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화합물 반도체 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015099475
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 동일한 반도체 기판상에 광소자와 전자소자 등의 서로 다른 두 종류 이상의 반도체 소자를 구현시킬 때 발생하는 두 소자 사이의 큰 단차와 전자소자의 분리 특성 열화를 개선하는 방법에 관한 것으로서, 반도체 기판상에 전계효과형 소자(HEMT)용 에피택셜층을 성장하고, 건식 식각 방법으로 재성장 영역을 정의한 다음, 식각된 HEMT용 에피택셜층의 측벽과 표면에 이중 절연막 마스크를 형성하는 선택적 MOCVD 재성장 방법을 이용하여 동일한 기판상에 광소자용 에피택셜층을 성장하여 기판을 평탄화시킨 후 서로 다른 두 종류 이상의 반도체 소자를 동일한 기판에 제작하는 공정으로 구성되어 있다. 따라서 HEMT용 에피택셜층의 표면과 식각된 에피택셜층의 측벽에 형성된 절연막 마스크를 채택함으로써 선택적 MOCVD 방법으로 에피택셜층을 재성장할 때 상호불순물 오염을 방지하여 재성장된 에피택셜층의 결정성을 개선시킬 수 있으며, 또한 식각된 에피택셜층의 측면에 형성된 절연막 스페이서에 의해 소자 분리가 이루어지기 때문에 기존의 메사 분리 방법에 비해 분리 영역이 감소하여 반도체 소자의 집적도를 높일 수 있고, 두 소자간의 상호접속 거리가 단축되어 소자의 전기적 특성을 개선시킬 수 있다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019960062621 (1996.12.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0216593-0000 (1999.05.31)
공개번호/일자 10-1998-0044528 (1998.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (19990816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구
2 이진희 대한민국 대전광역시 유성구
3 박병선 대한민국 대전광역시 유성구
4 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
5 편광의 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209245-10
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209244-64
3 특허출원서
Patent Application		 1996.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209243-18
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209246-55
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0105106-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

서로 상이한 다수의 에피택셜층을 가진 제1 및 제2 화합물 반도체 소자를 동일한 화합물 반도체 기판상에 제조하는 방법에 있어서,

상기 반도체 기판상에 상기 제1 반도체 소자를 제조하기 위한 다수의 제1 에피택셜층을 차례로 형성하는 단계와;

상기 제1 반도체 소자의 활성 영역을 정의하기 위한 제1 절연막 패턴을 형성하는 단계;

상기 절연막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 차례로 형성된 다수의 제1 에피택셜층을 식각하는 단계;

전체 구조 상부에 제2 절연막을 형성하는 단계;

상기 제2 절연막을 건식 식각하여 상기 제1 반도체 소자의 활성 영역 측벽에 측벽 절연막 스페이서를 형성하는 단계;

상기 다수의 제1 에피택셜층이 식각된 부위에 제2 반도체 소자를 제조하기 위한 다수의 제2 에피택셜층을 차례로 형성하는 단계;

상기 제1 및 제2 반도체 소자의 각각의 전극을 형성하는 단계; 및

상기 제1 및 제2 반도체 소자의 각각의 전극을 상호 접속하는 배선 전극을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 화합물 반도체 소자 제조 방법

2 2

제 1항에 있어서,

상기 반도체 소자는 HEMT 소자이고, 상기 제2 반도체 소자는 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자 제조 방법

3 3

제 1항 또는 제2항에 있어서,

상기 다수의 제1 에피택셜층은, 버퍼층, 서브채널층, 채널층, 스페이서층, 쇼트키층, 및 오믹층을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자 제조 방법

4 4

제 1항 또는 제2항에 있어서,

상기 다수의 제2 에피택셜층은, 버퍼층, InGaAs 흡수층, AlGaAs 쇼트키층, 및 GaAs 쇼트키층을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자 제조 방법

5 5

제 1항에 있어서,

상기 제1 및 제2 반도체 소자의 각각의 전극을 형성하는 단계는,

상기 제1 절연막의 소정 부위를 오픈하여 상기 제1 반도체 소자의 오믹 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자 제조 방법

6 6

제 1항에 있어서,

상기 제1 및 제2 절연막은 산화막과 질화막으로 이루어진 이중 절여막인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자 제조 방법

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1 US5885847 US 미국 DOCDBFAMILY
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