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수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 ＤＢＲ 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015099979
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물 및 그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드에 관한 것이다.본 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물은 InP 기판 상부에 형성되는 제 1 굴절률을 갖는 InAlGaAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InAlGaAs층 상에 형성되는 제1 InAlAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 제1 InAlAs층 상에 형성되는 InP층; 및 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InAlGaAs층 상에 형성되는 제2 InAlAs층을 포함한다. 이에 따라, InAlGaAs층과 InP층의 접합부분에서 발생하는 타입-Ⅱ 밴드 라인업에 의해 발생하는 광학적 손실을 줄이므로, 소자의 특성을 향상시킬 수 있다. DBR(distributed Bragg reflector), InAlGaAs, InP, InAlAs, 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드
Int. CL H01S 5/183 (2006.01)
CPC H01S 5/18366(2013.01) H01S 5/18366(2013.01) H01S 5/18366(2013.01) H01S 5/18366(2013.01)
출원번호/일자 1020060049238 (2006.06.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0794667-0000 (2008.01.08)
공개번호/일자 10-2007-0059853 (2007.06.12) 문서열기
공고번호/일자 (20080114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050118196   |   2005.12.06
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.01)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기수 대한민국 대전 유성구
2 한원석 대한민국 대전 유성구
3 김성복 대한민국 대전 유성구
4 오대곤 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0387392-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0026820-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0399972-80
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0670651-28
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0670694-81
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0003757-84
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
제 1 굴절률을 가지며 InP 기판 상부에 형성되는 InAlGaAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InAlGaAs층 상에 형성되는 제1 InAlAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 제1 InAlAs층 상에 형성되는 InP층; 및 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InP층 상에 형성되는 제2 InAlAs층을 포함하는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물
2 2
제1항에 있어서, 상기 InAlGaAs층(n1, t1)의 두께(t1)는 λ/4n1 (여기서, λ : 발진 파장, n1 : 굴절률)이고, 상기 제1, 제2 InAlAs층(n2, t2) 및 상기 InP층(n3,t3)의 두께(t2, t3)는 하기의 수학식을 만족하는 (여기서, n2, n3 : 굴절률)수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 InAlAs층의 두께는 5㎚ ~ 30㎚인 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물
4 4
제1항에 있어서, 상기 InAlGaAs층의 굴절률은 3
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 InAlAs층의 굴절률은 3
6 6
제1항에 있어서, 상기 InP층의 굴절률은 3
7 7
InP 기판 상부에 제 1 굴절률을 갖는 InAlGaAs층을 형성하는 단계;상기 InAlGaAs층 상에 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 제 1 InAlAs층을 형성하는 단계;상기 제 1 InAlAs층 상에 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 InP층을 형성하는 단계; 및 상기 InP층 상에 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 제 2 InAlAs층을 형성하는 단계를 포함하는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 InAlGaAs층, 상기 제1 InAlAs층, 상기 제2 InAlAs층 및 상기 InP층은 n-타입 도펀트 또는 p-타입 도펀트 중 하나를 이용하여 도핑되는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 내부 공진 접합(intra-cavity junction)을 이용하는 경우, 상기 InAlGaAs층, 상기 제1 InAlAs층, 상기 제2 InAlAs층 및 상기 InP층은 도핑되지 않는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물 제조 방법
10 10
InP 기판상에 형성되는 하부 DBR 구조물과, 상기 하부 DBR 구조물 상에 형성되는 캐비티와, 상기 캐비티 상에 형성되는 상부 DBR 구조물을 포함하며,상기 하부 DBR 구조물 및 상기 상부 DBR 구조물 중 적어도 하나는, 제 1 굴절률을 갖는 InAlGaAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InAlGaAs층 상에 형성되는 제1 InAlAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 제1 InAlAs층 상에 형성되는 InP층; 및 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InP층 상에 형성되는 제2 InAlAs층을 포함하는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드
11 11
제10항에 있어서,상기 InAlGaAs층(n1, t1)의 두께(t1)는 λ/4n1 (여기서, λ : 발진 파장, n1 : 굴절률)이고, 상기 제1, 제2 InAlAs층(n2, t2) 및 상기 InP층(n3,t3)의 두께(t2, t3)는 하기의 수학식을 만족하는 (여기서, n2, n3 : 굴절률) 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드
12 12
제10항에 있어서,상기 제1 및 제2 InAlAs층의 두께는 5㎚ ~ 30㎚인 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드
13 13
제10항에 있어서,상기 상부 DBR 구조물 및 하부 DBR 구조물은 n-타입 도펀트 또는 p-타입 도펀트를 이용하여 도핑되는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드
14 14
제10항에 있어서, 내부 공진 접합(intra-cavity junction)을 이용하는 경우, 상기 상부 DBR 구조물 및 하부 DBR 구조물은 도핑되지 않는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드
15 15
제10항에 있어서,발진 파장이 1㎛ ~ 1
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07369595 US 미국 FAMILY
2 US20070127535 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2007127535 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7369595 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.