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게르마늄 광 검출기 및 그 형성방법

  • 기술번호 : KST2015099133
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 버퍼층 없이 게르마늄 에피층을 형성할 수 있는 게르마늄 광 검출기 및 그 제조방법이 제공된다. 기판 상에 저온에서 비정질 게르마늄층을 형성하고, 상기 비정질 게르마늄층을 고온으로 승온하여 결정화하고, 상기 결정화된 게르마늄층 상에 게르마늄 에피층을 형성한다. 게르마늄 광 검출기, 비정질, 버퍼층, 저진공
Int. CL H01L 27/14 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/028 (2006.01) H01L 27/04 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080105199 (2008.10.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1000941-0000 (2010.12.07)
공개번호/일자 10-2010-0046381 (2010.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20101213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서동우 대한민국 대전광역시 유성구
2 김상훈 대한민국 서울특별시 양천구
3 김경옥 대한민국 서울 강남구
4 주지호 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0742713-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0004438-68
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0219457-05
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0481078-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0481081-18
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0533233-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 제 1 온도에서 비정질 게르마늄층을 형성하는 것; 상기 비정질 게르마늄층을, 상기 제 1 온도에서 제 2 온도로 승온 동안, 결정화는 것; 그리고 상기 결정화된 게르마늄층 상에 게르마늄 에피층을 형성하는 것을 포함하는 게르마늄 광 검출기의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 결정화된 게르마늄층 상에 게르마늄 에피층을 형성하는 것은 상기 제 1 온도에서 상기 제 2 온도로의 승온과정 또는 상기 제 2 온도에서 이루어지는 게르마늄 광 검출기의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 비정질 게르마늄층을 형성하는 동안에 불순물 원자를 인 시츄(in-situ)로 도핑하는 게르마늄 광 검출기의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제 1 온도는 300∼500℃인 게르마늄 광 검출기의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 제 2 온도는 600∼700℃인 게르마늄 광 검출기의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 비정질 게르마늄층 및 상기 게르마늄 에피층을 형성하는 것은 1∼300 Torr의 저진공에서 이루어지는 게르마늄 광 검출기의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 비정질 게르마늄층은 300nm 이하로 형성되는 게르마늄 광 검출기의 제조방법
8 8
기판 상에 직접 접촉하는 게르마늄층; 상기 게르마늄층 상의 제 1 도핑층; 및 상기 기판의 상부 또는 상기 게르마늄층의 하부의 상기 제 1 도핑층과 다른 도전형의 제 2 도핑층을 포함하고, 상기 게르마늄층은 세코 에칭(Secco etching) 방법으로 측정된 실모양의 전위를 갖는 게르마늄 광 검출기
9 9
제 8항에 있어서, 상기 전위의 농도는 2×106/㎠ 이하인 게르마늄 광 검출기
10 10
제 8항에 있어서, 상기 게르마늄 광 검출기는 -1
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1 US08698271 US 미국 FAMILY
2 US20100102412 US 미국 FAMILY
3 US20140175510 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010102412 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2014175510 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US8698271 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC