제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 구비하는 분포 반사형 레이저 다이오드에 있어서,

기판 위의 하부 클래드층;

상기 하부 클래드층 위에 형성된 회절 격자;

상기 회절 격자 위에 형성된 하부 클래드층과 굴절율이 다른 광도파로층; 상기 광도파로 위에 형성되며 상기 제3 영역에서 빔을 전송시키는 수동 도파층;

상기 수동 도파층 위에 형성된 중간 클래드층; 상기 중간 클래드층 위에 형성되며 상기 제1 영역에서 광 이득을 발생시켜 상기 제2 영역에서 상기 수동 도파층으로 빔을 천이시키는 활성층;

상기 활성층 위에 형성된 상부 클래드층; 및 상기 상부 클래드층의 일부 표면 위에 형성되되, 상기 제1 영역의 단부에서 가장 큰 폭을 갖고 상기 제3 영역의 단부의 광 출력단에서 가장 작은 폭을 가지며, 상기 제1 영역에서 상기 제3 영역으로 갈수록 점점 폭이 감소되는 테이퍼 구조를 갖도록 형성된 리지를 포함하는 것을 특징으로 하는 분포 반사형 레이저 다이오드

제1항에 있어서,

상기 상부 클래드층은, 상기 제1 영역에서 가장 큰 두께를 갖고 상기 제2 영역에서 중간 두께를 가지며, 그리고 상기 제3 영역에서 가장 작은 두께를 갖는 계단식 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 분포 반사형 레이저 다이오드

제1항에 있어서,

상기 제1 영역에서의 상기 리지의 폭은 상기 제1 영역 내에서의 광이 상기 활성층 내에수 수직 및 수평 방향의 단일 모드를 형성하도록 결정되고, 상기 제2 및 제3 영역에서의 상기 리지의 폭은 광이 상기 활성층에서 상기 수동 도파층으로 원활하게 천이되도록 결정되는 것을 특징으로 하는 분포 반사형 레이저 다이오드

광 이득이 발생하는 제1 영역, 빔 천이가 이루어지는 제2 영역 및 낮은 반사율을 갖는 거울면을 포함하는 제3 영역을 구비하는 분포 반사형 레이저 다이오드에 있어서,

기판 위의 하부 클래드층;

상기 하부 클래드층 위에 형성된 회절 격자;

상기 회절 격자 위에 형성된 InGaAsP층;

상기 InGaAsP층 위에서 형성되되, 상기 제1 영역의 단부에서 가장 작은 폭을 갖고 상기 제3 영역의 단부의 광 출력단에서 가장 큰 폭을 가지며, 상기 제1 영역에서 상기 제3 영역으로 갈수록 점점 폭이 증가되는 구조로 이루어진 수동 도파층;

상기 수동 도파층 위에 형성된 증간 클래드층;

상기 중간 클래드층 위에 형성되되, 상기 제1 영역의 단부에서 가장 큰 폭을 갖고 상기 제3 영역과 접하는 상기 제2 영역의 단부에서 가장 작은 폭을 가지며, 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역으로 갈수록 점점 폭이 감소되는 구조로 이루어진 활성층; 및

상기 활성층 위에 형성된 상부 클래드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 분포 반사형 레이저 다이오드

제4항에 있어서,

상기 수동 도파층은, 상기 제1 영역의 단부에서 가장 작은 두께를 갖고 상기 제3 영역의 단부의 광 출력단에서 가장 큰 두께를 가지며, 상기 제1 영역에서 상기 제3 영역으로 갈수록 점점 두께가 증가되는 구조인 것을 특징으로 하는 분포 반사형 레이저 다이오드

제4항에 있어서,

상기 활성층은, 상기 제1 영역의 단부에서 가장 큰 두께를 갖고 상기 제3 영역과 접하는 상기 제2 영역의 단부에서 가장 작은 두께를 가지며, 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역으로 갈수록 점점 두께가 감소되는 구조인 것을 특징으로 하는 분포 반사형 레이저 다이오드

제4항에 있어서,

상기 제1 영역에서의 상기 수동 도파층 및 활성층의 폭은 상기 제1 영역 내에서의 광이 상기 활성층 내에 구속된 상태로 전파될 수 있는 범위 내에서 결정되는 것을 특징으로 하는 분포 반사형 레이저 다이오드