 사용하여 상기 하층감광막을 건식현상하는 양성패턴 형성공정수단과를 구비하여 하층감광막 건식현상시 중간산화막층이 마스크 역할을 할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 스페이서를 이용한 미세선폭 형성방법 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 하층감광막 건식도포시 하층에 스텝(Step)이 없을 경우 드라이(DRIE)102에서 C |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 스페이서 형성은 드라이(DRIE) 102를 사용하여 C |
| 4 |
4 제1항에 있어서, 중간층 식각은 드라이(DRIE)102에서 C |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP02069755 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | JP05079980 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | US05023203 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP1872147 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 2 | JP2069755 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 3 | JP5079980 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 4 | JPH0269755 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 5 | JPH0579980 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 6 | US5023203 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0050082-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 19880728 출원 번호 : 1019880009546 공고 연월일 : 19911210 공고 번호 : 1019910010043 특허결정(심결)연월일 : 19920307 청구범위의 항수 : 4 유별 : H01L 21/88 발명의 명칭 : 스페이서를이용한미세선폭형성방법 존속기간(예정)만료일 : 19991211 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인한국전자통신연구소 대전시유성구... |
| 1 |
(권리자) 한국전기통신공사 서울특별시종로구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 45,000 원 | 1992년 03월 20일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 114,000 원 | 1995년 05월 17일 | 납입 |
| 제 5 - 6 년분 | 금 액 | 114,000 원 | 1995년 09월 30일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 112,000 원 | 1997년 06월 05일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 201,000 원 | 1998년 09월 29일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 대리인선임신고서 | 1988.07.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-1988-0055476-50 |
| 2 | 특허출원서 | 1988.07.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-1988-0055475-15 |
| 3 | 출원심사청구서 | 1988.07.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-1988-0055477-06 |
| 4 | 의견제출통지서 | 1991.07.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-1988-0031264-19 |
| 5 | 의견서 | 1991.08.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-1988-0055478-41 |
| 6 | 명세서등보정서 | 1991.08.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-1988-0055479-97 |
| 7 | 출원공고결정서 | 1991.11.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-1988-0031265-65 |
| 8 | 등록사정서 | 1992.03.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-1988-0031267-56 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 1999.01.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0010652-29 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2000.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2000-0005008-66 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2001.04.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2001-0046046-20 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2002.04.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2002-0032774-13 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2002.08.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2002-0065009-76 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.03.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5047686-24 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.04.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5068437-23 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.01.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5005621-98 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.03.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5058926-38 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5122434-12 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.07.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5106568-91 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018159-78 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제정보가 없습니다 |
|---|
중요키워드
| [KST2015075763][한국전자통신연구원] | 진공 소자의 구조 및 제조 방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2015095350][한국전자통신연구원] | CBE/ALE에서의가스공급계 | 새창보기 |
| [KST2015075358][한국전자통신연구원] | MOCVD성장용보조장치 | 새창보기 |
| [KST2015077815][한국전자통신연구원] | 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법 | 새창보기 |
| [KST2015075203][한국전자통신연구원] | 헬리콘파 팔라즈마 화학기상 증착방법에 의한 에스.아이.오.에프박막형성방법 | 새창보기 |
| [KST2016017908][한국전자통신연구원] | 질화물 반도체 장치 및 그 제조 방법(NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2015082730][한국전자통신연구원] | 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015093043][한국전자통신연구원] | 바나듐이산화물 박막의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015088662][한국전자통신연구원] | 가스분산장치를구비한반도체제조장치 | 새창보기 |
| [KST2015083358][한국전자통신연구원] | 마이크로 히터를 이용한 금속 산화물 나노 소재의 선택적증착방법 및 이를 이용한 가스센서 | 새창보기 |
| [KST2015020823][한국전자통신연구원] | 350nm 자외선 광원용 AlGaN 선택 성장 및 활성층 에피기술 | 새창보기 |
| [KST2015093430][한국전자통신연구원] | 온도 균일화 장치 및 이를 구비한 반도체 제조 장치 | 새창보기 |
| [KST2015078775][한국전자통신연구원] | 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015093213][한국전자통신연구원] | 수직형 초고진공 화학증착장치 | 새창보기 |
| [KST2015084304][한국전자통신연구원] | 낮은 침투전위 밀도를 갖는 순수 게르마늄 박막 성장법 | 새창보기 |
| [KST2015079099][한국전자통신연구원] | 반도체 소자의 박막 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2015101909][한국전자통신연구원] | 네가티브 광전도 특성을 갖는 게르마늄 단결정 박막의 성장법 및 이를 이용한 광검출기 | 새창보기 |
| [KST2015093541][한국전자통신연구원] | 고품위플라즈마질화규소막증착방법 | 새창보기 |
| [KST2015101047][한국전자통신연구원] | 질화물 반도체의 제조 방법 및 이를 이용한 전력 반도체 소자의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015087777][한국전자통신연구원] | 플라즈마 처리 장치의 척킹/디척킹 장치 및 척킹/디척킹 방법 | 새창보기 |
| [KST2015079075][한국전자통신연구원] | 유기물 박막 및 유기물 소자를 위한 콜드월 형태의 저진공유기물 기상 증착장치와 증착방법 | 새창보기 |
| [KST2015096515][한국전자통신연구원] | 펄스 레이저 증착장치용 멀티 타겟 구동장치 | 새창보기 |
| [KST2015084185][한국전자통신연구원] | 화학기상증착법에 의한 비정질 실리콘 박막의 증착방법 | 새창보기 |
| [KST2015096901][한국전자통신연구원] | 래디칼 보조 산화 장치 | 새창보기 |
| [KST2015075188][한국전자통신연구원] | 반도체 박막의 성장방법 | 새창보기 |
| [KST2015096646][한국전자통신연구원] | 광화학증착및급속열처리장치용웨이퍼지지대 | 새창보기 |
| [KST2015094921][한국전자통신연구원] | 유기 박막 트랜지스터 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015100433][한국전자통신연구원] | 내화금속박막증착용반도체장치의반응기 | 새창보기 |
| [KST2015079455][한국전자통신연구원] | 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법 | 새창보기 |
| [KST2015100418][한국전자통신연구원] | 수직형유기금속기상결정성장장치(MOCVD)의반응기구조 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|